KR950001721B1 - 패턴 완성 장치 - Google Patents
패턴 완성 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950001721B1 KR950001721B1 KR1019870009220A KR870009220A KR950001721B1 KR 950001721 B1 KR950001721 B1 KR 950001721B1 KR 1019870009220 A KR1019870009220 A KR 1019870009220A KR 870009220 A KR870009220 A KR 870009220A KR 950001721 B1 KR950001721 B1 KR 950001721B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ion beam
- ion
- pattern
- source
- carrier
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 38
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 33
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000021715 photosynthesis, light harvesting Effects 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 20
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000441 X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching for microworking, e.g. etching of gratings, trimming of electrical components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3178—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for applying thin layers on objects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
도면은 본 발명에 따른 장치의 개략도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 하우징 2 : 이온원
10 : 빔 접속부 12, 14 : 빔 편향부
17 : 물체 이동 시스템 20 : 전자원
22 : 검출기 25 : 이온 빔
34 : 신호 처리부 36 : 영상 기록 표시부
38 : 중앙 제어부
본 발명은 적소에 재질을 부착 또는 제거하기 위한 액체 금속 이온원으로부터 개시하는 이온 빔에 의하여 캐리어의 표면에 제공된 패턴을 완성하기 위한 장치에
관한 것이다.
그러한 장치는 WO 86/02774에 기재되어 있다. 상기에 기재된 장치에서, 재질은 공급된 가스 흐름으로부터 이온 빔에 위해 캐리어상에 부착된다. 이런
방법의 결점으로서, 부분만이 이온화될 수 있는 공급된 가스는 장치를 오염시키며, 재질 부착의 정확도는 가스 흐름의 이온을 분산시킴으로써 제한된다.
후자의 것은 예를 들어 칩의 적용 또는 고정이나 특히 칩 생산을 위한 마스크에의 이용에 좋지 못했다. 정확하고 예리하게 바운드된(bounded)재질
부착이 매우 중요하다.
GB 1384281에 기술된 바와 같이, 대응하는 요건이 또한 광 또는 X선 분광학에 이용됨 회절발(grating)의 적응 또는 고정에 부과된다. 두
실시예에 있어서, 예를 들어 대략 1㎛의 구조로 이용되며, 이를 양호하게 완성시키기 위하여, 기껏 수십 ㎛의 활성 이온 스폿 지름이 필요하다. 특히
전자 빔 장치 또는 X선 장치내에 이용될 마스크에 대하여 재질의 요구된 방사 흡수력으로, 가스 흐름이 비고 큰 질량을 가진 원자로 이루어지기 때문에
가스 흐름으로 부터 재지루착을 더욱 명확히 하기가 어렵다. 이온원에 관해 더욱 불리한 질량비로 분산력이 더욱 커진다.
상기 패턴에 대한 장치를 완성시키기 위하여 양호하게는, 기록 이온 스폿에 대한 대략 0.1㎛의 가로 치수에 따른 재질 부착 및 제거에 적절하며, 또한
X선 및 전자로 연속 처리하는 데에 이용되는 재질이 부착될 수 있으며, 재질이 신속히 제거되고, 부착될 수 있으며, 그리고 취급시에 위치 제어가
양호하게 수행될 수 있다.
본 발명의 목적은 장치가 갖고 있는 상기 결점을 해소하여, 상당한 범위까지 부과될 요건을 충족시키는 것으로, 전술된 형태의 완성된 장치는 본 발명에 따라
재질 제거 및 부착을 위해 이온원 자체로 부터 개시한 이온 빔으로 이용될 수 있으며, 이온 빔 전류는 재질 제거에 대해 비교적 낮은 값과 재질 부착에
대해 비교적 높은 값에 적절한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 장치에 있어서, 재질 부착에 대한 가스 흐름이 이용되지 않기 때문에, 장치의 오염 및 이온 빔의 분산을 방지할 수 있다.
양호한 실시예에 있어서, 재질 이동에 대한 이온 빔 전류는 대략 10㎂에서 조정되고, 재질 부착에 대해서는 대략 30㎂에서 조정될 수 있다. 대략
10KeV까지의 에너지는 재질 제거에 이용되고, 수십 KeV까지는 재질 부착에 이용된다. 명백한 장치의 디자인에 대해서는 대략 동일한 이온 에너지를
가진 두 모드에서 작업하는 것이 좋다.
