KR950000663B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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KR950000663B1
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가쯔야 오꾸무라
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가부시끼가이샤 도시바
아오이 죠이찌
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Abstract

내용 없음.

Description

기판 처리 장치 및 방법
제 1 도 내지 제 7 도는 본 발명의 각 실시예의 구성도.
제 8 도 내지 제 11 도는 종래의 기판 처리를 도시한 구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
110,213,309 : 유체 관통 구멍 112,217,314,412,511 : 피처리 기판
113,214,312,413,516 : 유체 유지구 115,216,322,415,523 : 처리용 유체
212 : 유저공(有底孔) 215 : 융기부
320 : 유체 저장부
본 발명은 유체(주로 액체)를 이용한 기판의 처리 장치 및 처리 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 장치나 액정표시 장치 등의 제조시에 이용되는 평판상 기판의 한면만을 액체로 처리할 때에 적합하다.
(가) 약액을 이용한 종래의 기판 처리법을, H2SO4와 H2O2를 혼합 가열한 약액으로 기판 세정이나 레지스트 제거를 행하는 방법을 예로서 제 8 도를 이용해서 설명한다. 석영등으로 만든 약액조(11)내에 약액(12)로서 H2SO4와 H2O2를 10 대 1의 비로 모두 25리터를 주입한다. 150℃전후까지 램프 히터(13)으로 가열한 약액(12)중에 여러장의 피처리 기판(14)[본 예에서는 직경 150mm의 레지스트 패턴이 형성되어 있는, 예를들어, 25장의 실리콘 기판이 웨이퍼 홀더(15)에 넣어져 있다]를 침적해서 약 15 분간으로 처리를 종료하였다. 상기 25리터의 약액으로 약 500장의 웨이퍼(14)가 처리 가능했다.
이 장치와 거의 동일한 것으로, 불화 암모늄(NH4F)액이나 희석한 불산(HF)를 이용해서 유리층을 식각하거나, 세정공정으로 가는 경우가 있다. 또 유기 알칼리의 수용액으로 실리콘층을 식각하는 공정에 이용되는 경우도 있다. 또 실리콘 웨이퍼의 이면에 형성된 산화막을 식각제거하기 위해, 웨이퍼 표면 전면을 레지스트로 덮어서 상기 약액 처리조에 침적시키는 경우도 있다. 또 포화 상태까지 용해시킨 H2SiF6수용액 중에 A1 등을 용해시켜서, SiO2를 기판상에 퇴적시키는 방법도 있으나, 이 방법에도 제 8 도에 도시한 바와 같은 용조(溶槽)가 이용된다.
액정표시장치 등의 제조시에는 더욱 대형기판이 이용되기 때문에 약액처리조는 더욱 커진다.
(나) 실리콘 웨이퍼 상의 TAB 프로세스에서 이용되는 Au 범프를 도금법으로 형성하는 경우를 제 9 도를 이용해서 설명한다. 제 9 도와 같은 도금용조(21)에 Au 도금액(22)를 주입하여 60-70℃로 승온하여 웨이퍼(23)에 대향시킨 전극(24)를 설치하고, 직류 전원(25)에 의해 전류를 흘려서 웨이퍼(23)위를 도금한다.
(다) 포지티브형의 포토레지스트와 기판의 부착력을 향상시키기 위해 HMDS(헥사 메틸렌 디 실란) 등의 실란 결합제 처리가 레지스트 도포전에 행해지는 경우가 많다. 처리법으로서 제 10 도에 도시한 바와 같이, 밀폐가능한 용기내(31)에 HMDS 액체(32)와 피처리 기판(33)을 넣고 밀폐한 후, HMDS를 가열수단(34)로 가열해서 HMDS를 증발시키고, 증기(35)로 기판(33)상에 HMDS막을 형성하여 결합제 처리를 행한다.
