KR950004661A

KR950004661A - Laser diode

Info

Publication number: KR950004661A
Application number: KR1019930014997A
Authority: KR
Inventors: 이상호
Original assignee: 김광호; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1993-07-31
Filing date: 1993-07-31
Publication date: 1995-02-18

Abstract

본 발명은 이저 다이오드에 관한 것으로서, 특히 전류 제한 특성이 향상되고 본딩 압력에 효과적으로 대응할 수 있도록 구조 개선된 레이저 다이오드에 관한 것이다. 본 발명 레이저 다이오드는 n-금속 전극층이 형성된 기판과, 기판에 상면에 순차형성되는 n+ 버퍼층, n- 크래딩 레이어, 레이저 발진층과, 그 중앙에 돌출된 리지가 마련된 p-크래딩 레이어와, 상기 리지의 상면에 형성되는 p+ 캡 레이어와, 상기 p+ 캡 레이어의 위에 형성되는 p+ 콘택트 레이어와, 상기 캡 레이어를 제외한 부위를 포함하여 상기 리지부분의 보호를 위한 도핑되지 않은 GaAs층과, 상기 단층의 최상위에 형성되는 p-금속 전극을 갖추며, 상기 p-크래딩 레이어의 리지와 리지 상부에 마련된 캡 레이어 및 콘택트 레이어에 p++ 도핑이 되어 있다. 이로써, 리지 부분이 물리적 강도가 강화되기 때문에 본딩 작업시 특성 열화등과 같은 문제가 발생되지 않으며, 그리고 리지 부분이 p++ 도핑이 되어 있으므로 우수한 전류 제한 효과를 거둘 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a laser diode, and more particularly, to a laser diode whose structure is improved so that current limiting characteristics can be improved and effectively respond to bonding pressure. The laser diode of the present invention comprises: a substrate on which an n-metal electrode layer is formed, an n + buffer layer, an n-cladding layer, a laser oscillation layer, and a p-cladding layer provided with a ridge protruding at the center thereof; A p + cap layer formed on the upper surface of the ridge, a p + contact layer formed on the p + cap layer, an undoped GaAs layer for protecting the ridge portion, including portions other than the cap layer, and the monolayer It has a p-metal electrode formed at the top of the p-doping, and the cap layer and the contact layer provided on the ridge and the ridge of the p- cladding layer is p ++ doped. As a result, problems such as deterioration of characteristics during the bonding operation are not generated because the ridge portion has enhanced physical strength, and since the ridge portion is p ++ doped, excellent current limiting effect can be obtained.

Description

Laser diode

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.

제 2 도는 본 발명 레이저 다이오드의 개략적 단면도.2 is a schematic cross-sectional view of the laser diode of the present invention.

Claims

a substrate having an n-metal electrode layer formed thereon, an n + buffer layer sequentially formed on the upper surface of the substrate, an n-cladding layer, a laser oscillation layer, a p-cladding layer provided with a ridge protruding from the center thereof, and an upper surface of the ridge. p + cap layer and the p ⁺ p ⁺ contact layer, and the undoped GaAs layer for protecting the ridge, including a portion other than the cap layer, and p- metal electrode formed on a cap layer which is formed is The laser diode of claim 1, wherein p ⁺ impurities are doped in the cap layer and the large contact layer provided at the position and the position of the p-cladding layer.

2. The undoped GaAs layer of claim 1, wherein the undoped GaAs layer comprises a first insulating layer having a height proximate the top tact layer and burying the ridge, the cap layer and the large tact layer on top of the ridge. Laser diode.

The laser diode of claim 2, wherein the height of the undoped GaAs layer is in the range of 2 to 2.5 [mu] m.

※ Note: The disclosure is based on the initial application.