KR960011475B1 - 밀착형 이메지 센서 제조방법 - Google Patents
밀착형 이메지 센서 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960011475B1 KR960011475B1 KR1019930000928A KR930000928A KR960011475B1 KR 960011475 B1 KR960011475 B1 KR 960011475B1 KR 1019930000928 A KR1019930000928 A KR 1019930000928A KR 930000928 A KR930000928 A KR 930000928A KR 960011475 B1 KR960011475 B1 KR 960011475B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- tft
- image sensor
- forming
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 종래의 밀착형 이메지 센서 공정 단면도.
제2도는 본 발명의 밀착형 이메지 센서 공정 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
8 : 기판 9 : 게이트 전극
9a : 하부전극 10, 10a : 절연막
11, 11 : a-Si : H층 12, 12a : n*a-Si : H층
13 : 투명전극 14, 14a :소오스/드레인전극
본 발명은 밀착형 이메지 센서(Contack Image Sensor)에 관한 것으로 특히, 스위치 소자인 TFT(Thin Film Transistor)와 광수광 소자인 포도다이오드(Photo Diode)를 비슷한 공정으로 같이 제작하여 공정을 단순화시킬 수 있는 밀착형 이메지 센서의 제조방법에 관한 것이다.
종래의 밀착형 이메지 센서의 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
제1도는 종래의 밀착형 이메지 센서 공정 단면도로써, 제1도 (a)와 같이 유리기판(8)위에 크롬 등의 금속을 증착하고 패터닝하여 TFT의 게이트전극(1)을 형성하고 전면에 SiN등의 게이트 절연막(2)을 형성한다.
계속해서 제1도(b)와 같이 a-Si:H층(3)과 n*a-Si:H층(4)을 차례로 증착하고 포토에치 공정으로 활성영역(a-Si:H층)과 오믹접속측(n*a-Si:H)을 형성한 다음, 제1도 (c)와 같이 크롬(Cr)등의 금속을 증착하고 불필요한 부분을 제거하여 TFT의 소오스/드레인전극(5)을 형성하므로 해서 TFT를 먼저 형성한다.
그리고 제1도 (d)와 같이 광수광 영역의 소오스/드레인전극(5)위에 광전변화층인 a-Si:H(6)을 형성하고 a-Si:H층(6)위에 ITO투명전극(7)을 형성하여 포토다이오드를 형성함으로써, 밀착형 이메지 센서가 제조된다.
이와같이 제조된 종래의 밀착형 이메지 센서는 포토다이오드 ITO 투명전극(7) -5V를 인가하여 ITO 투명전극(7)과 a-Si:H층(6) 사이의 쇼트키 베리어(Schottky barrier)를 이용하면 ITO 투명전극(7)을 통해 입사된 광이 a-Si:H층(6)에 의해 광전변환이 일어나 하부전극인 소오스/드레인전극(5)을 통해 TFT로 연결된다.
그러나, 이와같은 종래의 밀착형 이메지 센서의 제조방법에 있어서는 스위칭 소자인 TFT를 먼저 유리기판위에 형성시킨 후 광수광 소자인 포토다이오드를 형성시킴으로써 많은 공정 즉 TFT와 포토다이오드 형성시, 각각의 말을 다르게 증착하여야 하기 때문에 공정수가 증가되고 광수광 소자인 포토다이오드의 광전변환층인 a-Si:H층의 두께가 1㎛ 정도로 상당히 두껍게 형성되어지는 등의 문제점이 있다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 공정을 단순화하는데 그 목적이 있다.
이와같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 포토다이오드와 TFT를 동시에 형성하는 방법으로서 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 발명의 밀착형 이메지 센서 공정 단면도로써, 제2도 (a)와 같이 유리기판(8)위에 크롬(Cr) 등의 금속전극 물질을 증착하고 포토에치공정으로 불필요한 부분을 선택적으로 제거하여 TFT의 게이트전극(9)과 포토다이오드의 하부전극(9a)을 동시에 형성하고 전면에 TFT의 게이트전극(9)과 포토다이오드의 하부전극의 장벽역할을 하는 절연막(Al2O3)(10, 10a)을 증착하고 포토에치 공정으로 패터닝하여 게이트전극(9)위에 게이트절연막(10)을 형성하고 포토다이오드의 하부전극(9a)위에 베리어절연막(10a)을 형성한다.
계속해서, 제2도 (b)와 같이 전면에 a-Si:H층(11, 11a)과 n*a-Si:H층(12, 12a)을 연속증착하여 TFT영역과 포토다이오드 영역에만 남도록 패터닝하고 TFT영역중 채널영역의 n*a-Si:H층(12)도 제거한다.
그리고, 제2도 (c)와 같이 포토다이오드 영역의 n*a-Si:H층(12a)위에 ITO 투명전극(13)을 형성한 다음, 제2도 (d)와 같이 n*a-Si:H층(12)위에 금속으로 소오스/드레인전극(14, 14a)을 형성한다.
이때 TFT의 일측 소오스/드레인전극(14a)은 포토다이오드영역의 ITO 투명전극(13)에 연결되도록 형성한다.
