JPH03146111A - 半導体製造装置のガス配管 - Google Patents
半導体製造装置のガス配管Info
- Publication number
- JPH03146111A JPH03146111A JP1286221A JP28622189A JPH03146111A JP H03146111 A JPH03146111 A JP H03146111A JP 1286221 A JP1286221 A JP 1286221A JP 28622189 A JP28622189 A JP 28622189A JP H03146111 A JPH03146111 A JP H03146111A
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- gas
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- piping
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 3
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Landscapes
- Separation Of Gases By Adsorption (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置のガス配管に関し、特に高純度
のガスをウェハ処理槽へ供給できるガス配管に関する。
のガスをウェハ処理槽へ供給できるガス配管に関する。
従来の半導体製造装置に釦けるガス配管では、第３図の
配管図に示すように、Ａｒボンベｌから供給されるガス
は減圧弁２１で適当な圧力に調整された後、吸着材５．
ストップパルプ１０．流量コントローラー１１を通して
処理槽であるスパッタリング槽１２へ直接導かれる。こ
の第３図はスパッタリング装置にかける従来のガス配管
の例を示したものである。この構造ではボンベから処理
槽重で、配管中のどこでもガス流量は同じとなる。
配管図に示すように、Ａｒボンベｌから供給されるガス
は減圧弁２１で適当な圧力に調整された後、吸着材５．
ストップパルプ１０．流量コントローラー１１を通して
処理槽であるスパッタリング槽１２へ直接導かれる。こ
の第３図はスパッタリング装置にかける従来のガス配管
の例を示したものである。この構造ではボンベから処理
槽重で、配管中のどこでもガス流量は同じとなる。
上述した従来のガス配管では、ボンベから処理槽管での
配管中、どこでもガス流ｔは同じとなるため、配管中の
流量は処理槽へ導入されるガス流量によシ大きく変動し
、処理停止時にはガス流電は零となる。ガス流骨が零と
なった場合、配管中のガスは配管内壁から放出される不
純物ガスによシ時間とともに汚染されることが知られて
いる。
配管中、どこでもガス流ｔは同じとなるため、配管中の
流量は処理槽へ導入されるガス流量によシ大きく変動し
、処理停止時にはガス流電は零となる。ガス流骨が零と
なった場合、配管中のガスは配管内壁から放出される不
純物ガスによシ時間とともに汚染されることが知られて
いる。
またガス流量が少量になるほどガスの純度は配管内壁か
らの放出ガスの影響を受けやすくな９、純度の低下を１
ね〈。このため配管途中のガス中不純物成分吸着材の効
果も小さいものとなる。
らの放出ガスの影響を受けやすくな９、純度の低下を１
ね〈。このため配管途中のガス中不純物成分吸着材の効
果も小さいものとなる。
このように、従来のガス配管では配管全体のガス流量が
処理槽へ導入されるガス流量に依存する構造となってい
るため、配管中のガス流量を純度が維持できる量に充分
制御できず、処理槽へ導入されるガス流量によりガス純
度が変動するという欠点がある。
処理槽へ導入されるガス流量に依存する構造となってい
るため、配管中のガス流量を純度が維持できる量に充分
制御できず、処理槽へ導入されるガス流量によりガス純
度が変動するという欠点がある。
上述した従来のガス配管に対し、本発明はガス中不純物
成分吸着材を途中に有する環状の配管中を、ガス純度を
維持するために充分な量のガスを、処理槽で必要とされ
るガス流量とは関係なく常に一定の量循環させてかき、
処理槽へはこの環状配管から必要な量だけ分岐して取り
出すようにしたガス配管である。
成分吸着材を途中に有する環状の配管中を、ガス純度を
維持するために充分な量のガスを、処理槽で必要とされ
るガス流量とは関係なく常に一定の量循環させてかき、
処理槽へはこの環状配管から必要な量だけ分岐して取り
出すようにしたガス配管である。
本発明は高純度ガスを使用してウェハ処理を行う半導体
製造装置のガス配管に釦いて、ガス供給源から処理槽に
至る配管経路を環状に構成し、前記配管中を一定量でガ
スを循ｍさせる機構と、前記環状配管内の圧力を検知し
てガスを補充する機構と、循環しているガスの一部を前
記環状配管よ入 り分岐し所望流量を処理槽へ４婦する機構と、前記環状
配管の途中にガス中の不純物成分を吸着除去する機構と
を設けた半導体製造装置のガス配管である。
製造装置のガス配管に釦いて、ガス供給源から処理槽に
至る配管経路を環状に構成し、前記配管中を一定量でガ
スを循ｍさせる機構と、前記環状配管内の圧力を検知し
てガスを補充する機構と、循環しているガスの一部を前
記環状配管よ入 り分岐し所望流量を処理槽へ４婦する機構と、前記環状
配管の途中にガス中の不純物成分を吸着除去する機構と
