KR960015005A - 박막 트랜지스터의 검사장치 및 검사방법 - Google Patents
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Abstract
[목적] 용량소자가 설치되어 있지 않은 박막 트랜지스터라도 소자에 악영향을 주는 일 없이 간단하고 재현성 좋게 확실하게 검사할 수 있는 검사장치 또는 검사방법.
[구성] 게이트전극(2)에 드라이브 펄스신호와 테스트 펄스신호를 각각 입력하는 검사신호 발생수단(6)과 소스전극(3)에 드라이브 펄스신호와 동기하여 시험전압을 입력하는 시험전압 발생수단(7)과 구동전극(5)과 대향배치되고 구동전극과의 사이에 시험전하를 촉진하는 전기용량을 형성하는 외부전극(9)과 게이트전극에 입력되는 테스트 펄스신호에 동기하여 구동전극과 외부전극사이에 형성된 전기용량으로부터 소스전극에 출력되는 전기 신호를 검출하는 전기신호 검출수단(8)을 구비한 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 설명하기 위한 일예를 나타낸 블럭다이어그램.
Claims (8)
- 구동전극과 접속한 드레인 전극과, 드레인 전극과 이간한 소스전극과, 소스전극과 드레인 전극사이에 위치하고 절연막에 의하여 소스전극 및 드레인 전극과 절연된 게이트 전극을 가지고, 게이트 전극에 인가되는 전압에 의하여 소스전극과 드레인 전극사이를 흐르는 전류가 제어되는 박막 트랜지스터의 검사장치에 있어서, 상기 게이트 전극에 드라이브 펄스신호와 테스트 펄스신호를 각각 입력하는 검사신호 발생수단과, 상기 소스전극에 드라이브 펄스신호와 동기하여 시험전압을 입력하는 시험전압 발생수단과, 상기 구동전극과 대향배치되고 상기 구동전극사이에 시험전하를 촉진한 전기용량을 형성하는 외부전극과, 상기 게이트 전극에 입력되는 테스트 펄스신호에 동기하여 상기 구동전극과 외부전극사이에 형성된 전기용량으로부터 상기 소스전극에 출력되는 전기신호를 검출하는 전기신호 검출수단을 구비한 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 검사장치.
- 제1항에 있어서, 상기 외부전극은, 구동전극과 이간하여 배치된 도전체인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 검사장치.
- 제1항에 있어서, 상기 외부전극은, 도전성 액체인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 검사장치.
- 제1항에 있어서, 상기 외부전극에서의 전극전위를 제어하는 전극전위 제어수단은 외부 전극에 부수하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 검사장치.
- 제1항에 있어서, 전기신호는 전류신호이고, 전기신호 검출수단은 전류검출수단인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 검사장치.
- 제1항에 있어서, 전기신호는 전압신호이고, 전기신호 검출수단은 전압검출수단인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 검사장치.
- 제1항에 있어서, 전기신호는 전하신호이고, 전기신호 검출수단은 전하검출수단인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 검사장치.
- 구동전극과 접속한 드레인 전극과, 드레인 전극과 이간한 소스전극과, 소스전극과 드레인 전극사이에 위치하고 절연막에 의하여 소스전극 및 드레인 전극과 절연된 게이트 전극을 가지고, 게이트 전극에 인가되는 전압에 의하여 소스전극과 드레인 전극사이를 흐르는 전류가 제어되는 박막 트랜지스터의 검사장치에 있어서, 상기 게이트 전극에 드라이브 펄스신호를 소스전극에 드라이브 펄스 신호와 동기하여 시험전압을 입력하는 단계와, 상기 구동전극과 대향배치된 외부전극사이에 시험전하를 축전한 전기 용량을 형성하는 단계와, 상기 게이트전극에 테스트 펄스신호를 입력하고, 상기 구동전극과 상기 외부전극사이에 형성된 전기용량로부터 소스전극에 전기신호를 출력시켜 상기 출력된 전기신호를 검출하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 검사방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP94-246616 | 1994-10-12 | ||
JP24661694A JP2889132B2 (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 薄膜トランジスタの検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960015005A true KR960015005A (ko) | 1996-05-22 |
KR0166430B1 KR0166430B1 (ko) | 1999-03-20 |
Family
ID=17151060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950034830A KR0166430B1 (ko) | 1994-10-12 | 1995-10-11 | 박막트랜지스터의 검사장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5550484A (ko) |
JP (1) | JP2889132B2 (ko) |
KR (1) | KR0166430B1 (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6275059B1 (en) | 1997-04-04 | 2001-08-14 | University Of Florida | Method for testing and diagnosing MOS transistors |
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TW538246B (en) * | 2000-06-05 | 2003-06-21 | Semiconductor Energy Lab | Display panel, display panel inspection method, and display panel manufacturing method |
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CN116794866B (zh) * | 2023-06-29 | 2024-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及母板 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1994
- 1994-10-12 JP JP24661694A patent/JP2889132B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-09-25 US US08/533,427 patent/US5550484A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-11 KR KR1019950034830A patent/KR0166430B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08110365A (ja) | 1996-04-30 |
KR0166430B1 (ko) | 1999-03-20 |
JP2889132B2 (ja) | 1999-05-10 |
US5550484A (en) | 1996-08-27 |
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