JPH04324689A - Manufacture of semiconductor laser - Google Patents
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は、AlGaInP系半導
体レーザの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an AlGaInP semiconductor laser.
【0002】0002
【従来の技術】AlGaInPは0.6μm帯の波長を
有し、可視光半導体レーザの材料として用いられている
。2. Description of the Related Art AlGaInP has a wavelength in the 0.6 μm band and is used as a material for visible light semiconductor lasers.
【0003】図1は斯るAlGaInP系半導体レーザ
を示し、例えば第38回応用物理学関係連合講演会予稿
集,30p−D−10,1001頁に記載されている。FIG. 1 shows such an AlGaInP semiconductor laser, which is described, for example, in the proceedings of the 38th Applied Physics Conference, 30p-D-10, page 1001.
【0004】図において、(1)はn型GaAsからな
る基板で、(100)面から[011]方向に傾斜した
面を主面に持つ。In the figure, (1) is a substrate made of n-type GaAs, which has a main surface inclined from the (100) plane to the [011] direction.
【0005】(2)はn型Ga0.5In0.5Pから
なるバッファ層、(3)はn型(AlyGa1−y)0
.5In0.5Pからなるn型クラッド層、(4)はア
ンドープ(AlxGa1−x)0.5In0.5Pから
なる活性層、(5)はp型(AlyGa1−y)0.5
In0.5Pからなるp型クラッド層、(6)はp型G
a0.5In0.5Pからなるコンタクト層で、これら
の層は周知のMOCVD法を用いて、基板(1)の主面
上に順次積層される。(2) is a buffer layer made of n-type Ga0.5In0.5P, (3) is n-type (AlyGa1-y)0
.. 5In0.5P n-type cladding layer, (4) undoped (AlxGa1-x) 0.5In0.5P active layer, (5) p-type (AlyGa1-y) 0.5
p-type cladding layer made of In0.5P, (6) is p-type G
The contact layer is made of a0.5In0.5P, and these layers are sequentially laminated on the main surface of the substrate (1) using the well-known MOCVD method.
【0006】(7)はレーザ共振器方向に延在するスト
ライプ状のリッジで、コンタクト層(6)の表面からp
型クラッド層(5)内まで選択的にエッチング除去して
形成される。(7) is a striped ridge extending in the direction of the laser resonator, and is a striped ridge extending from the surface of the contact layer (6) to
It is formed by selectively etching away the inside of the mold cladding layer (5).
【0007】(8)はn型GaAsからなるブロック層
で、露出したp型クラッド層(5)上及びレーザ共振器
端面近傍のコンタクト層(6)上に形成される。即ち、
斯る半導体レーザは、レーザ共振器の内部に電流注入領
域(A)、端面近傍に電流非注入領域(B)が形成され
た構造となる。Reference numeral (8) denotes a block layer made of n-type GaAs, which is formed on the exposed p-type cladding layer (5) and on the contact layer (6) near the end face of the laser resonator. That is,
Such a semiconductor laser has a structure in which a current injection region (A) is formed inside a laser resonator and a current non-injection region (B) is formed near the end facet.
【0008】(9)はブロック層(8)上及び露出した
コンタクト層(6)上に形成されたp型GaAsからな
るキャップ層である。Reference numeral (9) is a cap layer made of p-type GaAs formed on the block layer (8) and the exposed contact layer (6).
【0009】(10)はキャップ層(9)上に形成され
たp側電極、(11)は基板(1)の他主面に形成され
たn側電極である。(10) is a p-side electrode formed on the cap layer (9), and (11) is an n-side electrode formed on the other main surface of the substrate (1).
