KR950003845A - 전기-광학 도파관, 위상변조기 및 이들을 제조하는 방법 - Google Patents

전기-광학 도파관, 위상변조기 및 이들을 제조하는 방법 Download PDF

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룽 장 친
알버트 최 영민
리 더글라스 쉐리
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제임스 에프. 컬크
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Abstract

광에 대한 리튬니오베이트 도파관과 리튬니오베이트 채널도파관 전기광학 위상변조기는 충분한 리튬이온을 포함하여 그 결과 알려진 값의 전기신호가 이런 도파관과 변조기에 인가될때 도파관과 변조기를 통과하는 광위상이 실질적으로 동시에 시간주기내의 소정값으로 변한다.

Description

전기-광학 도파관, 위상변조기 및 이들을 제조하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 리튬니오베이트 기판을 기초로하며, 리튬니오베이트로 이루어진 채널도파관 전기-광학 위상변조기를 포함하며, 위상 이완을 최소화하기 위해 충분한 리튬이온을 포함하는 다기능 집적 광학칩(MTOC)을 나타내는 개략도.

Claims (13)

  1. 알려진 전기신호가 도파관에 인가될때 도파관을 통과하는 광신호의 위상이 소정값으로 동시에 변화되도록 충분한 리튬이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬니오베이트 광학도파관.
  2. 알려진 전기신호가 변조기에 인가될때 변조기를 통과하는 광신호의 위상이 소정값으로 동시에 변화되도록 충분한 리튬이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬니오베이트 채널도파관 전기광학 위상변조기.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 도파관내의 리튬이온의 양은 도파관을 통과하는 광신호의 위상이 1마이크로초이내의 소정 정상상태값으로 변하도록 하는데 충분한 것을 특징으로 하는 리튬니오베이트 광학도파관.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 변조지의 리튬이온양은 상기 변조기를 통과하는 광신호의 위상이 1마이크로초이내의 소정 정상상태값으로 변하도록 하는데 충분한 것을 특징으로 하는 리튬니오베이트 채널도파관 전기광학 위상변조기.
  5. 알려진 전기신호가 도파관에 또는 위상변조기에 인가될때 광학도파관 또는 채널도파관 전기광학 위상변조기를 통과하는 광신호의 위상이 소정값으로 동시에 변화되도록 충분한 시간 및 온도에서 산소와 리튬이온의 존재하에 리튬니오베이트 광학도파관 또는 채널도파관 전기광학 위상변조기를 가열하여 충분한 리튬이온을 포함하는 도파관 또는 변조기를 제조하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 열처리는 약 1000℃의 온도에서 일어나는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항중 어느한항에 있어서, 티타늄 이온으로 더욱 구성되는 것을 특징으로 하는 프로덕트.
  8. 알려진 전기신호가 도파관에 인가될때 도파관을 통과하는 광신호의 위상이 소정값으로 동시에 변하도록 충분한 리튬이온을 갖는 리튬니오베이트 광학도파관을 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 자이로.
  9. 알려진 전기신호가 변조기에 인가될때 변조기를 통과하는 광신호의 위상이 소정값으로 동시에 변하도록 충분한 리튬이온을 갖는 리튬니오베이트 채널도파관 전기 광학 위상변조기를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 자이로.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 도파관내의 리튬이온 양은 상기 도파관을 통과하는 광신호의 위상이 1마이크로초이내의 소정 정상상태값으로 변하도록 하는데 충분한 것을 특징으로 하는 광섬유 자이로.
  11. 변조기를 통과하는 광신호의 위상이 1마이크로초이내의 소정 정상상태값으로 변하도록 충분한 리튬이온을 갖는 리튬니오베이트 채널도파관 전기광학 위상변조기를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 자이로.
  12. 제 8 항 또는 제10항에 있어서, 상기 도파관이 티타늄 이온으로 더 구성되는 것을 특징으로 하는 광섬유 자이로.
  13. 제 9 항 또는 제11항에 있어서, 상기 위상 변조기가 티타늄 이온으로 더 구성되는 것을 특징으로 하는 광섬유 자이로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940010753A 1993-07-21 1994-05-17 전기-광학 도파관, 위상변조기 및 이들을 제조하는 방법 KR950003845A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100788289B1 (ko) * 2006-06-26 2007-12-27 한국과학기술원 강유전체 결정의 열처리 방법