다른 양호한 실시예는 이온 빔을 편향시키고 집속하기 위한 정전 이온 광 소자만으로 구성된다. 따라서, 이온의 분산이나, 양으로 하전된 가은 에너지의 다른
입자가 방지된다. 그와는 대조적으로 서로 다른 하전 캐리어를 분리시키는 것이 바람직할 경우, 자기 편향 시스템은, 하전된 입자의 분산없이 하전되지 않은
입자만을 제거시키기 위하여, 두 상보 자기 편향 소자 또는 조합한 자기 및 정전기 필드가 이용되는 것에 이용될 수 있다. 상기한 편향 소자는 또한 빔
차단기 역할을 한다.
다른 실시예에 있어서, 이온원은 수금(liauid gold)소스로서, 금이 특히 전자 및 X선에 투명한 재질로서 양호하게 부착된다.
다른 실시예에 있어서, 물체로 투사되는 전자원은 취급시에 캐리어상에 임의로 발생하는 유해한 로컬 전하를 중화시킨다. 물체로 쉽게 투사되어 집속되는
전자원은 또한 위치 표시에 이용되지만, 양호하게는 이온 빔 장체가 상기 목적에 이용된다. 위치 신호의 검출을 위해, 장치는 상기 목적에 적절한 검출기를
구비한다.
본 발명에 따른 양호한 실시예는 첨부된 도면을 참조로 하여 아래에 상세히 기술된다.
도면에서 대략적으로 도시된 장치는 진공인 하우징(1)을 구비하는데, 상기 하우징(1)내에는 통상적으로 고전압으로 동작되는 방출 포인트(4)를 가진
이온원(2), 추출 전극(6), 제2전극(8), 고전압 전극(9), 빔 접속부(10), 빔 편향부(12), 빔 편향부(14) 및 동작될 물체(18)를
가진 물체 테이블(16)을 포함한다. 예를 들어, X-Y좌표의 물체를 이동시키기 위한 물체 이동 시스템(17)은 물체 테이블에 부착된다. 더욱이,
전자원(20) 및 검출기(22)는 하우징내에 포함되어, 물체상으로 투사된다. 이 경우의 이온원은 액체 금속 이온원(LMIS)으로 일반적으로 가열될 금속
방출 포인트를 갖는데, 예를 들어, 금, 알루미늄, 실리콘, 붕소, 갈륨 또는 다른 유용한 금속의 층이나, 재질 결합이 제공되며, 여기에서 금속형을
필요로 하지 않는 이용될 재질이 예를 들어 Ausi, Pt, Nib 등을 포함한다. 장치의 동작시에, 재질층은 액체 위상에 있다. 이온 빔의 전류
세기는 에를들어 약간의 ㎂ 및 150㎂ 또는 그 이상 사이에서 추출 전극(6)에 의해 변환된다. 통상적으로 물체의 전위와 거의 같은 고전압 전극(9)에
인가될 전위는 방출될 이온 빔(25)내의 이온 에너지를 결정한다. 이온 빔은 집속부에 의해 소형 작업 스폿(26)내에서 집속될 수 있다. 작업될
물체(18)의 표면(26)은 회절발 또는 벡터 주사 방법으로 빔 편향부(14)에 의해 주사될 수 있다. 빔 편향부는 중성 입자, 비교적 크게 하전된
입자, 다중 이온 등의 이온 빔(25)을 정화시킬시에만 필요하며, 이들은 선택적으로 빔내에서 발생한다. 이온 빔은 예를 들어 광 시스템축(27)으로
부터 우선 편향되어, 상기 축과 다시 일치된다. 이온원이 비교적 낮은 전류 값에서 조정되는 재질 제거를 위한 모드, 통상적으로
스퍼터링(sputtering)이라 칭하는 모드에 대하여, 균일 이온 빔이 방출된다. 입자 선택을 위하여, 편향부는 불필요하다. 이것은 예를 들어
제1편향 소자(29)를 스위칭 온 및 오프함으로써 빔 입터럽터로 이용될 수 있으며, 상기 소자(29)내에서 빔은 비대칭으로 위치된 격막(30)상에
충돌하거나 제2편향 소자(31)가 스위치 오프될 시에, 빔은 격막(32)상에서 충돌한다. 이럼 빔 블랭킹 형이, 예를 들어 이온원이 스위치 온 및
오프되어야 하기 때문에 바람직하지 않을 시에, 격막(30)은 시스템의 주축에서 제거된다. 바람직하지 않은 재질은 상기 저 전류 이온 빔에 의해 캐리어
표면에서 제거된다. 예를 들면, 그런 목적을 위하여 마스크는 설계된 각 장치내에서 상기 결점을 위해 제어되거나, 집속된 전자원(20) 및
검출기(22)와 완성된 장치내의 급속한 주사 이온 빔에 의해 제어될 수 있다.
