Claims (4)
일부가 광폭으로 된 원하는 폭을 가지는 스트라이프형 메사 돌기가 형성된 반도체 기체상에, 적어도 제1도전형의 클래드층 구성하는 제1의 반도체층과, 활성층을 구성하는 제2의 반도체층과, 제2도전형의 클래드층을 구성하는 제3의 반도체층과, 광 흡수층을 구성하는 제4의 반도체층이 차례로 에피택셜 성장된 에피택셜 성장층을 가지며, 그 에피택셜 성장층에는 상기 스트라이프형 메사 돌기의 손길이 방향을 따른 양측에 대응해서 단층부가 형성되며, 그 단층부에 의해서 상기 메사 돌기로의 에피택셜 성장부에 있어서의 상기 제2의 반도체층이 타와 분리 되어서 스트라이프형의 활성층이 획성됨과 더블어 상기 제4의 반도체층이 분단되어서 상기 메사 돌기의 소요의 폭을 가지는 부분에서의 에피택셜 성장부에 있어서, 상기 제4의 반도체층이 결제되도록 되어지며, 상기 메사 돌기의 광폭부로의 에피택셜 성장부에선 상기 활성층상에 상기 제4의 반도체층에 의한 광 흡수층이 대향 배치되어 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.A first semiconductor layer constituting a clad layer of at least a first conductive type, a second semiconductor layer constituting an active layer, and a second, on a semiconductor substrate on which a stripe mesa protrusion having a desired width, part of which is wide, is formed; The third semiconductor layer constituting the conductive clad layer and the fourth semiconductor layer constituting the light absorbing layer each have an epitaxial growth layer epitaxially grown, and the epitaxial growth layer includes the stripe mesa protrusion. A single layer portion is formed corresponding to both sides along the direction of the hand, and the second semiconductor layer in the epitaxial growth portion of the mesa protrusion is separated from the other by the single layer portion, thereby forming a stripe-type active layer and doubled. In the epitaxial growth portion at the portion where the fourth semiconductor layer is divided to have the required width of the mesa protrusion, the fourth semiconductor layer is settled. Becomes the rock, In epitaxially grown portion of the wide portion of the mesa projection semiconductor laser, characterized in that forming is arranged in the light absorption by the semiconductor layer of the fourth opposite the active layer.
일부가 광폭으로 된 소요의 폭을 가지는 스트라이프형 메사 돌기가 형성된 반도체 기판상에, 적어도 제1도전형의 클래드층을 구성하는 제1의 반도체층과 활성층을 구성하는 제2의 반도체층과, 제2도전형의 클래드층을 구성하는 제3의 반도체층과, 제1도전형의 전류 블록층을 구성하는 제4의 반도체층이 차례로 에피택셜 성장된 에피택셜 성장층을 가지며, 그 에피택셜 성장층에는 상기 스트라이프형 메사 돌기의 손길이 방향을 따르는 양측에 대응해서 단층부가 형성되며, 그 단층부에 의해서 상기 메사 돌기로의 에피택셜 성장부에 있어서의 상기 제2의 반도체층이 타와 분리 되어서 스트립형의 활성층이 획성됨과 더불어 상기 메사 돌기의 상기 소요의 폭을 갖는 부분상에서 상기 제4의 반도체층이 분단되어서 상기 메사 돌기의 상기 소요의 폭을 갖는 부분에서의 에피택셜 성장부에 있어서 상기 활성층상에 상기 제4의 반도체층이 결제되도록 이뤄지며, 상기 메사 돌기의 협폭으로의 에피택셜 성장부상을 가로질러서 상기 활성층상에 상기 제4의 반도체층에 의한 전류 블록층이 적층되어 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.A second semiconductor layer constituting at least a first semiconductor layer constituting a clad layer of a first conductivity type and an active layer, on a semiconductor substrate on which a stripe mesa protrusion having a desired width of a portion is wide; The third semiconductor layer constituting the two-conductive cladding layer and the fourth semiconductor layer constituting the first conductive type current block layer each have an epitaxial growth layer epitaxially grown, and the epitaxial growth layer Single layer portions are formed in both sides of the stripe mesa protrusion along the direction of the hand, and the second semiconductor layer in the epitaxial growth portion of the mesa protrusion is separated from the other strip by the single layer portion. Type active layer is formed and the fourth semiconductor layer is divided on the portion having the required width of the mesa protrusion so as to have the required width of the mesa protrusion. The fourth semiconductor layer is settled on the active layer in the epitaxial growth portion in minutes, and the fourth semiconductor layer is formed on the active layer across the epitaxial growth portion of the mesa protrusion. A semiconductor laser comprising a stack of current block layers.