【0010】0010
【発明が解決しようとする課題】この種AlGaInP
系半導体レーザにおいては、AlGaAs系半導体レー
ザに比べ最高発振温度等の温度依存特性が低く、これが
実用化に対して大きな問題となっている。これは、活性
層とp型クラッド層との間の障壁差が小さく、活性層内
にキャリア(特に電子)を有効に閉じ込めることができ
ないためである。[Problem to be solved by the invention] This type of AlGaInP
In comparison with AlGaAs-based semiconductor lasers, temperature-dependent characteristics such as maximum oscillation temperature are lower in the AlGaAs-based semiconductor lasers, and this poses a major problem for practical use. This is because the barrier difference between the active layer and the p-type cladding layer is small, and carriers (especially electrons) cannot be effectively confined within the active layer.
【0011】斯る障壁差を大きくする方法として、p型
クラッド層のAl組成比を大きくしてバンドギャップを
拡大する方法と、クラッド層のキャリア濃度を高くする
方法がある。Methods for increasing such a barrier difference include a method of increasing the Al composition ratio of the p-type cladding layer to widen the band gap, and a method of increasing the carrier concentration of the cladding layer.
【0012】しかし乍ら、AlGaInPにおいては、
Gaに対するAl組成比yが0.7のときバンドギャッ
プは最大となり、さらにAl組成比を大きくしても、こ
れ以上のバンドギャップを得ることはできない。However, in AlGaInP,
When the Al composition ratio y to Ga is 0.7, the band gap becomes maximum, and even if the Al composition ratio is further increased, a larger band gap cannot be obtained.
【0013】そこで、クラッド層のバンドギャップを大
きくすると共に、そのキャリア濃度を大きくすることが
望まれるが、層中に取り込まれるドーパントの量はある
点で飽和する傾向にあり、このときのキャリア濃度では
、十分なキャリア閉じ込めの効果が得られなかった。Therefore, it is desirable to increase the bandgap of the cladding layer as well as its carrier concentration, but the amount of dopant incorporated into the layer tends to be saturated at a certain point, and the carrier concentration at this time In this case, a sufficient carrier confinement effect could not be obtained.
【0014】従って、本発明は、p型クラッド層による
活性層へのキャリアの閉じ込めを向上させ、半導体レー
ザの最高発振温度等の温度依存特性を改善することを技
術的課題とするものである。Therefore, the technical object of the present invention is to improve the confinement of carriers in the active layer by the p-type cladding layer, and to improve the temperature-dependent characteristics such as the maximum oscillation temperature of a semiconductor laser.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明は、n型半導体基
板の主面上に、夫々AlGaInP系化合物半導体から
なるn型クラッド層、活性層、p型クラッド層を含む発
振層を形成する第1の積層工程と、上記発振層上にn型
のブロック層を形成する第2の積層工程と、上記ブロッ
ク層上にp型のキャップ層を形成する第3の積層工程を
含み、上記第1の積層工程と上記第3の積層工程の後に
、得られた積層基板を夫々熱処理する熱処理工程を有す
ることを特徴とする。[Means for Solving the Problems] The present invention provides an oscillation layer including an n-type cladding layer, an active layer, and a p-type cladding layer, each of which is made of an AlGaInP-based compound semiconductor, on the main surface of an n-type semiconductor substrate. 1 lamination step, a second lamination step of forming an n-type block layer on the oscillation layer, and a third lamination step of forming a p-type cap layer on the block layer, After the lamination step and the third lamination step, the method is characterized by comprising a heat treatment step of heat-treating the obtained laminated substrates, respectively.
【0016】[0016]
【作用】本発明方法によれば、2回の熱処理工程を行う
ことによって、p型クラッド層のキャリア濃度を全体的
に更に高くすることができる。According to the method of the present invention, the overall carrier concentration of the p-type cladding layer can be further increased by performing the heat treatment process twice.
【0017】[0017]
【実施例】本発明方法の一実施例を図2乃至図8を参照
して説明する。本実施例にて作製される半導体レーザの
構造は、図1と同じであり、同じものには同番号を付し
、説明を省略する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the method of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 8. The structure of the semiconductor laser manufactured in this example is the same as that in FIG. 1, so the same parts are given the same numbers and the explanation will be omitted.
