KR960018734A - Unit pixel of thin film transistor liquid crystal display - Google Patents

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KR960018734A
KR960018734A KR1019940031947A KR19940031947A KR960018734A KR 960018734 A KR960018734 A KR 960018734A KR 1019940031947 A KR1019940031947 A KR 1019940031947A KR 19940031947 A KR19940031947 A KR 19940031947A KR 960018734 A KR960018734 A KR 960018734A
Authority
KR
South Korea
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electrode
unit pixel
gate line
liquid crystal
thin film
Prior art date
Application number
KR1019940031947A
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Korean (ko)
Inventor
황성연
남동현
김태곤
서영우
염선민
Original Assignee
엄길용
오리온전기 주식회사
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Publication date
Application filed by 엄길용, 오리온전기 주식회사 filed Critical 엄길용
Priority to KR1019940031947A priority Critical patent/KR960018734A/en
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Abstract

본 발명은 박막트랜지스터 액정표시장치의 단위화소에 관한 것으로서, 투명기판상에 한방향으로 연장되어 있고 일측이 돌출되어 게이트전극이 되는 게이트라인을 형성하고, 상기 게이트라인과는 다른 방향으로 연장되어 소오스전극을 통하여 채널과 연결되는 데이타라인을 형성하며, 상기 게이트라인과 데이타라인이 형성하는 블럭내에 화소전극을 형성하여 채널의 타측과 드레인전극으로 연결시키고, 공통전극과 연결되는 전하저장전극을 상기 화소전극의 주변에 띠형상으로 형성하여 소정폭이 중첩되도록 하였으므로, 상기 전하저장전극이 별도의 면적을 차지하지 않아 LCD의 개구율이 증가되고, 상측 액정기판과의 정렬 공정여유도가 증가되어 색대비를 향상시키며, 식각공정시의 공정여유도도 증가되어 LCD를 고화질화 할 수 있고 공정수율을 향상시킬 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a unit pixel of a thin film transistor liquid crystal display device, comprising: a gate line extending in one direction and protruding on one side to become a gate electrode, and extending in a direction different from the gate line; A data line connected to the channel is formed, a pixel electrode is formed in a block formed by the gate line and the data line, and is connected to the drain electrode and the other side of the channel, and the charge storage electrode connected to the common electrode is connected to the pixel electrode. Since a predetermined width is overlapped by forming a band around the edge, the charge storage electrode does not occupy a separate area, thereby increasing the aperture ratio of the LCD and increasing the margin of alignment with the upper liquid crystal substrate, thereby improving color contrast. In addition, the process margin during the etching process is also increased, so that the LCD quality can be improved and process yield is improved. Can hurt.

Description

박막 트랜지스터 액정표시장치의 단위화소Unit pixel of thin film transistor liquid crystal display

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음As this is a public information case, the full text was not included.

제3도는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정표시장치의 단위화소의 레이아웃도.3 is a layout diagram of unit pixels of a thin film transistor liquid crystal display device according to the present invention;

Claims (7)

투명기판상에 일정방향으로 연정되어 있는 게이트라인과, 상기 게이트라인의 일측이 돌출되어 있는 게이트전극과, 상기 게이트전극과 중첩되는 반도체층 패턴과, 상기 게이트라인과는 다른 방향으로 연장되어 있는 데이타라인과, 상기 데이타라인의 일측에서 돌출되어 상기 반도체층 패턴의 일측과 접촉되는 소오스전극과, 상기 게이트라인과 데이타라인에 의해 정의되는 블럭의 내측에 형성되어 있는 화소전극과, 상기 반도체층 패턴의 타측과 접촉되어 화소전극과 연결되는 드레인전극과, 상기 게이트라인과 평행하게 연장되어 있는 공통전극과, 상기 화소전극의 주변에 띠형상으로 형성되며, 상기 공통전극과 연결되는 전하저장전극을 구비하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 단위화소.A gate line connected to the transparent substrate in a predetermined direction, a gate electrode on which one side of the gate line protrudes, a semiconductor layer pattern overlapping the gate electrode, and data extending in a different direction from the gate line A line, a source electrode protruding from one side of the data line to be in contact with one side of the semiconductor layer pattern, a pixel electrode formed inside the block defined by the gate line and the data line, and the semiconductor layer pattern of A drain electrode in contact with the other side and connected to the pixel electrode, a common electrode extending in parallel with the gate line, and formed around the pixel electrode in a band shape, and having a charge storage electrode connected to the common electrode; Unit pixel of thin film transistor liquid crystal display device. 제1항에 있어서, 상기 투명기판이 석영 또는 유리재질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 단위화소.The unit pixel of a thin film transistor liquid crystal display device according to claim 1, wherein the transparent substrate is formed of quartz or glass material. 제1항에 있어서, 상기 반도체층 패턴을 비정질 또는 다결정실리콘으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 단위화소.2. The unit pixel of a thin film transistor liquid crystal display device according to claim 1, wherein the semiconductor layer pattern is formed of amorphous or polycrystalline silicon. 제1항에 있어서, 상기 게이트전극 및 게이트라인이 다결정 실리콘, Ti, Cr 및 Al로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 단위화소.2. The unit pixel of claim 1, wherein the gate electrode and the gate line are formed of one material arbitrarily selected from the group consisting of polycrystalline silicon, Ti, Cr, and Al. 제1항에 있어서, 상기 데이타라인과 공통전극과 소오스 및 드레인전극이 Ti, Cr 및 Al들 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 단위화소.The unit pixel of claim 1, wherein the data line, the common electrode, the source and the drain electrode are formed of any one of Ti, Cr, and Al. 제1항에 있어서, 상기 전하저장전극이 다결정실리콘층을 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 단위화소.2. The unit pixel of a thin film transistor liquid crystal display according to claim 1, wherein the charge storage electrode is formed of a polysilicon layer. 제1항에 있어서, 상기 공통전극이 인접한 게이트라인과 연결되는 부가 축전용량 방식인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 단위화소.The unit pixel of claim 1, wherein the common electrode is an additional capacitance type connected to an adjacent gate line. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019940031947A 1994-11-30 1994-11-30 Unit pixel of thin film transistor liquid crystal display KR960018734A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100488925B1 (en) * 1997-12-03 2005-08-01 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 Liquid crystal display
KR100620845B1 (en) * 1999-04-02 2006-09-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Method of Multidomain Liquid Crystal Display
KR100806883B1 (en) * 2001-05-17 2008-02-22 삼성전자주식회사 thin film transistor array panel for liquid crystal display

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