KR950003463Y1 - 화성 장치의 급전 로울러 구조 - Google Patents

화성 장치의 급전 로울러 구조 Download PDF

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이문배
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황선두
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G13/00Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00

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Abstract

내용 없음.

Description

화성 장치의 급전 로울러 구조
제1도는 본 고안이 적용된 화성 장치를 도시한 개략도.
제2도는 제1도에서 급전 로울러를 도시한 일부 절단 단면도.
제3도는 제2도의 A-A선 단면도.
제4도는 종래 화성 장치용 급전 로울러를 도시한 일부 절단 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 실린더 2 : 화성 조
3 : 화성 액 4 : 로울러 지지부
5 : 함침 로울러 6 : 에칭 박
7 : 급전 로울러 71 : 원통 로울러
73 : 전도성 파이프 75 : 냉각수공급관
77 : 냉각수배기관 8 : 아이들로울러
10 : 로울러 가이드
본 고안은 화성 장치의 급전 로울러 구조에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화성 장치의 알루미늄 에칭 박에 양극을 인가하는 급전 로울러에서 발생되는 고온의 발열을 효율적으로 냉각시킬 수 있도록 내부의 구조를 변화시킨 화성장치의 급전로울러 구조에 관한 것이다.
일반적으로, 알루미늄 전해 콘덴서는 순도 99.99%이상의 알루미늄 원박을 사용한 양극 박과 순도 98%정도의 알루미늄인 원박 사용한 음극박을 통상의 전해지와 전연체와 함께 권취하여 밀봉함으로써 그 조립이 완료된다.
상기한 양극 박은 알루미늄 원박을 전해 에칭 처리한 후 에칭이 완료된 에칭 박에는 소정 성분의 전해 액에 함침시키는 화성(Anodizing)공정을 통해 에칭 박의 산화를 방지하기 위한 알루미나(Al2O3)를 표면에 형성시켜 제조하고 음극 박은 알루미늄층을 형성시키지 않은 바, 전기한 바와 같이 가공된 양극 박과 음극 박을 슬리팅(Slitting), 태빙(Tabbing), 와인딩(Winding), 임프레그네이션(Impregnation), 조립 에이징 공정을 통해 알루미늄 전해 콘덴서로 완성시킨다.
여기서, 양극 박을 형성시키는 화성 공정을 개략 설명하면 전해 에칭처리된 에칭 박을 롤상으로 권취시켜 회전 자재하게 위치시키고 전단화성, 재 화성, 후 화성으로 구성된 3단 화성공정에 설치된 로울러에 감아 각 화성 공정에 설치된 각각의 화성 조에 함침심키고 사용 전압의 약 1.5배 정도의 전압을 인가함으로써 에칭 박에 알루미나인 산화 막을 10~15Å/V의 두께로 형성시키는 바, 에칭 박이 화성 공정에 투입되는 전단 화성 조의 1개 로울러에 양극을 인가시키고 각 화성 조에는 음극을 인가시켜 소정 성분의 화성 액에 함침되는 에칭 박에 급전 로울러에 인가된 양극과 화성 조에 인가된 음극의 전기 분해에 의해 산화 박을 형성시킴으로써 화성 박을 제조한다.
여기서, 상기한 화성 조의 상부에서 에칭 박에 양극을 인가하는 급전로울러(40)는 제4도에 도시된 바와 같이, 회전축을 이루는 좌, 우에 냉각수가 비되는 냉각수 공급관(45)과 배기관(47)이 형성되어 있는 소정 두께의 로울러(41)를 갖는 원통구조로 형성하여 수 천 암페어 이상의 고정류가 인가되어 약 200℃이상의 고열을 발생하는 상기 원통 로울러(41)의 표면을 대략 60℃정도로 유지시킬 수 있도록 하였다.
그러나, 상기한 바와 같이 상기 냉각수 공급관(45)을 통하여 유입된 냉각수는 급전 로울러(40) 내부의 저면에만 충만되어 있기 때문에 실제 발열부인 에칭 박과 접촉되는 상측의 외주면에는 냉각 효과가 떨어져 에칭 박이 단락 불량을 일으키거나 에칭 박에 손상을 입히게 되어 화성 공정 후 화성 박을 자르는 슬리팅 공정에서 화성 박이 끊어지는 문제점이 발생되었다.