【0018】図2は第1の工程を示す。斯る工程では、
基板(1)の(100)面から[011]方向に5度傾
斜した一主面(1a)上に、バッファ層(2)、n型ク
ラッド層(3)、活性層(4)、p型クラッド層(5)
、コンタクト層(6)、保護層(12)を、減圧MOC
VD法で順次積層する。各層の組成、層厚及びドーパン
トは表1に示す通りである。FIG. 2 shows the first step. In such a process,
A buffer layer (2), an n-type cladding layer (3), an active layer (4), a p-type Cladding layer (5)
, the contact layer (6), and the protective layer (12) in a low pressure MOC.
The layers are sequentially laminated using the VD method. The composition, layer thickness, and dopant of each layer are as shown in Table 1.
【0019】[0019]
【表1】[Table 1]
【0020】ここで、保護層(12)は、後にこの上に
形成されるキャップ層(9)と同じくp型GaAsであ
り、キャップ層(9)形成後、キャップ層(9)と一体
化されるので、図1では省略されているものである。[0020] Here, the protective layer (12) is made of p-type GaAs like the cap layer (9) to be formed later on, and is integrated with the cap layer (9) after the cap layer (9) is formed. Therefore, it is omitted in FIG.
【0021】図3は第2の工程を示す。斯る工程では、
第1の工程で得られた積層基板を、ヒータ(13)を備
えた加熱装置(14)内に移し、N2/H2=9/1の
雰囲気中で、520℃、10分間の熱処理を行う。FIG. 3 shows the second step. In such a process,
The laminated substrate obtained in the first step is transferred into a heating device (14) equipped with a heater (13), and heat-treated at 520° C. for 10 minutes in an atmosphere of N2/H2=9/1.
【0022】このとき、積層基板はその積層側表面を下
にして、加熱装置(14)内に配されたGaAs基台(
15)上に載置する。これは、熱処理中、積層側表面の
保護層(12)からAsの蒸発を防止するためである。At this time, the laminated substrate is placed on a GaAs base (14) placed in the heating device (14) with its laminated surface facing down.
15) Place it on top. This is to prevent As from evaporating from the protective layer (12) on the laminated side surface during the heat treatment.
【0023】図4は第3の工程を示す。斯る工程では、
積層体の積層側表面に、厚さ0.6μm、幅3〜4μm
のストライプ状のSiO2膜(16)を設け、これをマ
スクとして、保護層(12)を硫酸系エッチング液で、
コンタクト層(6)及びp型クラッド層(5)を47%
のHBr液で、エッチング部分のp型クラッド層(5)
の厚さが0.2μmになるまでエッチングし、ストライ
プ状のリッジ(7)を形成する。更に、SiO2膜(1
6)の端部を夫々20μmずつ除去し、露出した保護層
(12)を硫酸系エッチング液で除去する。FIG. 4 shows the third step. In such a process,
On the laminated side surface of the laminate, a thickness of 0.6 μm and a width of 3 to 4 μm is applied.
A striped SiO2 film (16) is provided, and using this as a mask, the protective layer (12) is etched with a sulfuric acid-based etching solution.
47% contact layer (6) and p-type cladding layer (5)
The p-type cladding layer (5) in the etched area is
Etching is performed until the thickness becomes 0.2 μm to form a striped ridge (7). Furthermore, a SiO2 film (1
6), each end portion of 20 μm is removed, and the exposed protective layer (12) is removed using a sulfuric acid-based etching solution.
【0024】図5は第4の工程を示す。斯る工程では、
減圧MOCVD法を用い、積層表面上に、厚さ0.8μ
mのSeドープn型GaAsからなるブロック層(8)
の成長を行う。すると、ブロック層(8)は、残存する
SiO2膜(16)がマスクとなり、露出したp型クラ
ッド層(5)及びコンタクト層(6)上のみに選択的に
積層される。しかる後、露出しているSiO2膜(16
)をHF液で除去する。FIG. 5 shows the fourth step. In such a process,
Using the low pressure MOCVD method, a layer with a thickness of 0.8μ is deposited on the laminated surface.
