KR950002452Y1 - 박막트랜지스터 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

박막트랜지스터

제1도는 종래 박막트랜지스터 패널의 평면도

제2도는 제1도의 A-A선 단면도.

제3도는 본 고안에 의한 박막트랜지스터 패널의 평면도.

제4도는 제3도의 B-B선 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

12 : 게이트전극 16 : 화소전극

본 고안은 액정을 사용하는 표시소자에 사용되는 박막트랜지스터에 관한 것으로, 특히 부가 캐퍼시터(Storage Capacitor)부분에서 미세입자(Particle)가 원인이 되어 작동 불능이 되는 화소(Pixel)를 해소하도록 한 박막트랜지스터에 관한 것이다.

종래 TFT 패널의 평면구조는 제1도에 도시한 바와 같고, 제1도의 A-A선 단면도인 제2도와 같이 나타난다. 그리고 도면에서 1은 제1도전층인 게이트 전극 및 부가 캐퍼시터 전극을 보인 것이고, 2는 게이트 절연막, 3은 a-Si등으로 이루어지는 반도체층을 보인 것이며, 4는 n⁺-a-Si, 5는 장벽금속(Barrier Metal)을 보인 것이고, 6-1, 6-2는 제2도전층으로서, 6-1은 소오스전극을, 6-2는 드레인 전극을 보인 것이며, 7은 표시 희소전극을 보인 것이다.

이와 같이 구성된 종래의 TFT 패널은 게이트 전극(1)에 문턱 전압(Threshold Voltage)이상의 전압이 인가 되면 소오스 전극(6-1)과 드레인 전극(6-2) 사이에 있는 반도체층(3)에 채널(Channel)이 형성되어 소오스전극(6-1)에서 드레인 전극(6-2)으로 전류가 흐르게 되어 박막 트랜지스터가 스위치 소자로서 작동을 하게 된다.

상기한 바와 같은 종래의 TFT 패널은 제1전극(게이트 전극)(1) 형성시 발생하는 미세입자(Particle)과 게이트 절연막(2) 형성시 발생하는 미세입자에 의하여 게이트 절연막(2)에 구멍이 생기는 경우가 발생하여 화소전극(7)을 구성하는 ITO막과 게이트 전극(1)이 쇼트되어 부가 캐퍼시터의 역할을 수행하지 못하고 또한 ITO막에 게이트 전압이 인가되기 때문에 TFT소자에 의하여 액정이 구동되지 않는 문제가 발생하는 결함이 있었다.

본 고안의 목적은 부가 캐퍼시터를 이루는 ITO막과 게이트 전극이 미세입자 등에 의해 쇼트되어 작동불능이 되는 결함을 해소한 박막트랜지스터를 제공하려는 것이다.

이러한 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 게이트 전극과 복수개의 캐퍼시터를 연결하기 위해 투명전극을 분할 형성하고, 상기 캐퍼시터를 구성하는 투명전극과 화소전극을 구성하는 투명전극의 열결부분에 소정 패턴의 메탈층을 형성하여서 됨을 특징으로 하는 박막트랜지스터가 제공된다.

이하, 본 고안에 의한 박막트랜지스터를 첨부도면에 도시한 실시례에 따라서 상세히 설명한다.

제3도는 본 고안에 의한 박막트랜지스터 패널의 평면도이고, 제4도는 제3도의 B-B선 단면도로서, 이에 도시한 바와 같이 절연성 기판(Glass)(11)위에 제1도전층인 게이트 전극 및 부가 캐퍼시터 전극(12)이 형성되고, 그 위에 게이즈 절연막(13)이 형성되며, 그 상면 일측에 a-Si로 반도체층(14)이 형성되고, 타측에는 표시화소전극(ITO)(16)이 형성된다. 상기 반도체층(14)의 상면에는 n⁺a-Si저항 접속층(15)이 형성되고, 저항 접속층(15)과 표시화소전극(16)의 일부에는 장벽금속(Barrier Metal)(17)이 형성되고, 최상부에 제2도전층(18, 19, 20)이 형성되어 있다.

상기 제2도전층(18, 19, 20)에서 트레인 전극을 구성하는 것으로 이는 표시화소전극(16)과 연결되고, 표시화소전극(16)은 게이트 전극(12)과 더불어 부가 캐퍼시터를 이루며, 부가 캐퍼시터로 구성되는 부분은 분할되어 있다.

상기 게이트 전극(12)라인은 한 개 또는 복수개의 캐퍼시터를 연결하기 위해 패턴이 변형되고 선폭을 늘려서 분할 형성되며, 상판 전극으로 사용되는 표시화소전극(16)도 한 개 또는 복수개의 캐퍼시터를 연결하기 위해 분할 형성된다. 또한 캐패시터에 이용되는 표시화소전극(16)과 연결되는 부분은 소정 패턴의 메틸(Metal)층을 이용하여 연결되어 있다.

이와 같이 구성된 본 고안은 부가 캐퍼시터를 구성하는 투명전극과 화소전극을 구성하는 투명전극의 연결부분이 투명전극과 제2도전층으로 구성되어 있기 때문에 과부식(Over Etching)이나 미세입자에 의하여 연결부분이 단선되는 결합이 제거되는 이점이 있다.

또한 부가 캐퍼시터를 분할하여 구성하였기 때문에 미세입자에 의해 하나가 캐퍼시터로 작동하지 못하는 경우에는 연결부위를 레이저 등을 이용하여 끊어버리면 다른 하나가 캐퍼시터 역할을 수행할 수 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 고안은 부가 캐퍼시터가 여분구조를 갖음으로써 생산수율을 향상함은 물론 또한 화질을 향상시킬 수 있으므로 TFT-LCD를 이용한 휴대용 텔리비젼 수상기, 모니터,항공기용 계기판 등에 유리하게 적용할 수 있다.

Claims (1)

1. 게이트 전극과 복수개의 캐퍼시터를 연결하기 위해 투명전극을 분할 형성하고, 상기 캐퍼시터를 구성하는 투명전극과 화소전극을 구성하는 투명전극의 연결부분에 소정 패턴의 메탈층을 형성하여서 됨을 특징으로 하는 박막트랜지스터.