패턴 형상은 예를 들어 신호 처리부(34)를 통해 형성되어, 영상 기록 포시부(36) 내에 저장되고 표시될 수 있다. 이온원은 중앙 제어부(28)와
관련될 동 위치인 물체로 제어되며, 이온 빔에 영향을 받는 장치의 관련 부품은 중앙 제어부에 접속된다. 캐리어 표면에서 이온 빔에 의해 발생된
전위익스커션(excursion) 전자총(20)에 의해 중화될 수 있다. 캐리어 표면 처리 시에 이온 빔의 순간 위치를 지정하기 위하여, 이온 빔에 의한
영역에서 발생된 신호를 이용하는 것이 좋다. 이러한 것이 충족하는 곳에서, 물체상이 집속된 전자총(20)의 동기 주사 전자 빔에 의해 위치될 수
있다.
재질 부착 목적을 위하여, 이온 빔으로, 더욱 더 재질이 잘 부착되어 스퍼터된다. 신속한 부착을 위하여, 이온 빔 전류가 증가됨으로써, 예를 들어, 더욱
더 많은 재질이 대략 25㎂ 및 75㎂ 사이에서 치환되고, 질량 수송율이 전류 세기보다 더욱 신속히 증가한다. 재질의 하전된 클러스터가 그때
형성되므로, 재질은 이온과 다른 형태로 취해진다. 특히 재질의 하전 입자와 재질의 비하전 입자가 빔내에서 발생할 수 있다. 전류 세기가 비교적 높게 될
시에, 재질 입자는 너무 커서 소정의 분리능을 만족시킬 수 없게 된다. 상기 바람직하지 못한 입자는 그때 편차 전하 질량비만큼 편향부에 의해 정확히
체질될 수 있으며, 이때 매우 작은 입자의 강한 빔이 이용된다. 상기 편향부에서 발생하는 산란을 중화시키기 위하여, 편향 시스템을 이중 구조를 가질 수
있다. 장치내에 가스가 공급되지 않는 잇점 이외에, 장치는, 두 형태의 결점, 즉 결점이 없는 재질의 존재와, 결정이 있는 재질의 부재가 한 장치내에서
복원되거나 충족될 수 있는 잇점을 갖고 있다. 재질이 전혀 없거나 거의 없는 위치에서 명백한 결점의 복원시, 재질이 가산되고, 산란 표면이 예를 들어,
광 마스크에 대해 산란되는 영역에서 형성되지 않기 때문에, 그런 목적에 적절한 이온원으로 설비된 장치는 예를 들어 X선이나 전자 석판인쇄에 대한
마스크에 적절하다. 한편으로, 예를 들어 100 내지 150㎂의 이온 빔 전류를 가진 패턴내의 미세한 구조에 대한 형태 에지 리졸루션과, 다른
한편으로, 예를 들어 500㎂까지의 전류 강도를 가진 울퉁불퉁한 구조에 대한 급속한 작업 사이에서 조정 가능한 넓은 범위가 가능하다. 신속히 작업시에,
빔 고전류와 장치내의 동작 입자 선택 시스템이 이용될 수 있다. 예를 들어 고정치 이상의 질량을 가진 입자는 그때 빔으로 부터 이동될 수 있다. 항상
소스 재질이기 때문에, 입자 질량 및 입자 크기는 직접 상관된다. 장치 내에서 분산되지 않을 시에, 모든 이온광 소자는 정전기로 구성된다. 모든 하전
입자의 에너지가 상호적으로 거의 같다고 추정할 시에, 편향과 동시에 산란되지 않으며, 중성입자는 제거될 수 있다. 선택적으로 너무 큰 중성 입자를
제거하는 것 이외에 선택 논법으로, 입자 빔은 예를 들어 주사각을 증가함으로써 스폿 증가 또는 변형이 발생되지 않는 정전기 필드와 다른 편향 필드에
의해 영향을 받은 동일 주사로 선택된다.