이와같이 제조된 본 발명의 밀착형 이메지 센서는 포토다이오드 영역에서 하분전극(9a)과 a-Si:H층(11a) 사이에 절연막(Al2O3)으로 된 베리어절연막(10a)을 삽입하므로 해서 종래의 하부전극과 a-Si:H층 사이의 베리어보다 베리어층을 높여주게 되고, ITO 투명전극(13)과 a-Si:H층(11a) 사이에 n*a-Si:H층(12a)이 삽입되므로 베리어층을 낮추게 된다.
따라서 인가바이어스 전압을 하부전극(9a)에 -5볼트(Volt)로 인가하여 하부전극(9a)과 a-Si:H층(11a) 사이의 쇼트키 베리어를 이용한 것이다.
이상에서 설명한 바와같은 본 발명이 밀착형 이메지 센서의 제조방법에 있어서는 TFT와 포토다이오드를 동시에 형성시킴으로써 공정수를 줄일 수 있고 광전변환층인 a-Si:H층(11a)을 0.3㎛ 정도로 얇게 증착하여 사용할 수 있으므로 밀착 이메지 센서 전체적으로 볼 때 생산공정의 단순화에 의한 생산비 절감등의 효과를 얻을 수 있다.
Claims (3)
- 기판(9)위에 TFT의 게이트전극(9)과 포토다이오드의 하부전극(9a)을 동시에 형성하는 공정과, 게이트전극(9)과 하부전극(9a)에 상기 TFT의 게이트전극과 포토다이오드의 하부전극의 장벽역할을 하는 절연막(10, 10a)을 형성하는 공정과, 게이트전극(9)과 하부전극(9a) 상부에 a-Si:H층(11, 11a)과 n*a-Si:H층(12, 12a)을 차례로 형성하여 TFT채널영역의 n*a-Si:H층(12)을 제거하는 공정과, 포토다이오드 영역의 n*a-Si:H층(12)위에 투명전극(13)을 형성하는 공정과 일측은 투명전극(13)에 연결되도록 소오스/드레인전극(14, 14a)을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 밀착형 이메지 센서 제조방법.
- 제1항에 있어서, 절연막(10, 10a)은 Al2O3로 형성함을 특징으로 하는 밀착형 이메지 센서 제조방법.
- 제1항에 있어서, TFT의 게이트전극(9)과 포토다이오드의 하부전극(9a) 상부의 a-Si:H층(11, 11a)을 같은 두께로 형성함을 특징으로 하는 밀착형 이메지 센서 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930000928A KR960011475B1 (ko) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 밀착형 이메지 센서 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930000928A KR960011475B1 (ko) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 밀착형 이메지 센서 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940018903A KR940018903A (ko) | 1994-08-19 |
| KR960011475B1 true KR960011475B1 (ko) | 1996-08-22 |
Family
ID=19349967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930000928A KR960011475B1 (ko) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 밀착형 이메지 센서 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960011475B1 (ko) |
-
1993
- 1993-01-26 KR KR1019930000928A patent/KR960011475B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940018903A (ko) | 1994-08-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2776083B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| US7170571B2 (en) | Liquid crystal display device with double metal layer source and drain electrodes and fabricating method thereof | |
| KR960035117A (ko) | 블랙 매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| US6545735B1 (en) | Reflective plate structure provided in a reflective liquid crystal display having a thin film transistor | |
| EP2527913A1 (en) | Display device | |
| KR910001194B1 (ko) | 광 감지기 | |
| US5432108A (en) | Method for fabricating a thin film transistor | |
| US4979007A (en) | Photoelectric conversion device | |
| KR960011475B1 (ko) | 밀착형 이메지 센서 제조방법 | |
| KR900003842B1 (ko) | 광전 변환장치 및 제조방법 | |
| JP2865284B2 (ja) | 薄膜半導体デバイス | |
| KR100443901B1 (ko) | 박막 트랜지스터형 광 감지소자 및 그 제조방법 | |
| JPH09260678A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JPH0191468A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| KR20080004005A (ko) | 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 | |
| KR960011476B1 (ko) | 밀착형 이메지 센서의 광전변환소자 구조 및 제조방법 | |
| KR910005603B1 (ko) | 광전 변환 장치 | |
| KR100696263B1 (ko) | 액정표시장치 및 그의 제조방법 | |
| US5187563A (en) | Photoelectric conversion device with Al/Cr/TCO electrode | |
| KR100651163B1 (ko) | 박막 트랜지스터형 광 감지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR970006736B1 (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| WO2024190878A1 (ja) | 二次元フォトセンサ内蔵ディスプレイ及び二次元フォトセンサ内蔵ディスプレイの製造方法 | |
| KR100503269B1 (ko) | 센싱 및 스위칭 겸용 단일 박막트랜지스터를 이용한광감지소자 및 그의 제어방법 | |
| JPS6189661A (ja) | イメ−ジセンサの製造方法 | |
| KR940001294B1 (ko) | 밀착형 이미지 센서 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |