KR950024416A - 고주파 증폭기 - Google Patents

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KR950024416A
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사다오 이가라시
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가타오카 마사타카
알프스뎅키 가부시키가이샤
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Abstract

고주파 증폭기에서, 주위온도의 변화에 대해서 이득과 잡음지수가 안정되고, 소비전력효율을 높여 양산성을 향상시킨다.
전계 효과 트랜지스터(11)와 그 전계 효과 트랜지스터(11)에 직류적으로 접속된 정전류회로(2)를 가지고, 그 전계효과 트랜지스터(11)를 제1의 신호증폭기(1), 그 정전류회로(2)를 제2신호 증폭기로해서 구성하다.

Description

고주파 증폭기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 고주파 증폭기의 구성을 나타내는 회로도.

Claims (5)

  1. 전계 효과 트랜지스터로 되는 제1신호증폭기와, 상기 전계효과 트랜지스터에 직류적으로 종속정속되고, 상기 전계 효과 트랜지스터의 콜렉터 전류를 일정하게 유지하는 정전류회로에서, 상기 제1신호 증폭기에서의 출력신호를 증폭하는 제2신호증폭기로 되는 것을 특징으로하는 고주파 증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정전류회로가 상기 전계효과 트랜지스터의 소스전극에 접속되는 것을 특징으로 하는 고주파 증폭기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 정전류회로가 바이폴라 트랜지스터를 사용해서 구성되는 것을 특징으로 하는 고주파 증폭기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 정전류회로가 온도보상회로를 내장하는 것을 특징으로 하는 고주파 증폭기.
  5. 제4항에 있어서, 상기 온도보상회로가 다이오드를 가지는 것을 특징으로 하는 고주파 증폭기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950000282A 1994-01-20 1995-01-09 고주파 증폭기 KR0145469B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100406319B1 (ko) * 1995-08-29 2004-04-14 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 전력증폭회로

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5838031A (en) * 1996-03-05 1998-11-17 Trw Inc. Low noise-high linearity HEMT-HBT composite
JPH10242776A (ja) * 1996-12-24 1998-09-11 Murata Mfg Co Ltd 高周波増幅器
US6121840A (en) * 1996-12-24 2000-09-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency amplifier
US5977834A (en) * 1998-04-03 1999-11-02 Cbs Corporation Preamplifier system
CA2238955A1 (en) * 1998-05-26 1999-11-26 Gyles Panther Novel biasing scheme for gaasfet amplifier
US6680647B2 (en) * 2001-12-13 2004-01-20 Agilent Technologies, Inc. Low noise amplifier circuit with phase matched switch topology
EP2124125A1 (en) * 2008-05-21 2009-11-25 Seiko Epson Corporation Process and temperature compensation in CMOS circuits
JP2010278521A (ja) * 2009-05-26 2010-12-09 Mitsubishi Electric Corp 電力増幅器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU565380A1 (ru) * 1975-07-29 1977-07-15 Предприятие П/Я Г-4273 Усилитель низкой частоты
CA1069189A (en) * 1977-11-25 1980-01-01 Her Majesty The Queen In Right Of Canada As Represented By The Minister Of National Defence Of Her Majesty's Canadian Government Modular low noise preamplifier
DE69225259T2 (de) * 1991-02-22 1998-08-20 Sony Corp Zeitduplex-Sender-Empfänger

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100406319B1 (ko) * 1995-08-29 2004-04-14 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 전력증폭회로

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JPH07212144A (ja) 1995-08-11

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