일부가 광폭으로 된 소요의 폭을 가지는 스트라이프형 메사 돌기가 형성된 반도체 기판상에, 적어도 제1도전형의 클래드층을 구성하는 제1의 반도체층과, 활성층을 구성하는 제2의 반도체층과, 제2도전형인 클래드층을 구성하는 제3의 반도체층과, 제1도전형의 전류 블록층을 구성하는 제4의 반도체층이 차례로 에피택셜 성장층을 가지며, 그 에피택셜 성장층에는 상기 스트라이프형 메사 돌기의 손길이 방향을 따르는 양측에 대응해서 단층부가 형성되며, 그 단층부에 의해서 상기 메사 돌기로의 에피택셜 성장부에 있어서의 상기 제2의 반도체층이 타와 분리 되어서 스트라이프형의 활성층이 획성됨과 더불어 상기 제4의 반도체층이 분단되어서 상기 메사 돌기상의 활성층의 양측 단면 또는 그 근처에 상기 제4의 반도체층의 단부가 면하도록 이뤄지며, 상기 메사 돌기의 소요의 폭을 가지는 부분으로의 에피택셜 성장부에선 상기 제4의 반도체층이 결제되게 이뤄지며, 상기 메사 돌기의 광폭부로의 에피택셜 성장부에 있어서 한정적으로 그 활성층상에 상기 제3의 반도체층을 거쳐서 상기 제4의 반도체층이 형성되어 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.A first semiconductor layer constituting a clad layer of at least a first conductivity type, a second semiconductor layer constituting an active layer, on a semiconductor substrate on which a stripe mesa protrusion having a desired width partly wide is formed; The third semiconductor layer constituting the clad layer of the second conductivity type and the fourth semiconductor layer constituting the current block layer of the first conductivity type each have an epitaxial growth layer, and the epitaxial growth layer has the stripe type. A single layer portion is formed corresponding to both sides along the direction of the mesa protrusion, and the second semiconductor layer in the epitaxial growth portion of the mesa protrusion is separated from the other to form a stripe-type active layer. In addition to being formed, the fourth semiconductor layer is divided such that end portions of the fourth semiconductor layer face at or near both end surfaces of the active layer on the mesa protrusion. The fourth semiconductor layer is settled in the epitaxial growth portion to the portion having the required width of the mesa protrusion, and in the epitaxial growth portion to the wide portion of the mesa protrusion, the third portion is formed on the active layer. And the fourth semiconductor layer is formed via the semiconductor layer of the semiconductor laser.
스트라이프형 메사 돌기와 그 스트라이프형 메사 돌기에 비해서 낮은 보조 돌기부가 상기 스트라이프형 메사 돌기의 일부를 끼고 그 양층에 배치되게 형성된 반도체 기체상에, 적어도 제1전도형의 클래드층을 구성하는 제1의 반도체층과 활성층을 구성하는 제2의 반도체층과, 제2도전형인 클래드층을 구성하는 제3의 반도체층과, 광흡수 또는 전류 블록층을 구성하는 제4의 반도체층이 차례로 에피택셜 성장된 에피택셜 성장층을 가지며, 그 에피택셜 성장층에는 상기 스트라이프형 메사 돌기의 손길이 방향을 따르는 양측에 대응해서 단층부가 형성되며, 그 단층부에 의해서 상기 메사 돌기로의 에피택셜 성장부에 있어서의 상기 제2의 반도체층이 타와 분리 되어서 스트라이프형의 활성층이 획성됨과 더불어 상기 메사 돌기의 상기 보조 돌기에 의해서 낀 부분 이외의 부분으로의 에피택셜 성장부에선 상기 제4의 반도체층이 분단되어서 그 제4의 반도체층이 결제되도록 이뤄지며, 상기 메사 돌기의 상기 보조 돌기에 의해서 낀 부분에 상기 보조 돌기상에서 맞건내져서 상기 제4의 반도체층이 상기 활성층상에 대향 배치되어 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.A first semiconductor constituting the clad layer of at least a first conductivity type on a semiconductor substrate formed such that a lower auxiliary protrusion is disposed on both layers with a portion of the stripe mesa protrusion and a stripe mesa protrusion smaller than the stripe mesa protrusion. The epitaxially grown epitaxially grown second semiconductor layer constituting the layer and the active layer, the third semiconductor layer constituting the second conductive clad layer, and the fourth semiconductor layer constituting the light absorption or current block layer. It has a tactical growth layer, The epitaxial growth layer is formed in the epitaxial growth part corresponding to both sides along the hand direction of the said stripe mesa protrusion, The said single layer part makes the said epitaxial growth part to the said mesa protrusion. The second semiconductor layer is separated from the other to form a stripe-type active layer, and the auxiliary projection of the mesa protrusion The fourth semiconductor layer is divided so that the fourth semiconductor layer is settled in the epitaxially grown portion to a portion other than the pinched portion, and the fourth semiconductor layer is settled on the auxiliary protrusion of the mesa protrusion. And the fourth semiconductor layer is disposed on the active layer so as to face each other.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.