KR960009549Y1 - 반도체 증착 확산공정의 가스공급 시스템 - Google Patents

반도체 증착 확산공정의 가스공급 시스템 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 증착 확산공정의 가스공급 시스템
제1도는 본 고안의 시스템 구성도.
제2도는 종래의 시스템 구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : N2가스라인 2 : H2가스라인
3 : O2가스라인 4, 8 : 매스플로우어 컨트롤러
5,9 : 밸브 6 : 튜브
7 : 버블러 10 : 세방향밸브
본 고안은 반도체 제조공정중 여러가지 불순물 주입원에 의한 확산방법에 있어서, 확산로에 여러가지의 가스를 공급해주기 위한 가스공급 시스템에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 공정중 증착 확산공정이라고 하는 것은 웨이퍼상에 p형 또는 n형 불순물을 필요한곳에 적당량 깊이만큼 주입 시키는 작업과정으로서, 이때 주입되는 불순물의 양과 농도 및 확산깊이의 조달을 정확히 실시할 필요가 있다
따라서, 이와같은 작업과정을 수행하기 위하여 확산로에서 필요한 기체 또는 액체등을 공급시스템 장치를 통하여 이를 조절하면서 확산로에 가스를 공급하여 주도록 하고 있다.
종래에는, 상기한 바와같은 공급시스템이 첨부도면 제2도에 도시된 바와같은 형태로서, 증착확산 작업에 필요한 N2, H2, O2가스관상에 흐름량을 감지하기 위한 카운터(도면상의 'FC')(11)와 함께 흐름을 개폐하는 각 밸브(12)들을 설치하고, N2가스라인상에는 분지관(13)을 형성하여 분지관(13)이 액체불순물원이 저장되어 있는 버블러(Bubbler)(7)로 연결되도록 하고, 버블러(7)로 부터는 다시 튜브측으로 통하는 N2가스관으로 이어지도록함과 동시에 N2가스관과 연결관 사이에는 세방향 밸브(10)를 설치하여 N2가스와 버블러(7)로부터 발생하는 TCA 가스의 흐름을 절환시켜 주도록 하였다.
이때, 액체불순물원이 저장된 버블러(7)로부터 발생하는 TCA 가스는 POCL3+ BBr3의 혼합가스를 나타낸다
이와 같이 구성된 가스시스템을 통하여 튜브의 증착공정에서 필요한 가스를 카운터(11)로서 흐름량을 측정하면서, 이에따른 각 밸브(12)들을 개폐하여 튜브측으로의 필요한 가스의 흐름과 공급량을 제어하게 된다.
그러나, 이와 같이 구성된 종래장치는 튜브측에서 H2와 O2의 비율이 2 : 1의 비율로서 정확한 흐름이 이루어져야 하는데, 종래의 단순한 조절장치로서는 이에대한 흐름제어가 원할치 못하였다.
특히 H2와 O2가 일정비율로서 유지되지 못하는 경우에는 이들가스의 혼합에 의한 폭발의 위험성을 내포하기 때문에 안전사고에도 많은 문제점을 내포하게 되었다.
또한, N2가스라인상으로 TCA가스를 유입시켜, 이를 세방향밸브로서 흐름을 절환하도록 하였으나 N2와 TCA가스의 흐름은 이들가스의 특성에 의하여 오염을 발생시키는 원인으로 작용하였다.
본고안은 이와같은 종래의 문제점을 개선하기 위하여 안출한 것으로서, H2과 O2가스의 정확한 흐름량의 제어와 함께 오염의 발생원인인 N2와 TCA가스의 흐름을 분리구성할수 있도록 한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본고안에 따르면, N2, H2, O2가스라인(1)(2)(3)상에 각각 튜브측 컴퓨터와 연결구성된 매스플로우어 컨트롤러(4)와 함께 밸브(5)를 설치하여 줌과 동시에 N2가스라인(1)과 H2가스라인(2)을 복합 연결하여 튜브(6)측으로 이어주고, 버블러(7)로는 N2가스라인(1)으로 부터 분지하여 별도의 매스플로우어 컨트롤러(8)와 밸브(9)를 통해 연결 시킴과 동시에 버블러(7)에서 O2가스라인(3)으로 세방향 밸브(10)를 통해 복합 연결 구성하여서 된 것이다.
이와 같이된 본 고안은 튜브측으로 단지 2개의 관을 연결하여, 하나의 관으로는 O2가스라인(3)을 통한 O2가스와 버블러(7)로부터 공급되어오는 TCA가스가 세방향밸브(10)를 통하여 가스의 공급이 절환되고, 다른하나의 관으로는 N2가스라인(1)과 H2가스라인(2)이 각 매스플로우어 컨트롤러(4)와 밸브(5)를 지나 하나의 관으로서 복합구성되어 있기때문에 밸브(5)의 교대적인 흐름제어에 의하여 N2가스와 H2가스의 공급이 교대로 이루어지게 된다.
이때, 각 가스라인 상에는 도시가 생략된 튜브측의 컴퓨터를 통하여 튜브측으로 공급되어지는 각 가스의 흐름량을 체크하면서 이들의 데이타값을 기초로하여 이에 연결되어진 각 가스라인상의 매스플로우어 컨트롤러(4)와 연계적으로 각 가스의 흐름량을 제어하여 주게된다.
이와 같이 본 고안은 상기와 같은 복합적인 제어에 의해 O2와 H2가스가 정확한 흐름량을 유지하면서 튜브측으로 공급되어져 폭발의 위험을 완전해소시켜 주게 되고, TCA가스를 종래와 같이 오염의 원인이되는 H2가스로 연결구성하지 않고 O2가스로 연결구성 하여줌에 따라 오염의 원인을 제거하게 되었으며, 튜브측으로도 단지 2개의 관을 통하여 4가지의 가스 즉, H2, O2, N2, TCA가스의 흐름과 이들 공급량을 제어하게 되어 전체적으로도 시스템의 크기를 축소하게 되는 효과를 갖는다.

Claims (1)

  1. N2, H2, O2가스라인(1)(2)(3)상에 각각 튜브측 컴퓨터와 연결구성된 매스플로우어 컨트롤러(4)와 함께 밸브(5)를 설치 하여줌과 동시에 N2가스라인(1)과 H2가스라인(2)을 복합연결 하여 튜브(6)측으로 이어주고, 버블러(7)로는 N2가스라인(1) 으로부터 분지하여 별도의 매스플로우어 컨트롤러(8)와 밸브(9)를 통해 연결시킴과 동시에 버블러(7)에서 O2가스라인(3)으로 세방향밸브(10)를 통해 복합연결 구성하여서 됨을 특징으로하는 반도체 증착 확산공정의 가스공급 시스템.
KR2019900014083U 1990-09-12 1990-09-12 반도체 증착 확산공정의 가스공급 시스템 KR960009549Y1 (ko)

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