Claims (7)
그 상면에 경사면이 마련된 p-기판과, 상기 p-기판의 저면에 형성되는 p-금속전극과, 상기 p-기판의 상면에 형성되어 상기 경사면에 대응하는 경사진 발진 영역을 갖는 레이저 발진층과, 상기 레이저 발진층의 상부에 마련되는 p-금속전극과, 상기 p-기판과 상기 레이저 발진층의 사이에 개재되어 상기 레이저 발진 영역에 전류는 제한 공급되기 위한 전류 통과영역을 제공하는 블록킹 레이어를 갖추는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.A p- substrate having an inclined surface on the upper surface thereof, a p-metal electrode formed on the bottom surface of the p- substrate, a laser oscillation layer having an inclined oscillation region formed on an upper surface of the p- substrate and corresponding to the inclined surface; And a blocking layer interposed between the p-metal electrode provided on the laser oscillation layer and the p-substrate and the laser oscillation layer to provide a current passing region for supplying limited current to the laser oscillation region. A laser diode characterized by having.
그 상면에 경사면이 마련된 p-기판과, 상기 p-기판의 저면에 형성되는 p-금속전극과, 상기 p-기판의 상면에 형성되어 상기 경사면에 대응하는 경사진 발진 영역을 갖는 활성층과 활성층 상하의 n 및 p크래드 레이어를 구비하는 레이저 발진층과 상기 레이저 발진층의 상부에 마련되는 p-금속전극과, 상기 n-금속전극과 상기 레이저 발진층의 사이에 개재되어 상기 레이저 발진 영역에 전류가 제한 공급되게 하는 전류 통과영역을 제공하는 블록킹 레이어와, 상기 블록킹 레이어와 상기 레이 레이어와 상기 레이저 발진층의 사이에 마련되는 통전용층를 갖추는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.A p- substrate having an inclined surface on its upper surface, a p-metal electrode formed on the bottom of the p- substrate, an active layer having an inclined oscillation region formed on an upper surface of the p- substrate, and having an inclined oscillation region corresponding to the inclined surface, A current is generated in the laser oscillation region by interposed between the laser oscillation layer including the n and p clad layers, the p-metal electrode provided on the laser oscillation layer, and the n-metal electrode and the laser oscillation layer. And a blocking layer for providing a current passing region for restricting supply, and an energizing layer provided between the blocking layer, the ray layer, and the laser oscillation layer.
제 2 항에 있어서, 상기 블록킹 레이어는 n-형 층이며 전류 통과 영역은 상기 레이저 발진 영역의 경사진 발진 영역에 대응하는 p-형 층을 갖추는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.The laser diode of claim 2, wherein the blocking layer is an n-type layer and the current passing region has a p-type layer corresponding to an inclined oscillation region of the laser oscillation region.
제 2 항에 있어서, 상기 기판의 소재는 p-GaAs이며, 상기 블록킹 레이어의 소재는 Si는 도핑된 GaAs이며, 상기 통전 용이층은 p-in0.5Ga,5P이며, 상기 p-크래드 레이어는 p-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P이며, 상기 활성층은 In0.5Ga0.5P이며, n-크래드 레이어는 n-In0.58Ga0.3Al0.7)0.5이며, 상기 캡층은 n-GaAs인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.The method of claim 2, wherein the material of the substrate is p-GaAs, the material of the blocking layer is Si is doped GaAs, the conductive layer is p-in 0.5 Ga, 5P, the p- clad layer is p-In 0.5 (Ga 0.3 Al 0.7 ) 0.5 P, the active layer is In0.5Ga0.5P, n-clad layer is n-In0.58Ga0.3Al0.7) 0.5, and the cap layer is n-GaAs Laser diode, characterized in that.
제 2 항 내지 제 4 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 기판의 경사면은, 기판 상면 양측에 위치하는 서로 다른 높이의 평면부로부터 연속하여 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.The laser diode according to any one of claims 2 to 4, wherein the inclined surface of the substrate is continuously formed from planar portions having different heights located on both sides of the upper surface of the substrate.
제 2 항 내지 제 4 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 기판의 경사면의 경사각은 31 내지 55°의 범위인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.The laser diode according to any one of claims 2 to 4, wherein the inclination angle of the inclined surface of the substrate is in the range of 31 to 55 degrees.
제 6 항에 있어서, 상기 기판의 경사면은, 기판 상면 양측에 위치하는 서로 다른 높이의 평면부로부터 연속하여 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.7. The laser diode according to claim 6, wherein the inclined surface of the substrate is continuously formed from planar portions having different heights located on both sides of the upper surface of the substrate.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.