Block layer (8) made of m Se-doped n-type GaAs
grow. Then, the block layer (8) is selectively laminated only on the exposed p-type cladding layer (5) and contact layer (6) using the remaining SiO2 film (16) as a mask. After that, the exposed SiO2 film (16
) is removed with HF solution.
【0025】図6は第5の工程を示す。斯る工程では、
減圧MOCVD法を用い、露出した保護層(12)及び
ブロック層(8)上に、厚さ2〜3μmのZnドープp
型GaAsからなるキャップ層(9)を積層する。FIG. 6 shows the fifth step. In such a process,
Using a low pressure MOCVD method, a Zn-doped p layer with a thickness of 2 to 3 μm is deposited on the exposed protective layer (12) and block layer (8).
A cap layer (9) made of type GaAs is laminated.
【0026】図7は第6の工程を示す。斯る工程では、
第5の工程で得られた積層基板を再び加熱装置(14)
内に移し、N2/H2=9/1の雰囲気中で、550℃
、10分間の熱処理を行う。このときも、積層基板はそ
の積層側表面を下にして、加熱装置(14)内に配され
たGaAs基台(15)上に載置する。FIG. 7 shows the sixth step. In such a process,
The laminated substrate obtained in the fifth step is heated again by the heating device (14)
In an atmosphere of N2/H2 = 9/1, heat at 550°C.
, heat treatment for 10 minutes. At this time as well, the laminated substrate is placed on the GaAs base (15) placed in the heating device (14) with its laminated surface facing down.
【0027】図8は第7の工程を示す。斯る工程では、
キャップ層(9)上にCr,Auを順次蒸着したp側電
極(10)、基板(1)の他主面(1b)上にCr,S
n,Auを順次蒸着したn側電極(11)を夫々形成す
ることによって、発振波長635nmの半導体レーザが
作製される。FIG. 8 shows the seventh step. In such a process,
A p-side electrode (10) in which Cr and Au are sequentially deposited on the cap layer (9), and Cr and S on the other main surface (1b) of the substrate (1).
A semiconductor laser with an oscillation wavelength of 635 nm is manufactured by forming n-side electrodes (11) in which n and Au are sequentially deposited.
【0028】斯る実施例装置の種々の素子特性を調べた
。その結果を表2に示す。また、比較のため、本実施例
装置の作製方法において、第2,第6の熱処理工程を省
略して作製した比較装置1、第6の熱処理工程のみを省
略して作製した比較装置2、第2の熱処理工程のみを省
略して作製した比較装置3についても夫々同様に素子特
性を調べた。その結果を表2に併記する。Various element characteristics of this embodiment device were investigated. The results are shown in Table 2. For comparison, a comparison device 1 was fabricated by omitting the second and sixth heat treatment steps in the method of fabricating the device of this example, a comparison device 2 was fabricated by omitting only the sixth heat treatment step, and a comparison device 2 was fabricated by omitting only the sixth heat treatment step. Comparative device 3, which was manufactured by omitting only the heat treatment step 2, was also examined for element characteristics in the same manner. The results are also listed in Table 2.
【0029】[0029]
【表2】[Table 2]
【0030】ここで、発振しきい値は周囲温度20℃の
時の値、最高発振温度及び最大光出力は夫々連続発振が
行える最高周囲温度及び出力の値を示す。また、特性温
度は30℃以下での発振しきい値の温度依存性を示すも
ので、値が大きいほど温度依存性が少なく、発振安定性
が良いことを示している。Here, the oscillation threshold value indicates the value when the ambient temperature is 20° C., and the maximum oscillation temperature and maximum optical output indicate the maximum ambient temperature and output values at which continuous oscillation can be performed, respectively. Further, the characteristic temperature indicates the temperature dependence of the oscillation threshold below 30° C., and the larger the value, the less the temperature dependence and the better the oscillation stability.
