KR950021309A - 공정 결함 분석방법 - Google Patents

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KR950021309A
KR950021309A KR1019930028881A KR930028881A KR950021309A KR 950021309 A KR950021309 A KR 950021309A KR 1019930028881 A KR1019930028881 A KR 1019930028881A KR 930028881 A KR930028881 A KR 930028881A KR 950021309 A KR950021309 A KR 950021309A
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

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Abstract

본 발명은 반도체 제조 공정에서 발생되는 공정 결함을 여러가지 형태로 분류하여 결함의 발생 공정과 특징 및 수율에 미치는 영향을 쉽게 파악할 수 있도록 군집결함의 조건들을 정의하고 이것을 컴퓨터에 입력시켜 공정결함을 자동분류 할 수 있도록 하는 기술이다.

Description

공정 결함 분석방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의해 확산형 공정 결함 분석법을 도시한 도면이다.
제2도는 본 발명에 의해 점군집, 고밀도 선형등의 군집 결함을 조사하는 도면이다.

Claims (7)

  1. 반도체 소자의 공정 결함 분석방법에 있어서, 결함의 크기와 위치에 따라 점 군집결함, 스크래치 군집결함, 확산형 군집결함, 고밀도 선형 군집결함과, 케미칼 오염 군집결함으로 분류하고 각각 결함의 조건을 컴퓨터에 입력시켜서 공정결함이 자동적으로 분석되도록 하는 것을 특징으로 하는 공정 결함 분석방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 점 군집결함을 결함크기 0.5㎛이내 이면서 주위에 존재하는 결함들이 100㎛이내에 10개 이상으로 존재하는 것을 특징으로 하는 공정 결함 분석방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 스크래치 군집결함 임의의 위치에 있는 결함 크기가 10㎛이상이고 주위의 50㎛이내의 위치에서 10㎛이상의 결함이 5개 이상 존재하는 것을 특징으로 하는 공정 결함 분석방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 확산형 군집결함은 결함의 크기가 1㎛이내의 크기로 웨이퍼 중심을 지나는 직선 방향에 수직하고 이 결함위치에서 1000×1000㎛2의 사각형을 영역으로 하였을 때 10개 이상이며, 이 사각형을 중심으로 두고 웨이퍼 중심을 지나는 직선방향에 수직한 사각형 (1000×1000㎛2)영역을 다시 잡고 이들 결함 수가 최초의 사각형 위치에서 나타난 결함 수의 비율이 직선형을 이루는 것을 특징으로 하는 공정 결함 분석방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 고밀도 선형 군집결함은 웨이퍼 내의 다이의 가로축(X축)과 세로축(Y축)으로 나타나는 결함크기, 즉 결함의 X축 크기와 Y축 크기가 매우 다르며 X,Y축 크기 중 큰축의 크기가 두 축 결함 크기의 차=(X-Y)보다 10배이상으로 큰 결함인 것을 특징으로 하는 공정 결함 분석방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 상기 케미컬 오염 결함은 결함의 크기는 1~10㎛ 크기로 하고 임의 결함 위치에 있는 결함이 X축,Y축 결함 크기중 큰축의 크기가 두축 크기차 │X-Y│보다 1/10이내의 크기가 되는 것을 특징으로 하는 공정 결함 분석방법.
  7. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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