KR960001043Y1 - Glitch preventing decoder - Google Patents

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KR960001043Y1 KR2019900021419U KR900021419U KR960001043Y1 KR 960001043 Y1 KR960001043 Y1 KR 960001043Y1 KR 2019900021419 U KR2019900021419 U KR 2019900021419U KR 900021419 U KR900021419 U KR 900021419U KR 960001043 Y1 KR960001043 Y1 KR 960001043Y1
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문정환
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Abstract

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Description

글리치(Glitch)방지용 디코더Glitch Prevention Decoder

제 1 도는 종래의 2×4 디코더 회로도1 is a conventional 2x4 decoder circuit diagram.

제 2 도는 제 1 도에서 입력에 따른 출력의 관계도2 is a relationship diagram of output according to input in FIG.

제 3 도는 제 1 도의 각부에 나타나는 파형도FIG. 3 is a waveform diagram showing respective parts of FIG. 1

제 4 도는 본 고안의 글리치 방지용 디코더4 is a glitch preventing decoder of the present invention.

제 5 도는 제 4 도의 각부에 나타는 파형도FIG. 5 is a waveform diagram showing respective parts of FIG. 4

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

I1, I2 : 인버퍼 ND1∼ND4 : 낸드게이트I1, I2: Inbuffer ND1 to ND4: NAND gate

tpd : 인버터(I1, I2) 및 제 1 낸드게이트(ND1)의 전달지연시간tpd: Transmission delay time of inverters I1 and I2 and first NAND gate ND1

본 고안의 글리치(glitch) 방지용 디코더에 관한 것으로, 특히 디코더의 입력이 동시에 바뀔때 피이드백을 채용한 게이트의 논리조합에 의해 안정된 출력을 내도록 한 글리치 방지용 디코더에 관한 것이다.The present invention relates to a glitch-prevention decoder, and more particularly, to a glitch-prevention decoder which produces a stable output by a logic combination of a gate employing a feedback when an input of a decoder is simultaneously changed.

일반적으로 글리치(glitch)는 입력신호가 동시에 바뀔때 각 입력에 대한 회로소자의 전달지연에 의해 출력이 짧은 순간에 불안정한 값을 나타내는 현상을 말하며, 디지탈 회로에서 오동작을 유발하는 직접적인 요소로 작용한다.In general, glitch refers to a phenomenon in which an output is unstable at a short time due to a delay in the transmission of circuit elements for each input when the input signals change at the same time, and acts as a direct element causing malfunction in a digital circuit.

이러한 현상은 종래의 디코더 회로에서도 발생하며, 그 구성은 제 1 도에 도시된 바와 같이 입력신호(A1),(A0)를 반전하는 인버터(I1),(I2)와, 상기 인버터(I1),(I2)의 출력신호를 낸드 조합하여 출력신호(y0)로 출력하는 제 1 낸드게이트(ND1)와, 상기 입력신호(A0)와 상기 인버터(I1)의 출력신호를 낸드조합하여 출력신호(y1)로 출력하는 제 2 낸드게이트(ND2)와, 상기 인버터(I2)의 출력신호와 상기 입력신호(A1)를 낸드 조합하여 출력신호(y2)로 출력하는 제 3 낸드게이트(ND3)와, 상기 입력신호(A1, A0)를 낸드조합하여 출력신호(y3)로 출력하는 제 4 낸드게이트(ND4)로 되어 있다.This phenomenon also occurs in the conventional decoder circuit, and its configuration is as shown in FIG. 1 and the inverters I1, I2 for inverting the input signals A1, A0, the inverters I1, NAND combining the output signal of I2 to output the output signal y0, and NAND combining the output signal of the input signal A0 and the inverter I1 to the output signal y1. A second NAND gate ND2 to be output to the NAND, a third NAND gate ND3 to output the output signal y2 by NAND combining the output signal of the inverter I2 and the input signal A1, and The fourth NAND gate ND4 outputs the output signal y3 by NAND combining the input signals A1 and A0.

상기와 같은 종래의 디코더 회로에 대하여 그 동작 및 글리치 현상을 상세히 설명하면 다음과 같다.The operation and the glitch phenomenon of the conventional decoder circuit as described above will be described in detail.