【0031】表2から、本実施例装置は比較装置に比べ
、各素子特性で優れていることが分かる。この理由を以
下に説明する。From Table 2, it can be seen that the device of this embodiment is superior to the comparative device in each element characteristic. The reason for this will be explained below.
【0032】先ず、第2の工程の熱処理温度を変化させ
、種々の熱処理を行った後、p型クラッド層(5)のキ
ャリア濃度を調べた。その結果を図9に示す。First, after various heat treatments were performed by varying the heat treatment temperature in the second step, the carrier concentration of the p-type cladding layer (5) was investigated. The results are shown in FIG.
【0033】熱処理前のキャリア濃度は7×1017c
m−3であり、熱処理によって、キャリア濃度が高くな
っていることが分かる。これは、p型クラッド層(5)
中に添加されたZnの活性化率が上がったからである。
特に、熱処理温度が450〜650℃では、1.6〜2
.0×1018cm−3と高いキャリア濃度が得られ、
このときのp型クラッド層(5)中のZn濃度を調べた
ところ、略100%の活性化率であることが判明した。[0033] The carrier concentration before heat treatment is 7×1017c.
m-3, and it can be seen that the carrier concentration is increased by the heat treatment. This is the p-type cladding layer (5)
This is because the activation rate of Zn added therein increased. In particular, when the heat treatment temperature is 450 to 650°C, 1.6 to 2
.. A high carrier concentration of 0 x 1018 cm-3 was obtained,
When the Zn concentration in the p-type cladding layer (5) at this time was examined, it was found that the activation rate was approximately 100%.
【0034】次に、第5の工程の後で、p型クラッド層
(5)のキャリア濃度を調べたところ、ブロック層(8
)が形成された直下のp型クラッド層(5)ではキャリ
ア濃度の変化は見られなかったが、ブロック層(8)の
形成されていない部分、即ち端面を除くリッジ(7)の
直下のp型クラッド層(5)ではキャリア濃度の低下が
見られた。Next, after the fifth step, when the carrier concentration of the p-type cladding layer (5) was examined, it was found that the block layer (8
) was formed, but no change in carrier concentration was observed in the p-type cladding layer (5) directly under the ridge (7) where the block layer (8) was not formed, that is, the p-type cladding layer (7) directly under the ridge (7) excluding the end face. A decrease in carrier concentration was observed in the mold cladding layer (5).
【0035】更に、第6の工程の後で、p型クラッド層
(5)のキャリア濃度を調べると、ブロック層(8)が
形成された直下のp型クラッド層(5)ではキャリア濃
度の変化は見られず、第5の工程後、キャリア濃度の低
下が見られたブロック層(8)の形成されていない部分
のキャリア濃度が第2の工程後の値まで回復しているこ
とが分かった。Furthermore, when the carrier concentration of the p-type cladding layer (5) is examined after the sixth step, it is found that the carrier concentration changes in the p-type cladding layer (5) immediately below where the block layer (8) is formed. was not observed, and it was found that after the fifth step, the carrier concentration in the part where the block layer (8) was not formed, where a decrease in carrier concentration was observed, had recovered to the value after the second step. .
【0036】また、第2の工程のみを省略した比較装置
3のp型クラッド層(5)のキャリア濃度を調べたとこ
ろ、ブロック層(8)の形成されていない部分、即ち端
面を除くリッジ(7)の直下のp型クラッド層(5)で
は略100%の活性化率が得られていたが、ブロック層
(8)が形成された直下のp型クラッド層(5)では熱
処理前のキャリア濃度しか得られていなかった。Further, when the carrier concentration of the p-type cladding layer (5) of the comparative device 3 in which only the second step was omitted was investigated, it was found that the portion where the block layer (8) is not formed, that is, the ridge (excluding the end face) 7), an activation rate of approximately 100% was obtained in the p-type cladding layer (5) directly under the block layer (8), but in the p-type cladding layer (5) directly under the block layer (8), carriers before heat treatment Only the concentration was obtained.