따라서, 본 고안의 목적은 알루미늄 콘덴서의 양극 박의 표면적 증대를 위한 에칭 처리 후에 에칭 박의 산화를 방지하기 위한 화성 공정에서 급전 로울러에 인가되는 고전압에 의해 발열되는 로울러 표면을 효과적으로 냉각시킬 수 있는 화성 장치의 급전 로울러 구조를 제공함에 있다.
상기 목적을 실형하기 위하여 본 고안은 냉각수가 공급되는 냉각수 공급관, 상기 냉각수 공급관에 연결되며 외주면에 전압이 인가되는 원통형 로울러, 상기 원통형 로울러의 내측에 형성된 열전도성이 우수한 다수의 파이프, 및 상기 원통형 로울러의 출구에 연결된 냉각수 배기관으로 구성됨을 특징으로 한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 고안의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
제1도는 본 고안이 적용되는 화성 장치의 일 실시예를 도시한 개략도로서, 통상의 실린더(1)에 연결되어 승강 자재할 수 있는 화성조(2)에 음극이 인가되고 화성 조(2)에 충진되어 있는 화성 액(3)에는 로울러 지지부(4)에 연결되어 있는 함침 로울러(5)가 함침되어 있으며 화성 조(2)의 상부에는 에칭 박(6)에 양극을 인가하는 급전 로울러(7)와 에칭 박(6)을 탄성 지지하는 아이들 로울러(8), 그리고 로울러들이 로울러 가이드(10)에 회전 자재할 수 있도록 설치되어 있다.
상기한 실린더(1)는 화성 조(2)를 승강시켜 에칭 박(6)이 화성 액(3)에 잠기는 면적을 조정함으로써 에칭박(6)의 화성 시간을 결정하기 위해 사용되고 아이들 로울러(8)는 에칭 박(6)이 처지하는 것을 방지하기 위해 사용된다.
급전 로울러(7)와 화성 조(2)에 전원이 인가되면 급전 로울러(7)와 아이들 로울러(8) 그리고 함침 로울러(5)에 감겨 이동되는 에칭 박(6)에 양극이 인가되며 화상 조(2)에 인가된 음극과 반응하여 에칭 박(6)이 함침로울러(5)를 통과할 때 화성 액(3)이 통상의 전기 분해에 의해 에칭 박(6)에 알루미나 형성됨을 도와준다.
여기서, 상기 에칭 박(6)과 밀착되면서 회전되고 그 표면에 고전압이 인가되는 급전 로울러(7)는 제2도에 도시된 바와 같이, 소정 두께를 갖는 외주면에 고전압이 인가되는 원통형 로울러(71)와 그 우측에 연결되어 로울러 내부에 냉각수를 공급하는 냉각수 공급관(75)과 로울러의 출구에 연결되어 냉각수를 배출하는 냉각수 배기관(77)이 형성되어 있으며 원통형 로울러(71)의 내부에는 다수의 파이프가 형성되어 있다.
이때, 냉각수가 흐르는 급전 로울러(7)의 내부는 상기 냉각수 공급관(75)을 통하여 유입된 냉각수가 압력에 의하여 에칭 박과 접촉하는 로울러 외주면의 전체에 걸쳐 골고루 유입되도록 제3도에 도시된 바와 같이, 열전도성이 우수한 금속재료로 된 다수의 알루미늄 파이드(73)가 모세관 구조로 원형 로울러(71)의 내부를 가득 채우고 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 고안의 급전 로울러는 냉각수가 공급되는 냉각수 공급관과 냉각수 배출관 사이에 모세관 구조로 다수의 도전성 파이프를 연결시켜 에칭 박과 밀착되어 회전하는 로울러의 외주면을 균일하게 냉각시킴으로서 고열로 인한 에칭 박의 손상을 방지할 수 있는 잇점이 있다.

Claims (2)

  1. 냉각수가 공급되는 냉각수 공급관, 상기 냉각수 공급관에 연결되며 외주면에 전압이 인가되는 원통형 로울러, 상기 원통형 로울러의 내측에 모세관 구조로 형성된 열전도성이 우수한 다수의 파이프, 및 상기 원통형 로울러의 출구에 연결된 냉각수 배기관으로 구성됨을 특징으로 하는 화성장치의 급전 로울러 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 다수의 파이프는 Al금속으로 된 것을 특징으로 하는 화성 장치의 급전 로울러 구조.
KR92018728U 1992-09-30 1992-09-30 화성 장치의 급전 로울러 구조 KR950003463Y1 (ko)

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