일반적으로 낸드게이트는 그 입력 단자에 하이레벨의 신호만 인가될 때 그 출력은 로우가 되며 만일 입력신호중 로우신호가 하나만이라도 포함되면 그 출력은 하이로 된다.In general, the NAND gate goes low when only a high level signal is applied to its input terminal. If only one low signal is included in the input signal, the output goes high.

따라서, 입력신호(A1, A0)의 상태에 따라 낸드게이트(ND1∼ND4)에서 출력되는 출력신호(y0∼y3)는 제 2 도의 표와 같이 된다.Therefore, the output signals y0 to y3 output from the NAND gates ND1 to ND4 depending on the state of the input signals A1 and A0 become as shown in the table of FIG.

즉, 입력신호(A1, A0)가 "0"으로 입력되는 경우에는 출력신호(y0)만이 저전위로 출력되고, "1"으로 입력 되는 경우에는 출력신호(y1)만이 저전위로 출력되며, "1"으로 입력되는 경우에는 출력신호(y2)만이 저전위로 출력되고, "11"로 입력되는 경우에는 출력신호(y3)만이 저전위로 된다.That is, when the input signals A1 and A0 are input as "0", only the output signal y0 is output at low potential, and when it is input as "1", only the output signal y1 is output at low potential and "1". When input to "", only the output signal y2 is output at low potential, and when input to "11", only output signal y3 becomes low potential.

그런데, 입력신호(A1, A0)가 제 3 도의 파형도에서와 같이 동시에 고정위로 입력되는 경우에 제 2, 제 3 낸드게이트(ND2, ND3)의 출력신호(y1, y2)가 일시적으로 저전위로 떨어졌다가 다시 고전위로 바뀌는 불안정된 동작을 보이며, 이러한 현상은 두 입력신호(A1, A0)가 동시에 반전될 때 제 4 낸드게이트(ND4)를 제외한 모든 낸드게이트(ND1∼ND3)의 출력에서 발생할 수 있게 된다.By the way, when the input signals A1 and A0 are input at the same time as in the waveform diagram of FIG. 3 at the same time, the output signals y1 and y2 of the second and third NAND gates ND2 and ND3 are temporarily turned to low potential. An unstable operation of falling and then changing back to high potential occurs. This phenomenon occurs at the outputs of all NAND gates ND1 to ND3 except the fourth NAND gate ND4 when both input signals A1 and A0 are inverted at the same time. It becomes possible.

따라서, 상기와 같은 디코더 회로를 그대로 외부회로에 접속하여 사용할 경우 시스템 전체에 오동작을 유발시킬 수 있는 문제점이 있었다.Therefore, there is a problem that may cause a malfunction of the entire system if the decoder circuit as described above is used as it is connected to the external circuit.

이에 따라 본 고안은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 디코더의 출력단을 구성하는 각 낸드게이트가 상호 피이드 백 루프를 형성하도록 하여 글리치가 제거된 안정된 출력을 내도록 안출한 것으로, 이를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Accordingly, in order to solve the above-mentioned problems, the present invention devises a stable output from which glitches have been removed by forming a mutual feedback loop of each NAND gate constituting the output terminal of the decoder. Detailed description with reference to the following.

제 4 도는 본 고안의 글리치 방지용 디코더 회로도로서, 이에 도시한 바와 같이 제 1 도의 종래회로에 있어서 제 1 낸드게이트(ND1)의 출력신호(y0)를 제 2, 제 3 낸드게이트(ND2, ND3)에 입력하고, 제 2 낸드게이트(ND2)의 출력(y1)을 제 1, 제 4 낸드게이트(ND1, ND4)에 입력하며, 제 3 낸드게이트(ND3)의 출력(y2)을 제 1 및 제 4 낸드게이트(ND1, ND4)에 입력하며, 제 4 낸드게이트(ND4)의 출력(y3)을 제 2, 제 3 낸드게이트(ND2, ND3)에 입력하게 접속하여 구성한 것으로, 이와 같이 구성한 본 고안의 작용 효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.FIG. 4 is a glitch-prevention decoder circuit diagram of the present invention. As shown here, in the conventional circuit of FIG. 1, the output signal y0 of the first NAND gate ND1 is set as the second and third NAND gates ND2 and ND3. Input to the first and fourth NAND gates ND1 and ND4, and the output y2 of the second NAND gate ND2 to the first and fourth NAND gates ND3. The present invention is configured by inputting the NAND gates ND1 and ND4 and connecting the output y3 of the fourth NAND gate ND4 to the second and third NAND gates ND2 and ND3. The effect of the operation will be described in detail as follows.

입력신호(A1,A0)에 따라 낸드게이트(ND1∼ND4)에서 출력되는 출력신호(y0∼y3)는 상기의 설명과 같이된다.The output signals y0 to y3 output from the NAND gates ND1 to ND4 in accordance with the input signals A1 and A0 are as described above.

즉 입력신호(A1, A0)가 "0"일때 출력신호(y3~y0)는 "1110" 으로 유지되는데, 이때 그 입력신호(A1, A0)가 "0"에서 "11"로 동시에 반전되면 인버터(I1, I2)의 전달 지연특성 때문에 제 2 낸드게이트(ND2)의 일측 입력단자(G2)와 제 3 낸드게이트(ND3)의 일측 입력단자(G3)에 각기 인가되는 반전된 입력신호는 타측 입력단자(G3), (G2)의 입력신호(A0), (A1) 보다 늦게 도달하므로 상기 낸드게이트(ND2, ND3)의 출력(y1, y2)은 글리치를 일으킬 수 있다.That is, when the input signals A1 and A0 are "0", the output signals y3 to y0 are maintained as "1110". If the input signals A1 and A0 are inverted from "0" to "11" simultaneously, the inverter Inverted input signals applied to one input terminal G2 of the second NAND gate ND2 and one input terminal G3 of the third NAND gate ND3 due to the propagation delay characteristics of (I1, I2), respectively. Since it arrives later than the input signals A0 and A1 of the other input terminals G3 and G2, the outputs y1 and y2 of the NAND gates ND2 and ND3 may cause glitches.

그러나, 입력신호(A1, A0)가 "0"상태일 때 로우상태를 유지한던 제 1 낸드게이트(ND1)는 그 자체가 전달지연특성을 가지고 있으므로 입력신호(A1, A0)가 "0"에서 "11"로 동시에 바뀌어도 그의 출력신호(y0)가 순간적으로 저전위에서 고전위로 반전되지 않고 일정시간동안 저전위상태를 유지하게 된다.However, since the first NAND gate ND1, which remained low when the input signals A1 and A0 were in the "0" state, has a propagation delay characteristic, the input signals A1 and A0 are set to "0". Even if it is changed to "11" at the same time, its output signal y0 is not instantly inverted from the low potential to the high potential and remains at the low potential for a predetermined time.

이는 제 5 도의 타이밍도에서 도시한 바와 같이 인버터(I1, I2)를 통과하지 않은 입력신호(A1, A0)가 인버터(I1, I2)를 통과한 반전입력신호보다 더 빨리 제 2, 제 3 낸드게이트(ND2, ND3)에 도달하여도 제 1 낸드게이트(ND1)의 출력신호(y0)가 일정시간 (인버터(I1, I2)의 지연시간 + 제 1 낸드게이트(ND1)의 지연시간)동안 "0"의 상태를 그대로 유지하므로 상기 낸드게이트(ND2, ND3)의 출력신호(y1, y2)는 변함없이 고전위의 상태를 갖게 되고 따라서 글리치 현상이 나타나지 않게 된다.As shown in the timing diagram of FIG. 5, the input signals A1 and A0 not passing through the inverters I1 and I2 are inverted input signals passing through the inverters I1 and I2. Even if the second and third NAND gates ND2 and ND3 are reached earlier, the output signal y0 of the first NAND gate ND1 remains constant for a predetermined time (the delay time of the inverters I1 and I2 + the first NAND gate). Since the state of " 0 " is maintained as it is during the delay time of (ND1), the output signals y1 and y2 of the NAND gates ND2 and ND3 remain unchanged and thus the glitch does not appear. .

이와 같이 인버터(I1, I2)의 전달지연에 의하여 반전된 입력신호가 비반전 입력신호보다 늦게 특정 낸드게이트에 도달하여도 글리치가 발생하는 시간동안 그 낸드게이트에는 저전위의 신호가 인가되고 있으므로 출력이 하이레벨의 상태를 일정하게 유지하게 되는데 이 각 낸드게이트(ND1~ND4)에 대하여 동일하다.Thus, even if the input signal inverted by the transfer delay of the inverters I1 and I2 reaches a specific NAND gate later than the non-inverting input signal, a low potential signal is applied to the NAND gate during the time that the glitch occurs. The state of this high level is kept constant, which is the same for each of the NAND gates ND1 to ND4.