【0037】これらの現象が起こる理由は詳細には分か
らないが、以上の現象から考察すると、本実施例装置で
はp型クラッド層(5)全体にわたって高いキャリア濃
度が得られているのに対し、比較装置では全体的あるい
は部分的にキャリア濃度の低い部分があるので、十分は
キャリアの閉じ込めができず、高温時あるいは高出力時
の素子特性が低下したものと考えられる。The reason why these phenomena occur is not known in detail, but considering the above phenomena, in the device of this embodiment, a high carrier concentration is obtained throughout the p-type cladding layer (5); In the comparative device, there are parts where the carrier concentration is low in whole or in part, so it is thought that carriers cannot be sufficiently confined, and the device characteristics at high temperatures or high outputs deteriorate.
【0038】また、本実施例では、基板(1)の成長面
に(100)面から[011]方向に5度傾斜した面を
用いたが、これは、(100)面から[011]方向に
5度傾斜した面を成長面に用いることによって、p型ク
ラッド層(5)に添加されるアクセプタの量が増加する
ため、これを活性化させると、より高いキャリア濃度が
得られるからである。Furthermore, in this example, the growth surface of the substrate (1) used was a plane inclined by 5 degrees in the [011] direction from the (100) plane; This is because by using a plane inclined by 5 degrees to the growth plane, the amount of acceptor added to the p-type cladding layer (5) increases, and when this is activated, a higher carrier concentration can be obtained. .
【0039】本発明方法における効果は、本実施例にア
クセプタとして用いられたZnに限ることなく、Mgに
おいても図10に示す如く、450〜600℃の熱処理
によって、キャリア濃度を7×1017cm−3から2
×1018cm−3に高くすることができる。但し、斯
る熱処理の温度は、熱処理時にp型クラッド層(5)中
のアクセプタが活性層(4)内に拡散しないように、で
きるだけ低くするのが好ましく、具体的には550℃以
下で行うのが好ましい。The effect of the method of the present invention is not limited to Zn used as an acceptor in this example, but also to Mg, as shown in FIG. From 2
The height can be increased to x1018 cm-3. However, the temperature of such heat treatment is preferably as low as possible so that the acceptors in the p-type cladding layer (5) do not diffuse into the active layer (4) during the heat treatment, and specifically, the temperature is 550° C. or lower. is preferable.
【0040】また、本実施例では、レーザ共振器の端面
近傍に電流非注入領域を設けた半導体レーザを示したが
、勿論、端面近傍にも電流が注入される半導体レーザで
も本実施例と同様の効果を得ることができる。Further, in this example, a semiconductor laser in which a current non-injection region is provided near the end face of the laser resonator is shown, but of course, a semiconductor laser in which current is injected also near the end face can be used in the same manner as in this example. effect can be obtained.
【0041】[0041]
【発明の効果】本発明方法によれば、n型半導体基板の
主面上に、夫々AlGaInP系化合物半導体からなる
n型クラッド層、活性層、p型クラッド層を含む発振層
を形成する第1の積層工程と、上記発振層上にn型のブ
ロック層を形成する第2の積層工程と、上記ブロック層
上にp型のキャップ層を形成する第3の積層工程を含む
半導体レーザの製造方法において、上記第1の積層工程
と上記第3の積層工程の後に、得られた積層基板を夫々
熱処理する熱処理工程を行うことによって、p型クラッ
ド層のキャリア濃度を全体的に更に高くすることができ
るので、活性層とp型クラッド層の間の障壁差を大きく
することができ、半導体レーザの温度依存特性を向上さ
せることができる。According to the method of the present invention, a first oscillation layer including an n-type cladding layer, an active layer, and a p-type cladding layer each made of an AlGaInP-based compound semiconductor is formed on the main surface of an n-type semiconductor substrate. a second lamination step of forming an n-type block layer on the oscillation layer, and a third lamination step of forming a p-type cap layer on the block layer. After the first lamination step and the third lamination step, the carrier concentration of the p-type cladding layer can be further increased overall by performing a heat treatment step of heat-treating the obtained laminated substrates, respectively. Therefore, the barrier difference between the active layer and the p-type cladding layer can be increased, and the temperature dependence characteristics of the semiconductor laser can be improved.