を設けた半導体製造装置のガス配管である。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明をスパッタリング装置に適用した場合の
一実施例の配管図である。
一実施例の配管図である。
ガスは、ガス補充点４．吸着材５．ガス分岐点９、循環
ポンプ６、流量検知部７．逆止弁８の順で循環する。循
環は循環ポンプ６により行われる。
ポンプ６、流量検知部７．逆止弁８の順で循環する。循
環は循環ポンプ６により行われる。
そのポンプはｌ ｌ ７ｍ ｓ ｎの流量が得られる隔
膜式のポンプを選んだ。スパッタリング槽１２へのガス
導入は、ガス分岐点９よりストップパルプｌｏ。
膜式のポンプを選んだ。スパッタリング槽１２へのガス
導入は、ガス分岐点９よりストップパルプｌｏ。
流量コントローラー１１を介して行われ、その流量は処
理に必要とされる流量によυ０−０−１Ｏ００ｓｃの範
囲で選ばれる。
理に必要とされる流量によυ０−０−１Ｏ００ｓｃの範
囲で選ばれる。
また、環状配管で循環するガスの流量は流量検知部７で
測定され、圧力制御パルプコントローラー３へその信号
が送られる。圧力制御パルプコントローラー３はａ量検
知部７で測定されるガス流量が一定になるように圧力制
御パルプ２を調整し、Ａｒボンベ１からガス補充点４へ
流入するガスの量をコントロールする。
測定され、圧力制御パルプコントローラー３へその信号
が送られる。圧力制御パルプコントローラー３はａ量検
知部７で測定されるガス流量が一定になるように圧力制
御パルプ２を調整し、Ａｒボンベ１からガス補充点４へ
流入するガスの量をコントロールする。
このように、このガス配管では、スパッタリング槽１２
で使用されるガスの鼠とは関係なく吸着材を含む環状配
管中のガス流量を一定に保てる。
で使用されるガスの鼠とは関係なく吸着材を含む環状配
管中のガス流量を一定に保てる。
従って、従来のガス配管でみられたような、ガス停止時
や少流量時の配管内壁からの放出ガスによるガス純度の
低下は環状配管中では発生せず、常に純度の高いガスが
ガス分岐点９まで供給される。
や少流量時の配管内壁からの放出ガスによるガス純度の
低下は環状配管中では発生せず、常に純度の高いガスが
ガス分岐点９まで供給される。
一方ｉｉ コントローラー１１．ストップパル７’ＩＯ
はスパッタリング槽の極近くに設けることができ、ガス
分岐点９からスパッタリング檜１２４での配管長も最小
限にでき、その配管中での純度の低下を最小限にできる
。
はスパッタリング槽の極近くに設けることができ、ガス
分岐点９からスパッタリング檜１２４での配管長も最小
限にでき、その配管中での純度の低下を最小限にできる
。
すなわち、従来のガス配管では配管全体からの放出ガス
によるガス純度の低下が発生したのに対し、本発明では
ガス分岐点９からスパッタリング槽１２までの極短い配
管からの放出ガスによる影響のみとなり、ガス純度の飛
躍的向上が実現できる。なか吸着材としては、Ｉｌｌ
ｉを９００℃に加熱したものを使用し、吸着後スパイラ
ルコイル状の配管でガス温度を下げるものを使用した。
によるガス純度の低下が発生したのに対し、本発明では
ガス分岐点９からスパッタリング槽１２までの極短い配
管からの放出ガスによる影響のみとなり、ガス純度の飛
躍的向上が実現できる。なか吸着材としては、Ｉｌｌ
ｉを９００℃に加熱したものを使用し、吸着後スパイラ
ルコイル状の配管でガス温度を下げるものを使用した。
また循環するガスの流量はＩＪ／ｍｉｎとした。
第２図は本発明の応用例の配管図である。この応用例は
処理槽が３楢ある場合のガス配管である。
処理槽が３楢ある場合のガス配管である。
Ａｒボンベｌから環状配管までの構成は前記実施例と同
じであり、ガス分岐点９，１３．１７からスパッタリン
グ槽の組合せを１２．１６，２０と３組設けである。前
記実施例と同様に各々のストップパルプ１０．１４．１
８とｉ量コントローラー１１．１５．１９は対応するス
パッタリング槽の極近くに設けている。
じであり、ガス分岐点９，１３．１７からスパッタリン
グ槽の組合せを１２．１６，２０と３組設けである。前
記実施例と同様に各々のストップパルプ１０．１４．１
８とｉ量コントローラー１１．１５．１９は対応するス
パッタリング槽の極近くに設けている。
この応用例では環状配管を各スパッタリング槽の配置に
合わせてひきまわすことによυ、−組の環状配管とボン
ベにより、全てのスパッタリング槽へ高純度のガスを供
給できる利点がある。
合わせてひきまわすことによυ、−組の環状配管とボン
ベにより、全てのスパッタリング槽へ高純度のガスを供
給できる利点がある。
以上説明したように本発明は、ガス配管を環状に構威し
、一定流量で吸着材を通しながらガスを循環させて釦き
、処理に必要な流量だけ１ｃ環状配管から分岐して取り
出すことにより、処理流量の変化によるガスの純度の変
動なしに高純度のガスを処理槽へ供給できる効果がある
。
、一定流量で吸着材を通しながらガスを循環させて釦き
、処理に必要な流量だけ１ｃ環状配管から分岐して取り
出すことにより、処理流量の変化によるガスの純度の変
動なしに高純度のガスを処理槽へ供給できる効果がある
。
第１図は本発明の一実施例の配管図、第２図は本発明の
応用例の配管図、第３図は従来の半導体製造装置におけ
る配管の一例を示す配管図である。 １・・・・・・Ａｒボンベ、２・・・・°°圧力制御パ
ルプ、３・・・・・・圧力制御パルプコントローラー、
４・・・・・・ガス補充点、５・・・・・・吸着材、６
・・・・・・循環ポンプ、７・・・・・・流量検知部、
８・・・・・・逆止弁、９・・・・・・ガス分岐点、１