즉, 입력신호(A1, A0)가 "0" 에서 "11"로 바뀔때에는 제 1 낸드게이트(ND1)의 출력신호(y0)에 의해 제 2, 제 3 낸드게이트(ND2, ND3)의 글리치를 방지하며, 입력신호(A1, A0)가 "1"에서 "10"으로 변할 때에는 제 2 낸드케이트(ND2)의 출력신호(y1)에 의해 제 1, 제 4 낸드게이트(ND1, DN4)의 글리치 현상을 제거하고, 상기 입력신호(A1, A0)가 "10"에서 "1"로 바뀔 때에는 제 3 낸드게이드(ND3)의 출력신호(y2)에 의해 제 1, 제 4 낸드게이트(ND1, ND4)의 출력신호(y0, y3)를 고전위로 고정하며, 입력신호(A1, A0)가 "11"에서 "0"로 변할 때에는 제 4 낸드게이트(ND4)의 출력신호(y3)에 의해 제 2, 제 3 낸드게이트(MD2, ND3)의 글리치현상을 제거하며, 상기와 같은 방식에 의하여 n×2n디코더에 대하여도 글리치가 없는 회로를 구성할 수가 있다.That is, when the input signals A1 and A0 change from "0" to "11", the glitches of the second and third NAND gates ND2 and ND3 are determined by the output signal y0 of the first NAND gate ND1. When the input signals A1 and A0 change from "1" to "10", the glitch of the first and fourth NAND gates ND1 and DN4 is determined by the output signal y1 of the second NAND gate ND2. When the input signals A1 and A0 change from "10" to "1", the first and fourth NAND gates ND1 and ND4 are output by the output signal y2 of the third NAND gate ND3. Output signals y0 and y3 are fixed at high potential, and when the input signals A1 and A0 change from "11" to "0", the second output signal y3 of the fourth NAND gate ND4 is applied. In this way, the glitching phenomenon of the third NAND gates MD2 and ND3 is eliminated, and a circuit free of glitches can be configured for the n × 2 n decoder by the above method.

이상에서와 같이 본 고안은 n×2n디코더에 있어서 회로소자의 전달지연에 의해 입력신호가 특정 게이트에 일정한 시간차를 두고 입력될 때에 로우레벨의 값을 갖는 게이트의 출력을 글리치가 발생되는 게이트에 입력하여 글리치가 발생되는 기간동안 일정하게 유지시킴으로써 회로소자의 전달지연에 의한 글리치 현상을 제기할 수가 있는 효과가 있게 된다.As described above, the present invention provides an output of a gate having a low level value to a gate where a glitch is generated when an input signal is input with a certain time difference to a specific gate due to a propagation delay of a circuit element in an n × 2 n decoder. By keeping the input constant during the time that the glitch is generated, it is possible to raise the glitch phenomenon due to the delay of the circuit element.

Claims (1)

(정정) 입력신호(A1), (A0)를 각기 반전하는 인버터(I1), (I2)와, 상기 인버터(I1), (I2)에서 반전된 입력신호와 상기 입력신호(A1), (A0)에 대하여 그 신호,(A0), (A1,), (A1, A0)를 각기 낸드 조합하여 출력신호(y0), (y1), (y2), (y3)로 출력하는 낸드게이트(ND1), (ND2), (ND3), (ND4)로 구성된 디코더 회로에 있어서, 상기 출력신호(y0), (y1), (y2), (y3)를 상기 낸드게이트(ND2, ND3), (ND1, ND4), (ND1, ND4), (ND2, ND3)의 입력단자에 각기 공통 입력하게 접속하여 구성된 것을 특징으로 하는 글리치 방지용 디코더.(Correction) Inverters I1 and I2 for inverting the input signals A1 and A0, respectively, and input signals inverted in the inverters I1 and I2, respectively. And the signal with respect to the input signals A1 and A0 , ( A0), (A1, ), (A1, A0) to NAND gates (ND1), (ND2), (ND3), and (ND4) that output the output signals (y0), (y1), (y2), and (y3) by NAND combination, respectively. In the decoder circuit configured, the output signals y0, y1, y2, and y3 are converted into the NAND gates ND2, ND3, ND1, ND4, ND1, ND4, ND2, and ND3. A glitch preventing decoder characterized in that it is connected to each of the input terminals of the common input.
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