Claims (11)
칩이 탑재되는 다이패드와, 상기 칩의 전극단자에 전기적으로 각각 접속되는 내측 리이드와, 상기 내측 리이드에 각각 대응하는 외측 리이드와, 상기 외측 리이드들을 공통 연결하는 슬리트 바를 갖는 리드 프레임에 있어서, 양끝에 있는 외측 리이드들과 인접한 영역의 리드 프레임을 접착하는 절연성 테이프가 포함되는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.A lead frame having a die pad on which a chip is mounted, an inner lead electrically connected to an electrode terminal of the chip, an outer lead corresponding to each of the inner leads, and a slit bar for commonly connecting the outer leads, And an insulating tape for adhering the lead frame of the region adjacent to the outer leads at both ends.
제1항에 있어서, 상기 리드프레임의 중앙상부에 형성되는 반도체 패키지의 모서리에는 상기 반도체 패키지를 상기 리드프레임에 지지시켜주는 서브바가 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 리드프레임.The lead frame according to claim 1, wherein sub-bars supporting the semiconductor package to the lead frame are formed at corners of the semiconductor package formed on the center of the lead frame.
제2항에 있어서, 상기 서브바는 상기 반도체 패키지의 모서리에 3개이상 형성되는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.The lead frame according to claim 2, wherein at least three subbars are formed at edges of the semiconductor package.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 서브바는 상기 다이패드를 지지하는 써포트바와 서로 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 리드프레임.The lead frame according to claim 1 or 2, wherein the subbars are separated from the support bars supporting the die pads.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 서브바는 절연 테이프에 의해 상기 다이패드를 지지하는 써포트 바와 함께 지지되는 것을 특징으로 하는 리드프레임.The leadframe according to claim 1 or 2, wherein the subbar is supported together with a support bar supporting the die pad by insulating tape.
제1항에 있어서, 상기 리드프레임에는 테스트 공정에서 고정되는 위치를 정확하게 일치시키기 위한 관통구멍이 형성되는 것을 특징으로 하는 리드프레임.The lead frame according to claim 1, wherein the lead frame is formed with a through hole for accurately matching a position fixed in a test process.
제1항에 있어서, 상기 절연성 테이프는 상기 슬리트 바로부터 1.0mm이상 이격된 외측 리이드의 영역상에 형성되는 것을 특징으로 하는 리드프레임.The lead frame according to claim 1, wherein the insulating tape is formed on an area of the outer lead spaced at least 1.0 mm from the slit bar.
외측 리이드가 절연 테이프에 의해 지지되는 리드프레임의 다이패드에 탑재된 칩과 상기 칩의 전극단자에 대응하여 전기적으로 접속된 내측 리이드를 보호하는 반도체 패키지를 성형하는 단계와, 상기 반도체 패키지로부터 돌출되어 있는 외측 리이드의 댐바 및 슬리트바를 순차적으로 절단하는 단계와, 상기 댐바 및 슬리트 바가 각각 절단된 상기 외측 리이드들을 테스트하는 단계와, 테스트된 상기 외측 리이드들을 절곡하는 단계와, 절곡된 상기 외측 리이드들을 절단하여 절연 테이프가 부착된 영역의 리드프레임을 이탈시키는 단계를 포함하는 리드프레임을 갖는 반도체 장치의 제조방법.Forming a semiconductor package that protects the chip mounted on the die pad of the lead frame supported by the insulating tape and the inner lead electrically connected to the electrode terminal of the chip, and protrudes from the semiconductor package; Sequentially cutting the dam bars and the slits bars of the outer leads which are present, testing the outer leads from which the dam bars and the slits bars are cut, bending the tested outer leads, and the bent outer leads A method of manufacturing a semiconductor device having a lead frame, comprising: cutting the wires and leaving the lead frame in a region where the insulating tape is attached.
제8항에 있어서, 상기 리드프레임은 각 단위별로 반도체 패키지가 성형된 스트립 상태로 테스트 공정까지 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The method of claim 8, wherein the lead frame is subjected to a test process in a strip state in which a semiconductor package is formed for each unit.
제8항에 있어서, 상기 반도체 패키지의 외측 리이드는 프로우브 카드의 접촉단자와 대응하여 접촉되어 테스트되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.9. The method of claim 8, wherein the outer lead of the semiconductor package is tested in contact with the contact terminal of the probe card.
제8항 또는 제1O항에 있어서, 상기 반도체 패키지는 외측 리이드의 수에 따라 프로우브 카드의 프로우브 키트를 교환하여 테스트되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 8 or 10, wherein the semiconductor package is tested by exchanging a probe kit of a probe card according to the number of outer leads.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.