KR950021037A - 반도체 노광장치 - Google Patents

반도체 노광장치 Download PDF

Info

Publication number
KR950021037A
KR950021037A KR1019930028883A KR930028883A KR950021037A KR 950021037 A KR950021037 A KR 950021037A KR 1019930028883 A KR1019930028883 A KR 1019930028883A KR 930028883 A KR930028883 A KR 930028883A KR 950021037 A KR950021037 A KR 950021037A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
order
mask
exposure
predetermined
Prior art date
Application number
KR1019930028883A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970004421B1 (ko
Inventor
함영목
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019930028883A priority Critical patent/KR970004421B1/ko
Publication of KR950021037A publication Critical patent/KR950021037A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR970004421B1 publication Critical patent/KR970004421B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70108—Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70158—Diffractive optical elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 노광장치에 관한 것으로서, 광원과 노광미스로의 사이에 반사광을 0차 및 1차로 분리하는 반사형 회절마스크를 설치하며, 상기 반사형 회절 마스크는 석영기판 상에 노광 마스크의 광차단막 패턴과 대응되는 홈 패턴이 입사광의 위상을 반전시키는 깊이로 형성되어 있고, 석영기판의 뒷면에 반사막이 형성되어 있다. 상기의 반사형 회절 마스크는 입사광의 각도를 조절하면 위상반전과 가간섭에 의해 반사광이 0차와1차광으로 이루어져 사입사광의 효과를 얻을 수 있으므로, 광분해능 및 촛점심도가 증가되어 미세패턴 형성이 용이다.

Description

반도체 노광장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반사형 회절마스크를 설명하기 위한 개략도.
제3도는 제2도의 반사형 회절마스크를 통과한 빛의 위치에 따른 세기를 도시한 그래프.
제4도는 (A)~(C)는 제2도의 반사형 회절마스크의 제조공정도.

Claims (1)

  1. 광원에서 방사되는 빛을 집광하는 플라이 아이랜즈와, 상기 플라이 아이랜즈를 통과한 빛을 소정영역에서만 통과시켜 노광마스크에 입사되도록 하는 어퍼쳐와, 상기 어퍼쳐를 통과한 빛이 상을 갖도록 소정의 광차단막 패턴이 형성되어 있는 노광마스크와, 상기 노광마스크를 통과한 빛의 상을 소정비율로 축소시켜 웨이퍼에 전사시키는 프로잭션 랜즈를 구비하는 반도체 노광장치에 있어서, 상기 광원과 노광마스크의 사이에 설치되며, 투명기판 상부에 반사광의 위상이 0차와 1차가 되도록 소정형상의 홈들이 패턴으로 예정된 부분에 형성되어 있고, 투명기판의 하부에 반사막이 형성되어 있는 반사형 회절마스크를 구비하는 반도체 노광장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930028883A 1993-12-21 1993-12-21 반도체 노광장치 KR970004421B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930028883A KR970004421B1 (ko) 1993-12-21 1993-12-21 반도체 노광장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930028883A KR970004421B1 (ko) 1993-12-21 1993-12-21 반도체 노광장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950021037A true KR950021037A (ko) 1995-07-26
KR970004421B1 KR970004421B1 (ko) 1997-03-27

Family

ID=19371963

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930028883A KR970004421B1 (ko) 1993-12-21 1993-12-21 반도체 노광장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970004421B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100468668B1 (ko) * 1997-06-24 2005-03-16 삼성전자주식회사 고리조명애퍼쳐를갖는변형조명계및변형조명방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150129429A (ko) * 2014-05-12 2015-11-20 동우 화인켐 주식회사 대면적 근접 노광 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100468668B1 (ko) * 1997-06-24 2005-03-16 삼성전자주식회사 고리조명애퍼쳐를갖는변형조명계및변형조명방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR970004421B1 (ko) 1997-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900016813A (ko) 기판 마스크 패턴용 투사 장치
KR970060356A (ko) 패턴형성방법, 투영노출장치 및 반도체장치의 제조방법
EP0496891A4 (en) Method and device for optical exposure
KR930020570A (ko) 상(像) 형성방법 및 장치
US4231657A (en) Light-reflection type pattern forming system
JPH07307268A (ja) 照明光学装置
KR940000904B1 (ko) 사진평판 마스크 정렬장치 및 그 방법
JPH06118623A (ja) レチクル及びこれを用いた半導体露光装置
KR950009902A (ko) 웨이퍼 스테퍼
KR950024026A (ko) 투영노광장치
KR0183720B1 (ko) 보조 마스크를 이용한 투영 노광장치
KR970012966A (ko) 변형 어퍼쳐 및 이를 이용한 투영노광장치
JPH01114035A (ja) 露光装置
KR950015638A (ko) 개량된 해상도 특성을 갖는 스텝 앤드 리피트 노출 시스템
KR950021037A (ko) 반도체 노광장치
KR100272656B1 (ko) 반도체 소자의 레티클 구조
KR960035153A (ko) 투영 노광 방법, 이에 사용되는 마스크
JPS6489325A (en) Aligner
KR100307523B1 (ko) 반도체노광장비용광학계의해상력향상장치
JPH0792656A (ja) 半導体装置製造用の露光用レチクル、露光装置及び露光方法
KR0140717B1 (ko) 반도체 소자의 미세 감광막 패턴 형성방법
JPS6489328A (en) Aligner
KR100400283B1 (ko) 리소그라피 공정에 이용되는 조명 방법
KR970030231A (ko) 해프톤 위상반전마스크
KR930006854A (ko) 렌즈형 마스크 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090223

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee