KR950005458B1 - 밀봉형 모듈 패키지 - Google Patents

밀봉형 모듈 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR950005458B1
KR950005458B1 KR1019910021678A KR910021678A KR950005458B1 KR 950005458 B1 KR950005458 B1 KR 950005458B1 KR 1019910021678 A KR1019910021678 A KR 1019910021678A KR 910021678 A KR910021678 A KR 910021678A KR 950005458 B1 KR950005458 B1 KR 950005458B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat sink
walls
connector block
sealed
attached
Prior art date
Application number
KR1019910021678A
Other languages
English (en)
Other versions
KR920010852A (ko
Inventor
디. 룬얀 마이클
Original Assignee
휴우즈 에어크라프트 캄파니
완다 케이. 덴슨-로우
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 휴우즈 에어크라프트 캄파니, 완다 케이. 덴슨-로우 filed Critical 휴우즈 에어크라프트 캄파니
Publication of KR920010852A publication Critical patent/KR920010852A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950005458B1 publication Critical patent/KR950005458B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/0026Casings, cabinets or drawers for electric apparatus provided with connectors and printed circuit boards [PCB], e.g. automotive electronic control units
    • H05K5/0043Casings, cabinets or drawers for electric apparatus provided with connectors and printed circuit boards [PCB], e.g. automotive electronic control units comprising a frame housing mating with two lids wherein the PCB is flat mounted on the frame housing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/50Fixed connections
    • H01R12/51Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/55Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals
    • H01R12/57Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals surface mounting terminals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/70Coupling devices
    • H01R12/7076Coupling devices for connection between PCB and component, e.g. display
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Casings For Electric Apparatus (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Connector Housings Or Holding Contact Members (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

밀봉형 모듈 패키지
제1도는 본 발명에 따른 모듈 패키지의 분해도.
제2도는 제1도의 선 2-2를 따라 절취한 부분 확대 단면도.
제3도는 제1도의 선 3-3을 따라 절취한 부분 확대 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 밀봉형 모듈 12 : 프레임
26 : 슬롯 28,30 : 립
32,34 : 리세스 36,38 : 커버
48,50 : 집적회로 칩 64 : 접속기
68 : 트레이스 82 : 개구
86 : 코바르 링 94 : 접속기 몸체
본 발명은 밀봉 환경에서 다수의 전자 칩을 밀봉, 보호 및 상호 접속시키기 위한 패키지에 관한 것이며, 각각의 측면 위에는 1개 또는 그 이상의 고밀도 상호접속 보드를 가지고 있는 2개의 측면으로 구성된 히트 싱크 패널을 포함하고 있고, 각각의 보드는 상기 패널에 직접 배선되며 패널 위에 장착되어 있는 다수의 집적 회로 칩을 이송한다. 이러한 구조는 E-사이즈의 표준 전자 모듈에 고밀도 패키징을 허용한 것이다.
종래의 디지털 전자 패키징에서, 각각의 집적회로 칩은 자체 밀봉형 패키지에서 밀봉되며, 그후, 납땜에 의해 인쇄 배선 보드에 장착된다. 1종류의 모듈은 알루미늄 히트 싱크의 양쪽 측면상에 결합되는 인쇄 배선 보드에 납땜되어 있는 대략 100개의 단일 칩 패키지를 이용한 것이다. 개별적으로 패키지된 인쇄회로 대신에, 현재의 패키징 방법은 하이브리드를 구성하는 단일 밀봉형 패키지 내부에 있는 상호 접속 기판 위에 대략 40개의 집적회로를 밀봉시키는 것이다. 4개의 이러한 큰 하이브리드는 그후 종래의 단일 칩 밀봉형 패키지와 같은 방법으로 인쇄 배선 모듈에 납땜된다. 상기 하이브리드 내부에 있는 상호 접속 기판은 인쇄 배선 보드 위에서 중심을 0.635㎝ 대신 0.010㎝로 하여 칩과 칩의 접속을 제공한다.
인쇄 배선 보드가 사용될 수도 있지만, 종래의 인쇄 배선 보드는 0.010㎝의 두께로 I/O 패드를 가지고 있는 실리콘 다이를 접속시키는데 필요한 밀도를 일반적으로 가지고 있지 않다. 양호한 방법은 "고밀도 다중칩 상호 접속"으로 언급된다. 실제로, 다른 방법이 사용될 수 있으며, 밀봉형 모듈의 잇점은 다른 상호접속 방법이 필요로 하는 가격 대 밀도를 최대로 하기 위해 같은 모듈 내에서 사용될 수 있다는 것이다.
큰 밀봉형 패키지 마이크로파 응용에서 사용될 수 있다. 이러한 패키지는 유리 관통부의 온도 계수를 정합시키는 코바르(Kovar)의 물질로 만들어진다. 이러한 코바르는 가격이 비싸고, 무게가 무거우며, 가공처리는 하기가 어렵고, 열 전달이 낮은 물질이다. 알루미늄은 코바르보다 더 좋은 물질이지만, 입력/출력 접속을 제공하기위해 세라믹 또는 유리 절연체가 사용될 때 온도 팽창계수가 커지게 되는 문제점이 있었다. 그러한 것은 마이크로파 응용에서 유용하게 사용될 수도 있지만, 디지털 전자 신호 시스템은 훨씬 더 많은 입력/출력 접속을 필요로 한다. E-사이즈의 표준 전자 모듈에서, 입력/출력 접속의 갯수는 개별적인 유리 비드의 사용을 허용하지 않는다. 필요로 하는 입력/출력 접속의 갯수는 이러한 패키지 사이즈에 적절하지 않다.
본 발명의 이해를 돕기 위해서, 본 발명은 가로 히트 싱크를 가지고 있는 알루미늄 프레임을 포함하고 있는 밀봉형 모듈 패키지에 관한 것으로 요약하여 언급할 수 있다. 벽은 밀봉형 패쇄 리드를 이송하고, 콤포넌트 포켓을 형성하는 양쪽 측면 상의 히트 싱크 위에 돌출되어 있다. 상기 프레임의 1개의 단부는 외부 접속을 허용하고 내부적으로는 상기 히트 싱크 위의 인쇄 배선 보드에 접속된 세라믹 관통부를 가지고 있다.
본 발명의 목적과 잇점은 E-사이즈의 표준 전자 모듈내에 전자 밀도를 더 크게 하기 위한 밀봉형 모듈 패키지에 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적과 잇점은 칩 패키징을 제거하고 가벼운 금속을 사용하여 패키지 내에 더 집적화된 회로 칩을 얻도록 해주는 밀봉형 모듈 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적과 잇점은 개별적인 집적 회로 칩의 밀봉형 패키징을 제거하고 열 전도성이 높은 금속을 이용함으로써 신뢰성이 높고 온도가 낮은 콤포넌트 접합을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적과 잇점은 상기 리드와 프레이에서 두꺼운 금속을 이용하여 향상된 견고함과 더 큰 핵, 생물, 화학, 및 전자기적 간섭을 보호해 주는 밀봉형 모듈 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적과 잇점은 땜납 또는 다른 크리프 가능한 물질을 사용하지 않고 알루미늄 패키지 벽을 통과하는 밀봉 관통부를 생성시킬수 있고, 고 밀도 및 고 신뢰성을 제공하는 패키지를 이용하는 것이다.
본 발명의 다른 목적과 잇점은 제어된 임피던스와 차폐된 도체를 이용하는 밀봉 관통부를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적과 잇점은 임피던스가 제어될 수 있는 모듈의 한 측면에서 다른 측면까지 땜납 없는 크로스오버를 이용하고 0.010㎝의 중심 위에 접속부를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적과 잇점은 온도팽창 게수의 부정합에 기인한 온도 편차를 보존하기 위해 크고 신뢰할 수 있는 알루미늄-코바르 확산 용접부에 응력이 집중되는 그러한 구조를 갖는 모듈 패키지로부터 관통부를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적과 잇점은 본 명세서, 특허 청구의 범위, 및 첨부된 도면을 참조함으로써 명확하게 이해될 것이다.
본 발명의 밀봉형 모듈은 제1도의 분해도에서 도면부호(10)으로 표시되었다. 패키지 구조(10)의 주요 부분은 프레인(12)이다. 제1도의 우측 하부에 있는 접속기 단부에서 보았을 때, 상기 프레임(12)는 좌벽(14)와 우벽(16)을 포함하고 있으며, 또한 후벽(18)을 가지고 있다. 히트 싱크(20)은 상기 좌벽(14)와 우벽(16)에 부착되고 그 사이에 놓여 있다. 히트 싱크(20)은 제2도와 제3도에 도시된 바와같이 상부면(22)와 하부면(24)를 가지고 있는 편행한 패널(20)이다. 히트 싱크(20)을 형성하는 중심 패널을 후벽(18)에 도달하기 전에 슬롯(26)으로 차단된다. 그래서, 기술된 상기 프레임의 구조는 히트 싱크가 열처리되어 좌벽과 우벽에 밀접하게 접속되고, 전자 구조물을 이송할 수 있게 하기 위해 프레임 내에서 지지 되도록 단일 알루미늄 시트로 가공처리될 수 있다. 외부에서, 상기 벽돌을 패키지(10)의 지지와 열 접속을 위해 립(28,30)을 이송시킬 수 있다.상기 벽돌은 제3도에 도시된 바와 같이 후벽(18) 내부에 양호하게 리세스(32,34)를 가지고 되어, 상부 및 하부 커버(36,38)이 상기 후벽에 삽입되고 밀봉될 수 있다. 상기 프레임과 커버는 프레임에 대한 커버의 밀봉 시일링이 편리하게 이뤄질 수 있는 알루미늄 물질로 구성된다. 히트 싱크와 커버를 가지고 있는 이러한 프레임 구조는 상부 및 하부 콤포넌트 포켓(40,42)를 한정한다. 이러한 포켓들은 슬롯(26)에 의해서 결합된다.
고밀도 상호접속 기판(44,46)은 히트 싱크(20)의 상부 및 하부 표면에 각각 장착된다. 이러한 고밀도 상호접속 기판은 상기상부 표면상에 회로 패드를 이송한다. 상기 기판은 밀봉 환경에서 사용되기 때문에, 금결합이 이용될 수 있다. 제2도에 도시된 바와 같이, 집적 회로 칩(48,50)은 상기 고밀도 상호접속 기판(44,46)에 각각 부착될 수 있으며, 금 배선 결합(52,54)에 의해 상기 고밀도 상호접속 기판위에 있는 패드에 접속된다. 이러한 접속이 밀봉 환경내에 있기 때문에, 부착은 땜납 대신 배선 결합된다. 이러한 것은 결합 리드 사이의 거리를 땜납 접속에 필요한 거리보다 5배 정도가 낮은 0.010㎝로 할수 있게 해준다. 좌측단부에서, 집적회로 칩(56,58)은 고밀도 상호접속 기판(44,46)에 장착되고, 배선 결합(60,62)에 의해 이러한 기판 위의 패드에 접속된다. 상기 상호접속 기판은 본 발명의 배경 기술 설명 하에서 지적된 바와 같이 기판을 혼합할 수 있는 기술로 1조각, 2조작 또는 그 이상의 조각으로 될 수 있다. 제1도에 도시된 바와 같이, 만약 다른 제조 과정이 더 편리하다면, 2개의 기판은 히트 싱크의 상부 좌측-우측 위치에서 사용될 수 있다. 유사하게, 히트 싱크의 하부 표면에 위에 2개의 그러한 보드가 또한 나란히 장착될 수 있다. 상기 2개의 고밀도 상호접속 기판 사이의 접속부는 인접한 에지에서 금 배선 결합에 의해 성취될 수 있다.
히트 싱크의 위와 아래에 있는 고밀도 상호접속 기판위의 트레이스 사이에서 접속부를 허용하기 위해 접속기(64)가 슬롯(26)에 제공된다. 상기 접속기(64)는 인쇄처리에 의해 상부에서 하부로 연장하는 병렬 트레이스가 형성되어 있는 U자형 유전체 몸체(66)을 가지고 있다. 상기 트레이스는 도면부호(68)로 표시된다. 상기 유전체 몸체는 탄력이 있는 것이 바람직 하지만, 상기 3개의 표면 주위로 연장하는 접속기와 함께 U자형 세라믹 채널로서 견고하게 될 수 있다. 상기 접속기 위에 있는 트레이스는 접속기(64)를 통하여 상부 및 하부의 고밀도 상호접속 기판 사이에 접지 접속을 제공하는 배선 결합(70,72)에 의해 회로망에 접속된다. 슬롯(26)은 길며, 배선 결합(70,72)는 0.010㎝ 정도 떨어져 있을 만큼 가깝게 결합되어 있어서 많은 상호접속이 가능하다.
그러므로, 고밀도 집적회로 칩 시스템은 E-사이즈의 전자 모듈로 통합될 수 있으며, 적절한 열 제거용 설비와 함께 완료된다. 적절한 밀봉형 관통 어셈블리는 패키지를 유용하게 만드는 데 필요하다. 그러한 어셈블리는 일반적으로 제1도에서 도면부호(74)로 표시되며, 제2도에 더 상세히 도시되어 있다. 정면 격벽(76)은 다른 밀폐된 패키지의 노출된 측면을 차단시킨다. 상기 격벽(76)은 제2도에 도시된 바와 같이 우측면 상에서 알루미늄층과 좌측면 상에 코바르층을 가지고 있는 이중 금속 구조로 되어 있다. 상기 코바르층은 알루미늄층 보다 더 가늘다. 리세스(78,80)은 각각의 커버(36,38)을 수용하는 상기 격벽의 주변에서 형이 만들어 진다. 유사한 리세트는 상기 벽(14,16)의 단부를 수용하도록 형이 만들어 진다. 이러한 리세스는 상기 벽과 커버의 부착이 알루미늄-알루미늄 접합부로서 성취될 수 있도록 상기 코바르층을 통하여 절단하는 것이 충분할 정도로 깊다.
정면 격벽을 통하여 전기 접속의 패키지를 허용하기 위해, 상기 격벽은 개구 (82)를 가지고 있다. 접속기 블럭(84)는 상기 개구내에 놓여 있으며, 이러한 블럭은 상기 층 사이에서 좌측으로 우측으로 이동하는 도체 패드를 가진 다층의 세라믹 구조로 되어 있다. 접속기 블럭의 외부 표면은 블럭의 중심을 통하여 좌측에서 우측으로 이동하는 도체를 가지고 있지 않지만, 이러한 도체는 중간층을 통하여 좌측에서 우측으로 연장한다. 코바르 링(86)은 접속기 블럭 주위에서 연장되고 접속기 블럭에 경납땜 된다. 코바르 층 우측에 위치에 있는 외부 표면 위에는 도체가 없기 때문에, 회로를 단락시키지 않는다. 접속기 블럭의 상부 및 하부 표면은 내부 도체에 접속된 외부 접속기 패드를 코바르 링의 좌측과 우측에 이동시킨다.
상기 패드는 좌측 단부 위에서 함께 차단되고 배선 결합(88,90)과 같은 배선 결합 처리에 의해 접속될 수 있으며, 유사한 방법으로 배선 결합(52,54)도 상기 좌측 단부에 접속 될 수 있다. 금 배선 볼 결합은 1개의 유용한 부착 방법이다. 우측 단부는 밀봉 공간의 외부에 있기 때문에, 땜납 패드는 접속기 블럭의 상부 및 하부 표면에 배치될 수 있다. 개구(82)를 차단하기 위해서, 코바르 가요성 봉합부(92)가 제공된다. 상기 코바르 가요성 봉합부(92)는 접속기 블럭(84)가 통과하는 슬롯을 가지고 있는 얇고 편평한 평판이다. 코바르 링(86)은 상기 평판과 같이 가공처리 되거나 또는 상기 평판에 경납땜될 수 있다. 가요성 봉합부(92)의 슬롯 주변은 상기 코바르링(86)의 도움을 얻어 상기 접속기 블럭(84)에 구리-은으로 경납땜된다. 가요성 봉합부(92)의 외부 에지는 상기 격벽(76) 상의 코바르층에 용접된 병렬 갭 봉합부(도시되지 않음)이다. 이러한 방법에서 코바르-코바르 봉합은 상기 가요성 봉합부의 양쪽 단부에서 성취된다. 상기 격벽(76)에 있는 코바르-알루미늄 인터페이스는 확산 용접된다. 상기 구성은 코바르-알루미늄 용접을 커다란 인터페이스 지역이다.
코바르층과 알루미늄층의 두께는 최적 응력 분배를 성취하도록 선택된다. 그러한 설계는 온도 팽창계수의 차에 기인한 모든 응력이 이러한 커다란 확산 지역에 용접되어 인터페이스 되도록 양호하게 구성된다. 상기 커버(36,38)은 상기 벽들과 격벽에 알루미늄 커버의 레이저 용접이 신뢰할 수 있는 봉합을 제공하기 위해 알루미늄으로 구성된다. 이러한 방법에서, 밀봉되어 봉합된 콤포넌트 포켓은 많은 입력/출력 접속부와 함께 성취된다. 종래의 밀봉형 고정부와 진공 튜브는 상기 모듈에 부착된다. 상기 튜브는 밀봉 봉합이 완료된 후 봉합된다.
제1도에 도시된 바와 같이, 제1도에는 블럭(84)로 표시된 2개의 접속기 블럭이 있으며, 멀리 떨어져 있는 블럭도 동일한 블럭이다. 그러한 2개의 블럭은 많은 입력/출력 접속이 요구되는 곳에 필요하다. 적절한 장소에 단지 그러한 1개의 블럭만이 사용될 수 있다.
접속기 몸체(94)는 벤딕스(Bendix) 접속기와 같은 표준 접속기의 몸체이다. 이러한 표준 벤딕스 접속기는 한 예로서 사용될 수 있으며, 다른 편리한 수단이 밀봉형 모듈 패키지에 부착시키기 위해 사용될 수 있다. 그러므로, 상기 접속기 몸체(94)는 표준형 또는 특별한 접속기 형태가 될 수 있다. 한개의 암(female) 접속기가 도시되어 있다. 하우징(96)은 정면 격벽 위에 있는 3개의 탭과 플라스틱 접속기 몸체(4) 주위에서 2등분된 상부 및 하부 하우징을 고정시키기 위해 사용된 홀을 가지고 있다. 접속기 몸체는 2개의 리드(98,100)과 같은 다수의 리드를 가지고 있다. 접속기 몸체(94)에는 각각의 접속점에 대응하는 리드가 있다. 플라스틱 접속기 몸체에서 연장되는 상기 리드는 2등분된 상부와 하부 하우징을 조립하기 전에 상기 패드에 납땜된다. 접속기 몸체로 부터 상기 리드는 접속기 블럭(84)의 우측 단부 위에 있는 땜납 패드를 통하여 회로망에 부착된다. 접속기 블럭의 더 큰 지역의 땜납 패드를 사용하기 위해 봉합 링(86)의 외부에 노출되어 있으며, 그러한 지역은 금 배선 결합 패드보다 더 크다. 그러므로, 상기 접속기 블럭(84)는 경제적이고 신뢰할 수 있으며 고밀도의 밀봉 입력/출력 접속 블럭을 모듈의 내부에 금 배선 결합시키고 모듈의 외부에는 땜납 접속된 리드를 위해 적절한 지역을 가지고 있는 모듈에 제공한다.
접속을 완료하자마자, 상기 커버는 밀봉형 봉합 형태로 레이저 용접된다. 내용물은 모두 추출기, 모듈 클램프, 및 열 접속을 위해 외벽 위에서 가공처리 된다. 코바르 세라믹 조인트는 코바르가 세라믹 접속기 블럭을 차단할 정도로 충분한 높은 용접과 온도 팽창계수를 가지고 있기 때문에 신뢰할 수 있을 정도로 경납땜 될 수 있다. 2개의 코바르-코바르 봉합부는 종래의 병렬 갭 봉합 용접을 사용하여 함께 용접된다. 이러한 봉합 용접은 온도를 부분적으로 상승시키지 않으므로, 비교적 응력이 없는 어셈블리를 형성시킬 수 있게 된다. 외부 코바르 표면의 니켈 도금은 부식을 방지하기 위해 필요하다. 상기 접속기 블럭(84)는 내부에 샌드위치된 전력층, 접지층, 및 신호층을 가지고 있다. 세라믹 블럭은 코바르 링의 부착을 위해 상기 링(86)주위에서 금속처리 된다. 상기 코바르 가요성 봉합부(92)는 응력을 제거하기 위해 다른 방법으로 구성될 수 있다. 돔형 또는 중첩된 시트는 가요성 봉합용으로 이용될 수 있지만, 예시된 형태의 간단한 봉합으로 충분하다. 이러한 방법에서, 완전한 E-사이즈의 표분 전자 모듈은 밀봉하여 봉합된다. 그러한 봉합은 저자 모듈을 커다른 이용 가능한 기판 지역 위에서 종래의 고밀도 하이브리드 어셈블리를 사용하여 패키지 처리되게 할수 있어서, 훨씬 더 높은 전자 밀도가 성취된다.
본 발명은 현재 의도하는 최상의 실시예를 가지고 설명하여 왔으며, 본 기술 분야에 숙련된 기술자들은 본 발명을 여러가지 변경, 모드, 및 실시할 수 있음을 명확히 알게 될 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 다음의 특허청구의 범위에 의해 한정될 것이다.

Claims (22)

  1. 히트 싱크 패널, 상기 히트 싱크 패널에 부착된 후벽, 우벽, 및 좌벽, 상기 좌벽과 우벽에 부착된 정면 격벽, 상기 히트 싱크 패널과 콤포넌트 포켓 밑에서 모듈을 밀폐시키기 위한 밀폐 수단, 상기 벽들과 상기 정면 격벽을 밀봉시키고 상기 히트 싱크 패널 위에 있는 상기 콤포넌트 포켓을 밀폐시키기 위한 커버, 상기 정면 격벽에 있는 개구, 상기 개구에 있는 세라믹 접속기 블럭, 패키지의 내부와 외부 사이에서 접속을 위해 상기 접속기 블럭에 있는 도체, 및 밀봉형 모듈 패키지가 성취하도록 상기 정면 격벽을 통하여 상기 개구를 밀폐시키는 상기 정면 격벽과 상기 접속기 블럭에 부착된 코바르 가요성 봉합부를 포함하고, 상기 벽들과 상기 정면 격벽이 상기 벽들 사이와 상기 히트 싱크 패널 위에서 콤포넌트 포켓을 한정하는 상기 히트 싱크 패널 위로 연장되는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정면 격벽이 알루미늄층에 결합된 코바르 확산층의 구조로 된 다층이고, 상기 코바르 봉합부가 상기 정면 격벽의 상기 코바르층에 용접되는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈.
  3. 제2항에 있어서, 코바르 링이 상기 세라믹 접속기 블럭에 경납땜 되고, 상기 코바르 가요성 봉합부가 상기 코바르 링에 경납땜 되는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈.
  4. 제3항에 있어서, 상기 코바르 가요성 봉합부가 봉합 용접에 의해 상기 코바르 링에 부착되고, 경납땜에 의해 상기 코바르층에 부착되는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈.
  5. 제4항에 있어서, 상기 벽들과 상기 히크 싱크 패널이 일체로되고, 상기 벽들과 상기 커버가 알루미늄이며, 용접에 의해 밀봉하여 봉합되도록 상기 콤포넌트 포켓에 부착되는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈.
  6. 제5항에 있어서, 상기 접속기 블럭에 부착된 접속기를 포함하는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈.
  7. 히트 싱크 패널, 상기 히트 싱크 패널과 함께 일체로 형성된 후벽, 좌벽, 및 우벽, 정면 격벽, 도전체를 가지고 있는 세라믹 접속기 블럭, 상기 접속기 블럭의 외부의 한 부분 위에 있는 금속층, 및 상기 콤포넌트 포켓의 밀봉형 밀폐부를 달성하는 상기 정면격벽을 통하여 개구를 밀폐시키기 위해 상기 세라믹 접속기 블럭상의 상기 금속층과 상기 정면 격벽 상의 상기 코바르층에 부착된 코바르 가요성 봉합부를 포함하고, 상기 벽들이 상기 하부 및 상부 콤포넌트 포켓을 밀폐시키기 위해 상기 벽들에 봉합된 상부와 하부 커버, 및 상부와 하부 콤포넌트 포켓을 한정하도록 상기 히트 싱크 패널의 위와 아래로 연장되고, 상기 정면 격벽이 코바르와 알루미늄층으로 적층되고, 개구를 가지고 있으며, 상기 좌벽과 우벽, 및 상기 상부와 하부 커버에 부착되고, 상기 접속기 블럭이 상기 금속층으로 부터 외부의 상기 패키지에서 내부의 상기 패키지로 연장되는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈.
  8. 제7항에 있어서, 상기 코바르 가요성 봉합부가 용접에 의해 상기 세라믹 위의 상기 금속층에 부착되고, 경납땜에 의해 상기 격벽의 상기 코바르층에 부착되는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈.
  9. 제7항에 있어서, 상기 벽들과 상기 커버들이 알루미늄으로 만들어지고, 상기 알루미늄 커버들이 용접에 의해 상기 격벽과 상기 알루미늄벽들에 부착되는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈.
  10. 제7항에 있어서, 상기 모듈에 전자 접속을 허용시켜 주는 상기 접속기 블럭에 접속되고 상기 모듈에 의해 지지된 접속기 몸체를 갖는 것을 특징으로 하는 모듈.
  11. 제7항에 있어서, 상기 히트 싱크 패널과 전자 장치를 통하여 상기 상부 및 하부 콤포넌트 포켓 내에 있는 개구, 및 상기 개구를 통해 상기 콤포넌트 포켓들 사이에서 전자 접속을 제공하는 접속기를 포함하는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈.
  12. 제11항에 있어서, U자형 유전체 접속 몸체가 상기 개구를 통하여 상기 히트 싱크 패널에 결합되고, 상기 상부 콤포넌트 포켓에서 상기 하부 콤포넌트 포켓으로 연장하는 전기 도체를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈.
  13. 제12항에 있어서, 상기 히트 싱크 패널의 상부 면에서는 인쇄 배선과 하이브리드 회로망을 가지고 있는 상부 유전체를 이송하고, 상기 히트 싱크 패널의 하부 면에서는 인쇄 버전과 하이브리드 회로망을 가지고 있는 하부 유전체를 이송하며, 상기 상부 유전체 위에 있는 인쇄 배선이 상기 접속부 몸체 위에 있는 트레이스에 접속되고, 상기 접속 몸체 위에 있는 상기 도체가 상기 인쇄 배선을 상호 접속시키기 위해 상기 하부 유전체 위에 있는 인쇄 배선에 접속되는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈.
  14. 제13항에 있어서, 상기 U자형 유전체가 가요성을 가지는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈.
  15. 제12항에 있어서, 상기 접속 몸체가 배선 결합에 의해 상부 및 하부 콤포넌트 포켓과 상기 전자 장치에 접속되는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈.
  16. 좌벽, 우벽, 및 우벽을 가지고 있는 프레임, 히트 싱크 패널 밑에 있는 콤포넌트 포켓과 위에 있는 콤포넌트 포켓을 한정하기 위해 상기 벽들의 에지 중간에 배치되고, 상기 벽들과 일체로 형성된 히트 싱크, 상기 좌벽과 우벽에 고착된 정면 격벽, 상기 상부 콤포넌트 포켓을 덮고 밀폐시키기 위해 상기 정면 격벽과 상기 벽들에 고착되고 봉합되는 상부 알루미늄 커버, 상기 하부 콤포넌트 포켓을 밀폐시키고 봉합시키기 위해 상기 정면 격벽과 상기 벽들에 고착되고 봉합되는 하부 알루미늄 커버, 상부면과 외면을 가지고 있는 세라믹 접속기 블럭, 상기 외면 주위로 연장하는 상기 세라믹 접속기 블럭 위에 있는 코바르 접속기 봉합 링, 상기 격벽 내에 있는 개구, 상기 격벽을 통하여 상기 개구를 밀폐시키기 위해서 상기 격벽 위에 있는 상기 코바르층과 상기 세라믹 접속기 블럭 위에 있는 상기 코바르 접속기 링에 부착되고 봉합되는 가요성 코바르 봉합부, 및 상기 패키지의 내부와 외부 사이에서 전기 접속을 제공하기 위해 상기 링의 외부와 내부에 있는 패드에 전기 접속시키도록 상기 세라믹 블럭과 패드를 통하여 상기 세라믹 블럭의 상기 표면 위에 있는 도체를 포함하고, 상기 히트 싱크와 상기 벽들이 알루미늄으로 만들어지며, 상기 정면 격벽이 코바르층과 알루미늄층으로 적층되고, 상기 벽들 사이에서 상기 콤포넌트 포켓을 밀폐시키기 위해 상기 벽들에 부착되며, 상기 접속기 블럭이 상기 개구를 통하여 연장되는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈 패키지.
  17. 제16항에 있어서, 상기 세라믹 접속기 블럭이 중간층에서 인쇄 배선을 가지고 있는 다층 접속기 블럭이고, 상기 코바르 봉합 링이 부착되어 있는 주변 유전체로 되는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈 패키지.
  18. 제17항에 있어서, 상기 접속기 블럭 위에 상기 패키지 내부의 상기 패드가 배선 결합용 금 패드이고, 상기 봉합 링의 외부에 있는 상기 접속기 블럭 위의 상기 패드가 땜납 패드인 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈 패키지.
  19. 제16항에 있어서, 상기 각각의 히트 싱크 패널의 상부 및 하부 표면 위에는 인쇄 배선을 이송하는 유전체 층이 있고, 상기 인쇄 배선이 접속되고 상기 유전체 층에 고착된 반도체 칩이 있는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈 패키지.
  20. 제18항에 있어서, 상기 벽들 중간에 있는 상기 히트 싱크 패널을 통과하는 개구가 있고, 상기 개구 내에 접속 몸체가 있으며, 상기 각각의 유전체 층 위에 있는 상기 인쇄 배선이 함께 접속되게 하기 위해 상기 접속 몸체 위에 있는 도체에 접속되는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈 패키지.
  21. 제19항에 있어서, 상기 접속 몸체가 U자형이고, 상기 히트 싱크 패널을 통과하는 상기 개구에서 상기 히트 싱크 패널의 에지 위에 결합되는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈 패키지.
  22. 제21항에 있어서, 상기 접속 몸체가 배선 결합에 의해 상기 상부 및 하부 콤포넌트 포켓과 상기 전자 장치에 접속되는 것을 특징으로 하는 밀봉형 모듈 패키지.
KR1019910021678A 1990-11-30 1991-11-29 밀봉형 모듈 패키지 KR950005458B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/621,182 US5250845A (en) 1990-11-30 1990-11-30 Totally enclosed hermetic electronic module
US621,182 1990-11-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920010852A KR920010852A (ko) 1992-06-27
KR950005458B1 true KR950005458B1 (ko) 1995-05-24

Family

ID=24489082

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910021678A KR950005458B1 (ko) 1990-11-30 1991-11-29 밀봉형 모듈 패키지

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5250845A (ko)
EP (1) EP0488193B1 (ko)
JP (1) JPH0652770B2 (ko)
KR (1) KR950005458B1 (ko)
AU (1) AU634678B2 (ko)
CA (1) CA2054369A1 (ko)
DE (1) DE69112179D1 (ko)
IL (1) IL99890A (ko)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6613978B2 (en) * 1993-06-18 2003-09-02 Maxwell Technologies, Inc. Radiation shielding of three dimensional multi-chip modules
US5880403A (en) * 1994-04-01 1999-03-09 Space Electronics, Inc. Radiation shielding of three dimensional multi-chip modules
JP2625368B2 (ja) * 1993-12-16 1997-07-02 日本電気株式会社 半導体基板
US6455864B1 (en) 1994-04-01 2002-09-24 Maxwell Electronic Components Group, Inc. Methods and compositions for ionizing radiation shielding
US6261508B1 (en) 1994-04-01 2001-07-17 Maxwell Electronic Components Group, Inc. Method for making a shielding composition
US6720493B1 (en) 1994-04-01 2004-04-13 Space Electronics, Inc. Radiation shielding of integrated circuits and multi-chip modules in ceramic and metal packages
DE4426465A1 (de) * 1994-07-26 1996-02-01 Siemens Ag Verbindungsteil zwischen elektrischen Anschlüssen im Inneren eines Gehäuses und aus dem Gehäuse herausragenden Anschlüssen
US5615475A (en) * 1995-01-30 1997-04-01 Staktek Corporation Method of manufacturing an integrated package having a pair of die on a common lead frame
US5817984A (en) * 1995-07-28 1998-10-06 Medtronic Inc Implantable medical device wtih multi-pin feedthrough
US5866263A (en) * 1996-04-26 1999-02-02 Semi-Alloys Company Adsorbent lid construction
US6094350A (en) * 1998-05-21 2000-07-25 Aml Communications, Inc. Feedforward amplifier manufacturing module
US6716554B2 (en) * 1999-04-08 2004-04-06 Quallion Llc Battery case, cover, and feedthrough
US6554178B1 (en) 1999-04-08 2003-04-29 Quallion Llc Battery case feedthrough
US6410161B1 (en) * 1999-04-15 2002-06-25 Fuelcell Energy, Inc. Metal-ceramic joint assembly
US6368899B1 (en) 2000-03-08 2002-04-09 Maxwell Electronic Components Group, Inc. Electronic device packaging
WO2001075972A1 (fr) * 2000-03-31 2001-10-11 Hitachi, Ltd. Dispositif a semi-conducteur et son procede de fabrication
WO2001075971A1 (fr) * 2000-03-31 2001-10-11 Hitachi, Ltd. Dispositif a semi-conducteur et procede de fabrication associe
US6747879B2 (en) * 2001-02-28 2004-06-08 Andrew Corporation High power amplifier and chassis
US6760230B2 (en) 2001-02-28 2004-07-06 Andrew Corporation Compact, high efficiency, high isolation power amplifier
US6501661B1 (en) 2001-12-21 2002-12-31 Motorola, Inc. Electronic control unit
US7382043B2 (en) * 2002-09-25 2008-06-03 Maxwell Technologies, Inc. Method and apparatus for shielding an integrated circuit from radiation
US6875631B2 (en) * 2002-09-27 2005-04-05 Renesas Technology Corp. Semiconductor device and a method of manufacturing the same
US7191516B2 (en) * 2003-07-16 2007-03-20 Maxwell Technologies, Inc. Method for shielding integrated circuit devices
US20050058872A1 (en) * 2003-09-12 2005-03-17 Blanchet Scott C. Connection assembly for promoting electrical isolation
TWM242773U (en) * 2003-10-07 2004-09-01 Molex Inc Electronic card structure having heat sink device
DE102005026205B3 (de) * 2005-06-07 2006-10-05 Siemens Ag Gerät und Verfahren zum Herstellen eines Geräts
US9643021B2 (en) 2013-01-08 2017-05-09 Advanced Bionics Ag Electrical feedthrough assembly
EP2569051B1 (en) * 2010-05-12 2014-10-08 Advanced Bionics AG Electrical feedthrough assembly
CN108382583B (zh) 2010-06-29 2022-10-04 航空环境公司 具有密封的模组化隔间和流体排出埠的无人飞行载具
CN103824816B (zh) * 2014-02-24 2016-08-24 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 一种耐过载的t/r组件一体化气密性封装结构
CN109511278B (zh) * 2017-07-14 2022-06-17 新电元工业株式会社 电子模块

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3777220A (en) * 1972-06-30 1973-12-04 Ibm Circuit panel and method of construction
US4009752A (en) * 1975-02-24 1977-03-01 Honeywell Information Systems Inc. Warp-resistant heat sink
US4372037A (en) * 1975-03-03 1983-02-08 Hughes Aircraft Company Large area hybrid microcircuit assembly
FR2469088A1 (fr) * 1979-10-31 1981-05-08 Thomson Csf Boitier hermetique pour dispositif electronique ou electro-optique, et dispositif utilisant un tel boitier
US4349635A (en) * 1981-10-26 1982-09-14 Motorola, Inc. Lower temperature glass and hermetic seal means and method
DE8306171U1 (de) * 1983-03-04 1984-08-09 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Elektrisches Schaltgerät im Motorraum eines Kraftfahrzeugs
US4577056A (en) * 1984-04-09 1986-03-18 Olin Corporation Hermetically sealed metal package
FR2618629B1 (fr) * 1987-07-23 1993-04-23 Telecommunications Sa Boitier hermetique pour circuit electronique hybride
US4811165A (en) * 1987-12-07 1989-03-07 Motorola, Inc. Assembly for circuit modules
JP2612339B2 (ja) * 1989-04-18 1997-05-21 三菱電機株式会社 電子機器筐体
US4963414A (en) * 1989-06-12 1990-10-16 General Electric Company Low thermal expansion, heat sinking substrate for electronic surface mount applications

Also Published As

Publication number Publication date
DE69112179D1 (de) 1995-09-21
EP0488193A1 (en) 1992-06-03
IL99890A (en) 1994-05-30
CA2054369A1 (en) 1992-05-31
US5250845A (en) 1993-10-05
KR920010852A (ko) 1992-06-27
JPH04299853A (ja) 1992-10-23
AU634678B2 (en) 1993-02-25
AU8820591A (en) 1992-06-11
EP0488193B1 (en) 1995-08-16
JPH0652770B2 (ja) 1994-07-06
IL99890A0 (en) 1992-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950005458B1 (ko) 밀봉형 모듈 패키지
US6320257B1 (en) Chip packaging technique
US5016138A (en) Three dimensional integrated circuit package
US4868712A (en) Three dimensional integrated circuit package
US5223741A (en) Package for an integrated circuit structure
US4103318A (en) Electronic multichip module
US4038488A (en) Multilayer ceramic multi-chip, dual in-line packaging assembly
US5327325A (en) Three-dimensional integrated circuit package
JPH05145007A (ja) 回路構成要素用の相互連結パツケージ
JPH03502986A (ja) マイクロ波およびミリメータ波砒化ガリウム集積回路用の低温度共焼成セラミックパッケージ
US6061243A (en) Modular and multifunctional structure
JPH03153063A (ja) カプセル封止した半導体パツケージ
JPH0824150B2 (ja) パッケージ
JPH04233264A (ja) コンパクト型高密度接続構造
CA2144088A1 (en) Hermetically sealed circuit modules having conductive cap anchors
GB2280790A (en) Demountable hybrid assemblies with microwave-bandwidth interconnects
US6078101A (en) High-power microwave-frequency hybrid integrated circuit
US6184579B1 (en) Double-sided electronic device
US4731700A (en) Semiconductor connection and crossover apparatus
GB2124433A (en) Electronic component assembly
KR100618759B1 (ko) 하이브리드 모듈
JPH0677361A (ja) マルチチップモジュール
EP1355353B1 (en) Compact circuit carrier package
GB2380613A (en) Package for electronic components and method for forming such a package
US5243145A (en) Package structure for multichip modules

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee