Claims (6)
상부 좌우측에 한쌍의 V자형의 홈이 형성되어 있는 제1도전형 GaAs 기판; 상기 기판상에 형성되고, 평편한 수평부들과 상기 홈들의 경사면에 상응하는 형태의 경사부들로 이루어지며, 상기 수평부들에는 제2도전형 불순물이 도핑되어 있고 상기 경사부들에는 제1도전형 불순물이 도핑되어 있는 GaAs 전류제한층; 상기 전류제한층상에 형성되고, 상기 전류제한층의 경사부들에 상응하는 형태의 경사부들을 갖는 제1도전형 하부클래드층; 상기 하부클래드층상에 형성되고, 상기 하부클래드층의 경사부들에 상응하는 형태의 경사부들을 갖는 활성층; 및 상기 활성층상에 형성된 제2도전형 상부클래드층을 포함하는 레이저 다이오드.A first conductive GaAs substrate having a pair of V-shaped grooves formed on upper left and right sides thereof; It is formed on the substrate and consists of flat horizontal portions and inclined portions corresponding to the inclined surfaces of the grooves, wherein the horizontal portions are doped with a second conductive impurity and the inclined portions have a first conductive impurity. A doped GaAs current limiting layer; A first conductive type lower clad layer formed on the current limiting layer, the first cladding lower cladding layer having inclined parts corresponding to the inclined parts of the current limiting layer; An active layer formed on the lower clad layer and having inclined portions corresponding to the inclined portions of the lower clad layer; And a second conductive upper clad layer formed on the active layer.
제1항에 있어서, 상기 전류제한층과 상기 하부클래드층의 사이에 형성되고 상기 전류제한층의 경사부들에 상응하는 형태의 경사부들을 갖는 제1도전형 하부버퍼층, 상기 상부클래드층상에 형성된 제2도전형 상부버퍼층 및 상기 상부버퍼층상에 형성된 제2도전형 캡층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.2. The first conductive lower buffer layer of claim 1, further comprising: a first conductive lower buffer layer formed between the current limiting layer and the lower cladding layer, the first buffering lower buffer layer having inclined portions corresponding to the inclined portions of the current limiting layer, and the upper cladding layer. And a second conductive cap layer formed on the second conductive upper buffer layer and the upper buffer layer.
제1항에 있어서, 상기 기판의 V자형 홈들의 좌우 측면들은 (111)A면으로 이루어지며, 상기 전류제한층의 수평부들과 경사부들은 모두 Si으로 도우핑되어 있는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.The laser diode according to claim 1, wherein the left and right sides of the V-shaped grooves of the substrate are formed of (111) A planes, and both the horizontal portions and the inclined portions of the current limiting layer are doped with Si.
제1도전형 GaAs 기판의 소정 부위를 식각하여, 상기 기판 상부 좌우측에 한 쌍의 V자형의 홈을 형성하는 단계; 상기 기판상에, 에피택셜 성장공정을 수행하여, 평편한 수평부들과 상기 기판의 홈들에 상응하는 형태의 경사부들로 이루어지며, 상기 수평부들에는 제2도전형 불순물이 도핑되고 상기 경사부들에는 제1도전형 불순물이 도핑되는 GaAs 전류제한층을 형성하는 단계; 상기 전류제한층상에, 상기 에피택셜 성장공정에 의하여, 상기 전류 제한층의 경사부들에 상응하는 형태의 경사부들을 갖는 제1도전형 하부클래드층, 상기 하부클래드층의 경사부들에 상응하는 형태의 경사부들을 갖는 활성층 및 상기 활성층상에 형성된 제2도전형 상부클래드층을 차례로 형성하는 단계를 포함하는 레이저 다이오드의 제조방법.Etching a predetermined portion of the first conductive GaAs substrate to form a pair of V-shaped grooves on the left and right sides of the substrate; An epitaxial growth process is performed on the substrate, wherein the horizontal portions are formed of flat portions and inclined portions corresponding to the grooves of the substrate, wherein the horizontal portions are doped with a second conductive impurity and Forming a GaAs current limiting layer doped with one conductive impurity; On the current limiting layer, the first conductive type lower clad layer having inclined portions corresponding to the inclined portions of the current confining layer and the inclined portions of the lower clad layer by the epitaxial growth process. And sequentially forming an active layer having slopes and a second conductive upper clad layer formed on the active layer.
제4항에 있어서, 상기 기판의 V자형 홈들의 좌우 측면들이 (111)A면이 되도록 상기 홈을 형성하고, 상기 전류제한층은 MBE법의 Si-면선택적 도핑방법을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.5. The method of claim 4, wherein the grooves are formed such that the left and right sides of the V-shaped grooves of the substrate become the (111) A plane, and the current limiting layer is formed by using a Si-plane selective doping method of MBE method. A method of manufacturing a laser diode.
제4항에 있어서, 상기 전류제한층은 MOCVD법의 n형 불순물과 p형 불순물을 동시 도핑(simultaneous doping)하는 방법을 사용하여 형성하는 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.The method of claim 4, wherein the current limiting layer is formed using a method of simultaneously doping n-type impurities and p-type impurities of a MOCVD method.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.