Claims (11)
- 적소에 재질을 부착 또는 제거하기 위한 액체 금속 이온원으로 부터 개시하는 이온 빔에 의하여 캐리어의 표면에 제공된 패턴을 완성하기 위한 장치에 있어서, 재질 제거 및 부착을 위해 이온원에 의해 발생된 이온 빔이 이용되어, 이온 빔 전류는 재질 제거를 위해 비교적 낮은 값과, 재질 부착을 위해 비교적 높은 값으로 조정 가능한 것을 특징으로 하는 패턴 완성 장치.
- 제1항에 있어서, 대략 30㎂ 내지 150㎂의 이온 빔 전류는 재질 부착에 이용될 수 있는 것을 특징으로 하는 패턴 완성 장치.
- 제1 또는 2항에 있어서, 이온 빔은 재질 제거 및 부착을 위해 거의 같은 이온 에너지로 조정될 수 있는 것을 특징으로 하는 패턴 완성 장치.
- 제1항에 있어서, 이온 빔을 접속하고 편향하기 위한 정전기 동작 이온 광 소자로만 설비되는 것을 특징으로 하는 패턴 완성 장치.
- 제1항에 있어서, 이온 빔내의 하전된 입자의 전하 질량비에서 선택적으로 동작하는 편향 시스템을 설비되는 것을 특징으로 하는 패턴 완성 장치.
- 제5항에 있어서, 제1편향 소자의 에너지 분산을 위해 보상하는 제2편향 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 패턴 완성 장치.
- 제1항에 있어서, 이온 빔에 의해 설비될 캐리어 표면에서 전위 익스커션의 중성화를 위해, 상기 표면으로 전송될 전자원이 포함되는 것을 특징으로 하는 패턴 완성 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 표면상의 측면으로 지정되는 검출 시스템은 캐리어 표면상의 이온 빔의 대상물의 위치 제어를 위해 포함되는 것을 특징으로 하는 패턴 완성 장치.
- 제8항에 있어서, 캐리어 표면상의 이온 빔의 대상물의 위치 제어를 위해, 표면상의 측면으로 지정된 SEM 검출 시스템이 제공되는 것을 특징으로 하는 패턴 완성 장치.
- 제1항에 있어서, 이온원은 수금 이온원인 것을 특징으로 하는 패턴 완성 장치.
- 제1항에 있어서, 이중 빔 편향 시스템의 소자는 빔 인터럽터로서 스위치될 수 있는 것을 특징으로 하는 패턴 완성 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8602176A NL8602176A (nl) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | Ionen bundel apparaat voor nabewerking van patronen. |
| NL8602176 | 1986-08-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR880003406A KR880003406A (ko) | 1988-05-17 |
| KR950001721B1 true KR950001721B1 (ko) | 1995-02-28 |
Family
ID=19848462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019870009220A KR950001721B1 (ko) | 1986-08-27 | 1987-08-24 | 패턴 완성 장치 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4820898A (ko) |
| EP (1) | EP0257685B1 (ko) |
| JP (1) | JPS6373252A (ko) |
| KR (1) | KR950001721B1 (ko) |
| DE (1) | DE3767249D1 (ko) |
| NL (1) | NL8602176A (ko) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0262039A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Hitachi Ltd | 多層素子の微細加工方法およびその装置 |
| EP0417354A1 (en) * | 1989-09-15 | 1991-03-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electron beam apparatus with charge-up compensation |
| GB2247345B (en) * | 1990-07-05 | 1995-04-05 | Haroon Ahmed | Integrated circuit structure analysis |
| GB2258083A (en) * | 1991-07-25 | 1993-01-27 | Kratos Analytical Ltd | Sample analysis apparatus and method. |
| US5506080A (en) * | 1995-01-23 | 1996-04-09 | Internation Business Machines Corp. | Lithographic mask repair and fabrication method |
| US5981110A (en) * | 1998-02-17 | 1999-11-09 | International Business Machines Corporation | Method for repairing photomasks |
| JP5259035B2 (ja) | 2000-01-21 | 2013-08-07 | エフ イー アイ カンパニ | 成形され、低密度な集束イオンビーム |
| US6727500B1 (en) * | 2000-02-25 | 2004-04-27 | Fei Company | System for imaging a cross-section of a substrate |
| US6977386B2 (en) * | 2001-01-19 | 2005-12-20 | Fei Company | Angular aperture shaped beam system and method |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1384281A (en) * | 1972-03-16 | 1975-02-19 | Secretary Trade Ind Brit | Formation of photographic records |
| US4426582A (en) * | 1980-01-21 | 1984-01-17 | Oregon Graduate Center | Charged particle beam apparatus and method utilizing liquid metal field ionization source and asymmetric three element lens system |
| US4367429A (en) * | 1980-11-03 | 1983-01-04 | Hughes Aircraft Company | Alloys for liquid metal ion sources |