(라) 포지티브형 포토레지스트의 현상 방법을 제 11 도를 이용해서 설명한다. 실리콘 웨이퍼(41)을 회전척(chuck)(42)상에 놓고 고착하여, 웨이퍼상의 패턴 노광된 레지스트에 현상액(43)을 스프레이노즐(44)에서 사출시키면서 웨이퍼(41)을 회전시켜 현상하는 방법이나, 노즐에서 현상액을 적하시켜, 웨이퍼 표면상에 표면장력을 이용해서 현상액을 고이게하여 정지상태에서 현상하는 방법등이 있다.
(마) 포토레지스트의 종래의 도포방법을 같은 제 11 도를 이용해서 설명한다.
스프레이노즐(44)에서 현상액 대신 포토레지스트(43)을 적하하여 웨이퍼(41)상에 레지스트가 생기도록 한다. 그후 웨이퍼를 회전척(42)에서 회전시켜, 불필요한 포토레지스트를 비산시켜서 원하는 막 두께의 레지스트층을 얻는다.
상기 (가)항의 처리액조(11)중에 기판(14)를 침적시키는 방법에서는 다량의 처리액(12)를 이용하기 때문에, 이것을 복수회 이용하는 것이 보통이다. 그러나, 피처리 기판(14)가 오염되어 있거나, 기판 홀더(15)가 오염되어 있으면, 오염물질이 처리액중에 녹아들어가서 이후에 처리되는 기판은 오염되어 버리게 된다. 이와 같은 오염을 크로스 콘테미네이션(cross contamination)이라고 한다. 이것을 방지하기 위해서는 1개의 처리시마다 처리액을 교환하면 좋으나, 비용이 너무들어서 현실적이지 못하다. 또 만약에 1회마다 처리액을 교환한다고 해도 기판의 면이 오염되어 있는 경우에는 표면까지 오염이 번져서 크로스 콘테미네이션을 방지하는 것은 불가능하다.
또 대량의 처리액을 처리액조에 넣어 가열하거나 하여 사용하기 때문에, 만약 액조가 파손된 경우에는 큰 사고로 되어 안전면에서도 문제가 있다.
상기 (나)항의 처리의 경우, 실리콘 웨이퍼의 이면이 도금액에 노출되기 때문에, 이면을 레지스트등으로 덮을 필요가 있고, 따라서 많은 공정이 필요해진다. 또 다른 문제점으로서는 웨이퍼(23)에 급전하는 방법으로, 급전부(26)이 도금액(22)중에 있기 때문에, 급전부에 Au가 도금되어, 다수장의 웨이퍼를 연속해서 처리할 수 없게 되는 경우도 있다. 또, 다량의 도금액(22)를 이용하기 때문에, 다수장의 기판을 처리하지만, 상기 (가)항에서 서술한 바와 같이 크로스 콘테미네이션 문제도 방지할 수 없고, 이 경우는 오염원인에 따라서는 도금 그 자체의 품질을 재현할 수 없어지는 경우도 있다.
상기 (다)항의 처리법의 문제점으로서는, HMDS막이 필요없는 웨이퍼 이면까지 형성되고, 이것이 후공정에서 입자 발생이나 오염의 원인으로 된다. 또 용기 내벽에 HMDS가 누적하여 두껍게 부착해서, 부착막이 벗겨지고, 입자 생성의 원인으로 되는 경우도 있다. 또는 용기 전체를 HMDS 증기로 채웠을 때, 농도를 균일하게 하기 어려워서 HMDS막 두께에 불균일이 생기기 쉽다.
상기의 (라)항의 현상방법의 문제점은, 먼저 스프레이로 사출시키면서 현상하면, 방사상의 현상무늬가 생긴다. 정지상태에서 현상하는 편이 무늬는 양호하나, 현상액이 레지스트 표면에 천천히 퍼져가면 이유는 잘 모르겠으나, 현상 무늬가 생기기 쉬워서 가능한 한 빠르게 현상액을 기판 표면에 퍼트리는 것이 좋다. 그러나 너무 빨리 퍼트리면 표면 장력이 없어져서 현상액이 정지하지 않고 웨이퍼 표면에서 새어버린다. 또 웨이퍼가 수평으로 지지되지 않으면 누출되거나, 바람이나 기계적인 진동, 흔들림등으로 현상액이 누출되는 경우도 있다. 또 웨이퍼(41)이 직경 200mm까지 커지면, 이미 표면장력 만으로 현상액(43)을 정지 유지시키기는 곤란하다.