ｏ・・・・・・ストップバルブ、ｌｌ・・・・・・流量
コントローラー １２・・・・・・スパッタリング槽、
１３・・・・−・ガス分岐点２．１４−゛・パ・ストッ
プパルプ２．１５・・・°ｉｉコントローラー２．１６
・・・・・・スパッタリング槽２．１７・“°゛°゛ガ
ス分岐点３．１８・・・・・・ストップバルブ３．１９
・・・・・・流量コントローラー３．２０・・・・・・
スパッタリング槽３．２１・・・・・°減圧弁。
応用例の配管図、第３図は従来の半導体製造装置におけ
る配管の一例を示す配管図である。 １・・・・・・Ａｒボンベ、２・・・・°°圧力制御パ
ルプ、３・・・・・・圧力制御パルプコントローラー、
４・・・・・・ガス補充点、５・・・・・・吸着材、６
・・・・・・循環ポンプ、７・・・・・・流量検知部、
８・・・・・・逆止弁、９・・・・・・ガス分岐点、１
ｏ・・・・・・ストップバルブ、ｌｌ・・・・・・流量
コントローラー １２・・・・・・スパッタリング槽、
１３・・・・−・ガス分岐点２．１４−゛・パ・ストッ
プパルプ２．１５・・・°ｉｉコントローラー２．１６
・・・・・・スパッタリング槽２．１７・“°゛°゛ガ
ス分岐点３．１８・・・・・・ストップバルブ３．１９
・・・・・・流量コントローラー３．２０・・・・・・
スパッタリング槽３．２１・・・・・°減圧弁。
Claims (1)
- 高純度ガスを使用してウェハ処理を行う半導体製造装置
のガス配管において、ガス供給源から処理槽に至る配管
経路を環状に構成し、前記配管中を一定流量でガスを循
環させる機構と、前記環状配管内の圧力を検知してガス
を補充する機構と、循環しているガスの一部を前記環状
配管より分岐し所望流量を処理槽へ導入する機構と、前
記環状配管の途中にガス中の不純物成分を吸着除去する
機構とを設けたことを特徴とする半導体製造装置のガス
配管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286221A JPH0738932B2 (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体製造装置のガス配管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286221A JPH0738932B2 (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体製造装置のガス配管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03146111A true JPH03146111A (ja) | 1991-06-21 |
| JPH0738932B2 JPH0738932B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=17701538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1286221A Expired - Lifetime JPH0738932B2 (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体製造装置のガス配管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738932B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0980701A1 (en) * | 1998-08-20 | 2000-02-23 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Gas recovery unit |
| AT510246A3 (de) * | 2009-08-07 | 2016-04-15 | Frequentis Ag | Verfahren und vorrichtung zur aufzeichnung der benutzerinteraktion |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP1286221A patent/JPH0738932B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0980701A1 (en) * | 1998-08-20 | 2000-02-23 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Gas recovery unit |
| AT510246A3 (de) * | 2009-08-07 | 2016-04-15 | Frequentis Ag | Verfahren und vorrichtung zur aufzeichnung der benutzerinteraktion |
| AT510246B1 (de) * | 2009-08-07 | 2016-06-15 | Frequentis Ag | Verfahren und vorrichtung zur aufzeichnung der benutzerinteraktion |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0738932B2 (ja) | 1995-05-01 |
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