| JPS5856332A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥修正方法 |
| JPS58106750A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-25 | Toshiba Corp | フオ−カスイオンビ−ム加工方法 |
| JPS58178944A (ja) * | 1982-04-14 | 1983-10-20 | Hitachi Ltd | イオン源 |
| JPS6094728A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-27 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 荷電粒子ビームを用いた加工方法およびその装置 |
| US4698236A (en) * | 1984-10-26 | 1987-10-06 | Ion Beam Systems, Inc. | Augmented carbonaceous substrate alteration |
| JPS61123843A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 集束イオンビ−ムを用いたマスク修正装置 |
| US4629931A (en) * | 1984-11-20 | 1986-12-16 | Hughes Aircraft Company | Liquid metal ion source |
| US4639301B2 (en) * | 1985-04-24 | 1999-05-04 | Micrion Corp | Focused ion beam processing |
-
1986
- 1986-08-27 NL NL8602176A patent/NL8602176A/nl not_active Application Discontinuation
-
1987
- 1987-08-03 DE DE8787201469T patent/DE3767249D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-08-03 EP EP87201469A patent/EP0257685B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-08-14 US US07/085,991 patent/US4820898A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-08-24 KR KR1019870009220A patent/KR950001721B1/ko active IP Right Grant
- 1987-08-25 JP JP62209400A patent/JPS6373252A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4820898A (en) | 1989-04-11 |
| JPS6373252A (ja) | 1988-04-02 |
| KR880003406A (ko) | 1988-05-17 |
| NL8602176A (nl) | 1988-03-16 |
| EP0257685A1 (en) | 1988-03-02 |
| EP0257685B1 (en) | 1991-01-09 |
| DE3767249D1 (de) | 1991-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930007369B1 (ko) | 집속 이온빔 처리장치 및 그의 사용방법 | |
| US5831272A (en) | Low energy electron beam lithography | |
| US8013311B2 (en) | Dual beam system | |
| US5035787A (en) | Method for repairing semiconductor masks and reticles | |
| JP4215282B2 (ja) | 静電対物レンズ及び電気走査装置を装備したｓｅｍ | |
| US6838668B2 (en) | System for imaging a cross-section of a substrate | |
| US7232997B2 (en) | Apparatus and method for investigating or modifying a surface with a beam of charged particles | |
| WO2005101451A1 (en) | Apparatus and method for investigating or modifying a surface with beam of charged particles | |
| KR20050050658A (ko) | 하전(荷電) 입자 빔 시스템 | |
| US5165954A (en) | Method for repairing semiconductor masks & reticles | |
| KR950001721B1 (ko) | 패턴 완성 장치 | |
| EP1350259B1 (en) | Sem provided with a secondary electron detector having a central electrode | |
| US3601575A (en) | Method and apparatus for viewing the impact spot of a charge carrier beam | |
| JPH0619546B2 (ja) | イオン線装置及びイオン線装置を使用して基体を変更する方法 | |
| EP0035556B1 (en) | Electron beam system | |
| JP4357752B2 (ja) | 広域と局所的帯電を中和させる電子照射手段及び集束イオンビーム装置 | |
| JP2810370B2 (ja) | 集束イオンビーム加工方法 | |
| JPH10312765A (ja) | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線を用いた試料の処理方法 | |
| WO1988009049A1 (en) | Mask repair using an optimized focused ion beam system | |
| JPH06318443A (ja) | イオンビーム装置 | |
| JPH0850874A (ja) | 荷電粒子投射方法および装置 | |
| JPH11204400A (ja) | 電子線描画装置 | |
| JPS62115715A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| JPS6235622A (ja) | イオンビ−ム露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| NORF | Unpaid initial registration fee |