【図1】AlGaInP系半導体レーザの一例を示す斜
視断面図である。FIG. 1 is a perspective cross-sectional view showing an example of an AlGaInP semiconductor laser.
【図2】本発明方法の一実施例における第1工程を示す
断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing the first step in an embodiment of the method of the present invention.
【図3】本発明方法の一実施例における第2工程を示す
模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing the second step in one embodiment of the method of the present invention.
【図4】本発明方法の一実施例における第3工程を示す
斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing the third step in one embodiment of the method of the present invention.
【図5】本発明方法の一実施例における第4工程を示す
斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing the fourth step in an embodiment of the method of the present invention.
【図6】本発明方法の一実施例における第5工程を示す
斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing the fifth step in an embodiment of the method of the present invention.
【図7】本発明方法の一実施例における第6工程を示す
模式図である。FIG. 7 is a schematic diagram showing the sixth step in an embodiment of the method of the present invention.
【図8】本発明方法の一実施例における第7工程を示す
斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing a seventh step in an embodiment of the method of the present invention.
【図9】アクセプタとしてZnを用いたとき、熱処理温
度に対して得られるp型クラッド層のキャリア濃度を示
す特性図である。FIG. 9 is a characteristic diagram showing the carrier concentration of the p-type cladding layer obtained with respect to the heat treatment temperature when Zn is used as an acceptor.
【図10】アクセプタとしてMgを用いたとき、熱処理
温度に対して得られるp型クラッド層のキャリア濃度を
示す特性図である。FIG. 10 is a characteristic diagram showing the carrier concentration of the p-type cladding layer obtained with respect to the heat treatment temperature when Mg is used as an acceptor.
Claims (1)
GaInP系化合物半導体からなるn型クラッド層、活
性層、p型クラッド層を含む発振層を形成する第1の積
層工程と、上記発振層上にn型のブロック層を形成する
第2の積層工程と、上記ブロック層上にp型のキャップ
層を形成する第3の積層工程を含み、上記第1の積層工
程と上記第3の積層工程の後に、得られた積層基板を夫
々熱処理する熱処理工程を有することを特徴とする半導
体レーザの製造方法。Claim 1: On the main surface of an n-type semiconductor substrate, Al
A first lamination step of forming an oscillation layer including an n-type cladding layer, an active layer, and a p-type cladding layer made of a GaInP-based compound semiconductor, and a second lamination step of forming an n-type block layer on the oscillation layer. and a third lamination step of forming a p-type cap layer on the block layer, and a heat treatment step of heat-treating the obtained laminated substrates after the first lamination step and the third lamination step, respectively. A method for manufacturing a semiconductor laser, comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9428991A JPH04324689A (en) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | Manufacture of semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9428991A JPH04324689A (en) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | Manufacture of semiconductor laser |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04324689A true JPH04324689A (en) | 1992-11-13 |
Family
ID=14106106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9428991A Pending JPH04324689A (en) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | Manufacture of semiconductor laser |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04324689A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0897506A (en) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Sharp Corp | Manufacture of end face growth window type semiconductor laser element |
-
1991
- 1991-04-24 JP JP9428991A patent/JPH04324689A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0897506A (en) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Sharp Corp | Manufacture of end face growth window type semiconductor laser element |
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