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5625725A (en) * 1993-12-28 1997-04-29 Sony Corporation Magneto-optical pickup device having phase compensating circuitry
US5768462A (en) * 1996-03-05 1998-06-16 Kvh Industries, Inc. Grooved optical fiber for use with an electrode and a method for making same
US6044184A (en) * 1998-03-31 2000-03-28 Litton Systems Inc. Integrated optics chip with reduced thermal errors due to pyroelectric effects
US6786967B1 (en) 1998-05-11 2004-09-07 California Institute Of Technology Ion exchange waveguides and methods of fabrication
DE69911200T2 (de) * 1998-05-11 2004-07-01 California Institute Of Technology, Pasadena Verfahren zum tempern unter druck von lithiumniobat oder lithiumtantalat und so hergestellte lithiumniobat bzw. lithiumtantalat-strukturen
US6567598B1 (en) 1998-05-11 2003-05-20 California Institute Of Technology Titanium-indiffusion waveguides
US6372284B1 (en) 1998-06-11 2002-04-16 Optelecom, Inc. Fluoropolymer coating of lithium niobate integrated optical devices
US6518078B2 (en) 1998-09-21 2003-02-11 California Institute Of Technology Articles useful as optical waveguides and method for manufacturing same
US6148122A (en) * 1998-11-17 2000-11-14 Qtera Corporation High speed lithium niobate polarization independent modulators
US6625368B1 (en) 1999-10-15 2003-09-23 California Institute Of Technology Titanium-indiffusion waveguides and methods of fabrication
US6351575B1 (en) 1999-12-23 2002-02-26 Litton Systems, Inc. Multifunction integrated optics chip having improved polarization extinction ratio
US6418246B1 (en) 1999-12-23 2002-07-09 Litton Systems, Inc. Lateral trenching for cross coupling suppression in integrated optics chips
US6438280B1 (en) 1999-12-23 2002-08-20 Litton Systems, Inc. Integrated optics chip having reduced surface wave propagation
US7092419B2 (en) 2001-09-10 2006-08-15 San Jose Systems, Inc. Wavelength agile laser
US6987784B2 (en) * 2001-09-10 2006-01-17 San Jose Systems, Inc. Wavelength agile laser
US6803028B2 (en) * 2002-04-08 2004-10-12 Corning Incorporated Method of making stoichiometric lithium niobate
US7224869B2 (en) * 2004-03-12 2007-05-29 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Low loss electrodes for electro-optic modulators
US7426326B2 (en) * 2004-03-12 2008-09-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Low loss bridge electrode with rounded corners for electro-optic modulators
AU2019313352A1 (en) * 2018-07-30 2021-02-18 The General Hospital Corporation Active quadrature demodulation for subsampled/circular ranging optical coherence tomography
CN112066973B (zh) * 2020-09-14 2022-08-23 浙江大学 一种铌酸锂波导的集成光子晶体光纤陀螺
KR102617408B1 (ko) 2020-11-25 2023-12-28 한국전자통신연구원 전기 광 변조기
CN113280802B (zh) * 2021-03-30 2022-09-23 浙江大学 一种谐振式集成光学陀螺用多功能铌酸锂芯片

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3997687A (en) * 1975-04-21 1976-12-14 Rca Corporation Method of preparing optical waveguides
FR2548393B1 (fr) * 1983-06-17 1986-11-21 Thomson Csf Dispositif polariseur optique integre et son procede de fabrication
JPS60243606A (ja) * 1984-05-17 1985-12-03 Canon Inc 薄膜型光学素子
US4607909A (en) * 1984-06-14 1986-08-26 Polaroid Corporation Method for modulating a carrier wave
US4887878A (en) * 1984-06-14 1989-12-19 Polaroid Corporation Optical modulation device
JPH0731287B2 (ja) * 1986-06-12 1995-04-10 松下電器産業株式会社 光素子の形成方法
US4984861A (en) * 1989-03-27 1991-01-15 United Technologies Corporation Low-loss proton exchanged waveguides for active integrated optic devices and method of making same
US5037205A (en) * 1989-04-19 1991-08-06 Litton Systems, Inc. Integrated optic interferometric fiber gyroscope module and method
EP0397895A1 (en) * 1989-05-13 1990-11-22 SELENIA INDUSTRIE ELETTRONICHE ASSOCIATE S.p.A. Method for the fabrication of LiNbO3 single mode planar optical guide lenses
US5193136A (en) * 1989-10-27 1993-03-09 Litton Systems, Inc. Process for making multifunction integrated optics chips having high electro-optic coefficients
US5191624A (en) * 1990-09-19 1993-03-02 Hitachi, Ltd. Optical information storing apparatus and method for production of optical deflector
US5267336A (en) * 1992-05-04 1993-11-30 Srico, Inc. Electro-optical sensor for detecting electric fields

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100788289B1 (ko) * 2006-06-26 2007-12-27 한국과학기술원 강유전체 결정의 열처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0777425A (ja) 1995-03-20
CA2121386A1 (en) 1995-01-22
EP0635735A1 (en) 1995-01-25
US5442719A (en) 1995-08-15

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