상기 (마)항의 문제점으로서는, 레지스트를 회전 비산시킬 때 레지스트중의 용제도 휘발되기 때문에 레지스트의 점도가 높아진다. 따라서 용제 휘발속도와 비산속도가 조화되지 않으면 막두께의 불균일이 커진다. 이 현상을 스트리에이션이라고 한다. 스트리에이션을 최소로 하기 위해, 웨이퍼상의 레지스트 량을 많게 하거나, 회전속도나 가속도를 크게 함으로서 해결하고 있으나, 웨이퍼 직경이 커지면 이미 이것만으로는 해결할 수 없게 된다.
그래서 본 발명의 목적은 상기 크로스 콘테미네이션의 문제, 대량의 처리액을 사용하는 문제점 등을 개선하는 것이다.
본 발명은 피처리 기판의 처리면에 근접대향되도록 배치되는 처리용 유체 유지구에, 기판 대향부의 한면에서 다른면으로 관통하는 처리용 유체 통과 구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
즉, 본 발명은, 예를들면 평판상의 피처리 기판과 기판의 처리면에 대향하도록 기판과 거의 동일한 크기의 평판상의 다수의 구멍이 형성된 처리액 유지구를 근접 배치하여, 유지구에 처리액을 유지시켜 원하는 처리를 실시한 것으로, 본 발명에서는 피처리 기판의 처리면에만 처리액을 유지시켜 처리할 수 있기 때문에 처리액은 매우 소량으로 가능하고, 처리시마다 처리액을 폐기할 수 있기 때문에, 크로스 콘테미네이션을 방지할 수 있으며, 또 안전성 및 경제성도 높다.
이하 H2SO4와 H2O2혼합액을 이용해서 레지스트제거나 기판세정을 행하는 방법 및 장치의 실시예에 대해 제 1 도를 이용해서 기술한다.
석영으로 만든 기판 지지대(111)상에 직경 150mm의 피처리 실리콘 웨이퍼(112)가 놓여 있다. 도면에서는 생략했으나, 웨이퍼(112)에는 제거되는 레지스트가 웨이퍼 표본(본 실시예에서는 상면)에 부착되어 있다. 직경 1.5mm의 관통구멍(110)이 3mm 간격으로 150mm의 거의 원형전면(단 웨이퍼의 오리플라부는 제외)에 설치된 탄소로 제작한 두께 2mm, 직경 170mm의 처리액 유지구(113)을 H2SO4와 H2O2혼합액(10 : 1 혼합비)에 침적해서 관통구멍(110)을 처리액(115)로 채워둔다. 유지구(113)을 웨이퍼(112)와 0.5mm정도의 간격(114)으로 벌여두고 배치하면, 표면장력으로 유지구와 웨이퍼의 간격부(114)가 처리액(115)로 채워진다.
이리하여 기판지지대 하방에 배치되어 있는 램프 히터(116)을 점등함으로써, 적외선을 흡수하기 쉬운 탄소로 만들어져 있는 유지구(113)이 가열되어 신속하게 처리액(115)도 승온되어, 레지스트를 고속으로 제거한다. 이때의 온도를 150-200℃로 설정했다. 2-3분으로 레지스트 제거는 종료하였다. 종료후 유지구(113)을 들어올려 웨이퍼(112)를 꺼내고, 다음에 처리되는 웨이퍼를 기판 지지대에 올리고, 상기 공정을 반복해간다.
제 1 도의 것에 있어서는 유지구(113)이 다수의 구멍(110)을 가지고 있기 때문에, 상기 간격부(114)에 충분한 처리액(115)가 유지되어 있는 것이고, 또 유지구(113)과 기판(112)를 벗길 때 다수 구멍(110)을 통해 공기가 유입하기 때문에 벗기기 쉽게 된다. 이와 같은 유지구(113)은 다공질의 재료로 제작해도 동일 효과가 얻어진다. 당연히 유지구(113)은 처리액이 묻지 않는 재료를 선정해야 한다. 또 표면처리를 실시하여 내약성(耐藥性)을 향상시키는 것이 좋다. 또 유지구는 탄소나 유리섬유로 엮은 것을 이용해도 좋고, 종이와 같이 여과성의 것을 이용해도 좋다. 이러한 것을 이용한 경우는 굴곡가능하기 때문에, 기판에서 벗겨낼 때 더욱 용이하다. 또 굴곡 불가능한 재료라도 원형 봉상의 것을 실등으로 망상으로 엮어도 좋고, 적당한 연결구를 이용해서 묶어도 좋다.
본 실시예에서는 처리액에 유지구(113)을 침적한 후 기판(112)상에 놓았으나, 기판상에 유지구를 놓은후 처리액을 유지구 상에 적하해도 좋다. 또 유지구에 레지스트 제거시의 오염물이 부착되어 크로스 콘테미네이션이 염려되는 경우는 필요에 따라 유지구(113)을 별도수단으로 세정하면 된다. 이때는 유지구를 복수개 준비해 두면 공정이 정체되는 일은 없다.
제 1 도의 장치를 이용한 변형예로서는, 가열인산(H3PO4)를 이용해서 웨이퍼상의 Si3N4막을 제거하는 처리가 있다. 이 경우, 인산 사용량은 매우 미량이라도 가능하기 때문에, 안전성이 확보되고, 또 플라즈마를 이용하는 처리 방법에 비해 훨씬 염가인 장치로 가능하고, 또 바탕 기판을 침범하지도 않고, 전혀 손상되지도 않았다.
또 별도의 변형예로서는 처리액에 불화암모늄(NH4F) 용액이나 희석 불산을 이용해서 SiO2막을 식각제거 하거나, 유기계 알칼리 용액을 이용해서 실리콘을 식각 제거하였다. 본 실시예에서는 유지구를 고순도의 CVD법으로 형성된 SiC막으로 제작했다.
다음에 웨이퍼 이면의 산화막을 제거하는 처리공정에 적용한 실시예를 제 2 도를 이용해서 설명한다. 제 2 도(b)는 동도면(a)의 부분 A의 확대도이다. 10mm의 두께로 150mm 직경의 탄소판(211)에 직경 2mm, 깊이 2mm의 유저공(有底孔)을 4mm 피치로 거의 전면에 설치하고, 그중 약 30%의 구멍의 저부에 직경 1mm의 관통구멍(213)을 형성했다. 이와 같은 탄소판(211)의 전면에 CVD법으로 SiC막을 약 50μm 퇴적하여 처리액 유지구(214)로 했다. 유지구 외주부에 간헐적으로, 예를들면, 3개소의 융기부(215)를 설치하여 웨이퍼(217)과의 간격조정에 이용했다. 본 실시예에서는 융기부(215)를 1.5mm 높이로 했다. 또 상기 처리액 유지구(214)상에 불화암모늄(NH4F) 수용액(216)을 유저공(212)에서 조금 올라오는 정도까지 적하했다.
다음에 피처리 기판(217)의 처리면(이 경우는 웨이퍼 이면)을 NH4F 수용액에 접하도록 하면서 상기 융기부(215)상에 올려 놓았다. 표면장력에 의해 도시한 바와 같이 NH4F 수용액(216)은 웨이퍼 이면 전체로 확산되었다. 처리액(216)을 유저공(212)에 적하하고 있을 때, 관통구멍(213)의 내부에도 처리액은 유입되나 표면장력 때문에 하부로 누출되는 일은 없다. 다만 웨이퍼 이면이 처리액에 접했을때의 압력으로 관통구멍(213)내의 처리액이 누출되지 않는 정도로 적하량을 조정하는 것이 좋다. 또 처리액과 기판 처리면이 접할 때, 공기(기포)가 들어가지 않도록 서로 경사를 주어 웨이퍼와 유지구를 접하도록 해가면 좋다. 상기 기판의 처리를 종료하고 들어올릴 때 기판과 유지구로 형성되는 틈새부에 관통구멍(213)을 통해 공기가 유입하여 비교적 용이하게 양자를 분리할 수 있다.
제 2 변형예로서, 제 3 도에 도시한 바와 같이 상기 처리액 유지구(214)의 저부에 밀폐공간(251)을 설치해서 공간내의 압력을 조정할 수 있는 기구[도면에서는 N2봄버(254)와 압력 조정 밸브(255)]를 병설해 둔다. 처리액(216)을 유지구에 적하한후, 공간내의 압력을 조정하여 기판 처리면과 처리액이 접하도록 하거나, 처리중에 공간내 압력을 증감시켜 처리액(216)에 진동을 주어 처리액의 확산을 촉진시킬 수도 있다.
또 기판을 들어올리는 경우, 공간(251)내의 압력을 조정해서 관통구멍(213)을 통해서 가스유입을 용이하게 하는 것도 좋다. 또 공간(251)내에 가스가 아닌 처리액을 넣고, 관통구멍(213)을 통해 처리액(216)을 공급하며, 또 처리 종료후 처리액을 회수할 수도 있다. 또 밀폐공간의 저부(252)에 초음파 발진자(253)을 부설하여 처리액에 진동을 주거나, 온도 정기구를 설치해서 처리액 및 처리중의 온도를 제어할 수도 있다.
다음에 실리콘 웨이퍼에 TAB용 Au 범프 도금처리를 행한 실시예를 제 4 도를 이용해서 설명한다. 직경 175mm의 석영으로 만든 기판 지지용기(311)과 이것과 거의 동일지름의 처리액 유지구(312)가 있고, 이것으로 밀폐공간이 형성되도록 용기 외주에는 O링(313)이 매설되어 있다. 용기(311)의 중앙부에 융기부(310)을 설치해서 Au 도금처리된 직경 125mm의 웨이퍼(314)를 놓는 융기부(310)에는 도금용 전극(315)가 설치되어 있고, 웨이퍼와 전극의 접촉을 양호하게 하기 위해, 웨이퍼의 진공척 기구(316)을 병설해도 좋다. 또 융기부(310)에는 웨이퍼(314)를 쉽게 올리고 내리기 위해 절개부(317)을 설치해도 좋다. 밀폐용기내 압력을 조정하기 위해 가스 공급기구(318)이나 드레인(가스배출)기구(319)가 용기에 설치되어 있다. 상기의 처리액 유지구(312)는 스텐레스강으로 만들어지고 모든면은 테플론가공되어 있으며, 웨이퍼와 대향하는 면은 Pt막이 표면처리되어 있다. 또 웨이퍼와의 대향면에는 다수의 관통구멍(309)가 뚫려있다. 또 상기 유지구의 처리액 내장공간(320)에 연결하도록 처리액 공급기구(321)이 있어서, 상기 공급기구에서 상기 내장공간(320)의 처리액 압력을 조정할 수 있게 되어 있다. 이렇게하여, 밀폐 용기내 압력과 처리액 압력의 균형을 유지 하면서 피처리기판(314)와 유지구(312)의 틈새에 도금액(322)를 채운다. 그리고 유지구(312)와 융기부 도금용 전극(315)사이에 직류 전원(323)을 접속하여 도금한다. 이때 도금액의 순환을 개선하기 위해 유지구의 다른면에 초음파 진동자(324)를 병설해서 초음파를 가해도 좋고, 도금액 공급기구(321)을 이용해서 도금도중에 상기 틈새의 도금액을 내장공간(320)의 도금액과 교환하도록 조작해도 좋다.
본 실시예에서는 웨이퍼 이면이 도금액(322)에 접하지 않기 때문에, 상기 종래예와 같이 이면이 오염되는 일도, 전극에 Au가 도금되는 일도 없이, 양호하게 Au 범프 도금을 행할 수 있다. 또 도금액이 밀폐 공간에 있기 때문에 도금액 증기가 외부로 누출하지 않아, 안전상에도 이점이 있었다.
상기 제 4 도의 장치를 이용해서, 도금액 대신 현상액으로 현상할 수도 있었다. 당연히 이 경우에는 도금용 전원(323)이나 전극은 불필요하다. 본 실시예에서는 현상액이 순식간에 웨이퍼 표면을 덮을 수 있게 되기 때문에, 현상 무늬가 없이 균일한 현상이 가능했다. 또 직경 200mm의 웨이퍼 상에서도 전혀 문제없이, 균일성이 양호한 현상이 가능했다.
또 제 4 의 다른 변형예로서, 현상액 대신 포화상태까지 용해시킨 H2SiF6수용액에 Al 등을 용해시킨 처리액을 이용함으로써, 기판상에 SiO2막을 퇴적시킬 수 있었다. 이 경우, 기판에만 온도를(60-80℃)가할 수 있어서 이상굴절 등의 문제가 없이도 퇴적속도를 증가시킬 수 있었다.
또 다른 변형예로서, 실란결합제(예를들면 웨이퍼와 포토레지스트의 접착용)처리에 상기 장치를 적용한 것에 대해 설명한다. 여기서 실란결합제 용액을 적당히 희석해서 용액을 직접 도포 처리해도 좋고, 종래예와 마찬가지로 증기로 처리하는 경우에는, 제 5 도에 도시한 바와 같이 상기 처리액 유지구(312)의 전면을 다공질 물체(351)로 덮도록 해서 본 발명에서의 유체로서 증기만이 통과하도록 하여 처리해도 좋다. 다공질물체(351)로서는 카본이나 세라믹등으로 이루어지는 다공질 물질을 이용해도 좋고, 종이나 포 등을 이용해도 좋다. 본 실시예에서 실란 결합제가 웨이퍼 이면에는 도포되지 않기 때문에 입자 발생없이 양호했다.
다음에 포토레지스트의 도포를 행하는 실시예를 제 6 도를 이용해서 설명한다. 즉 회전 및 상하 이동 가능한 웨이퍼 지지척(411)에 웨이퍼(412)를 진공척 등의 수단으로 고착한다. 포토레지스트를 유지하는 유지구(413)에는 레지스트의 공급기구(414) 및 레지스트(415)를 내장할 수 있는 공간이 있다. 또 웨이퍼(412)와 대향하는 면(416)은 다공질 물체(실시예에서는 종이상으로 여과되는 테플론 시트를 이용했다)로 만들었다. 그리고 웨이퍼(412)와 유지구(413)을 근접시켜, 유지구에서 포토레지스트를 스며 나오게하여 웨이퍼 상에 레지스트층을 형성한다. 그후, 웨이퍼 지지척(411)을 하방으로 이동시켜 천천히 회전시킴으로써 잉여 레지스트를 비산시켜서 웨이퍼상에 원하는 막두께의 레지스트층을 얻을 수 있었다.
본 실시예에 따르면, 레지스트 비산시 웨이퍼 상방에 레지스트를 대량으로 내장한 유지구가 존재하고 있기 때문에, 여기에서 레지스트 용제가 휘발해서 웨이퍼근방은 레지스트 용제로 충만해있다. 때문에 레지스트 건조가 일어나기 어렵게 되어, 저속회전으로 원하는 막두께를 얻을 수 있고, 또 레지스트의 소비량도 종래 방법에 비해 1/3-1/10로 도포할 수 있다. 그런데 웨이퍼근방의 레지스트용제 농도가 너무 높으면 레지스트가 건조되지 않아, 일정한 막두께로 되기 어렵다.
때문에 원하는 막두께로 된 후에, 상기 웨이퍼척(411)을 더욱 하방으로 이동시켜 레지스트 용제 농도를 감소시킨다.
제 6 도에 의한 본 장치를 이용해서 실란결합제 처리를 행할 수도 있고, 또 현상처리에도 적절한 것은 자명하다.
액정 표시 장치 등의 제조에 이용되는 유리 등의 대형기판 처리의 실시예를 제 7 도를 이용해서 설명한다. 유리 기판(511)이 기판 전송 롤러(512)상에 놓여져 전송가능하게 한다. 기판(511)의 상방에 처리액으로 침투되지 않는 포[예를들면 여과법으로 제작된 테플론지나 폴리아미드, 폴리에테르케론 등의 이른바 엔지니어링 플라스틱 섬유로 만든 메시(mesh)나 포 모양의 것이라도 좋다]로 만든 연결 매듭이 없는 벨트(513)이 있고, 이것은 복수개의 벨트 회전용롤러(514)로 회전하도록 되어 있다. 이러한 포 벨트에 처리액을 공급하는 처리액 공급기구(515)도 병설되어 있다.
이상으로 이루어지는 처리액 유지구(515)을 기판(511)에 근접시켜 설치해서, 처리액(523)이 기판 처리면에 접하도록 한다. 그래서 기판(511)을 전송시키면서 처리를 행한다. 처리 종료후의 기판 표면에 잔존해 있는 처리액(523)을 제거 세정하기 위한 세정기구(517)이 있다. 이것은 중심부에 세정수(518)을 공급하는 세정수 공급부(519), 이것을 둘러싸도록 사용종료 세정수 및 잔존처리액을 회수하는 감압상태의 회수부(520)으로 이루어져 있고, 공급부 선단에는 세정수량 조정을 위한 다공질 물체(521)이 있고, 이것으로 수량을 조정하여 기판 표면을 세정할 수 있도록 한다. 또 잔존하는 세정수를 제거하기 위해, 함수성이 풍부한 포로 이루어지는 청소기구(522)가 있고, 필요에 따라 다시 건조기구를 설치해도 좋다.
이와 같이 하면 대형기판(511)에서도 매우 소량으로 처리액으로 효율좋게 처리할 수 있다.
본 발명의 처리 장치 및 처리 방법을 이용하면 소량의 처리용 유체로 안전하고 효율적인 기판 처리가 가능하고 또 기판 이면에서의 오염도 전혀 문제로 되지 않았다.

Claims (13)

  1. 피처리 기판(112,217,314,412 및 511)의 처리면에 근접대향 하도록 배치되는 처리용 유체 유지구(113,214,312,413 및 516)에 기판대향부의 일면에서 다른면으로 관통하는 처리용 유체 관통구멍(110,213 및 309)를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 유지구의 상기 피처리 기판의 대향면과의 반대면측에 처리용 유체의 저장부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 유지구가 굴곡 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 유지구는 그 일부가 피처리 기판에 근접하면서 전송되는 매듭이 없는 벨트모양을 하고, 벨트면에 처리용 유체의 공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 유지구의 상기 피처리 기판과의 대향면부에는 다수의 유저공이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 유지구의 상기 피처리 기판과의 대향면부에는, 간격을 두고 상기 피처리 기판과의 간격 조정용의 융기부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 처리용 유체가 막체(膜體)제거용, 막체형성용, 현상용, 세정용중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 피처리 기판(112)의 처리면에 근접 대향하도록 배치되는 처리용 유체 유지구(113)에, 기판 대향부의 일면에서 다른면으로 관통하는 처리용 유체 관통구멍(110)을 갖는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서, 처리용 유체를 유지구에 적하하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 피처리 기판(112)의 처리면에 근접 대향하도록 배치되는 처리용 유체 유지구(113)에, 기판 대향부의 일면에서 다른면으로 관통하는 처리용 유체 관통구멍(110)을 갖는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서, 처리용 유체가 유지구를 침적한 상태로 유지되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  10. 피처리 기판(112)의 처리면에 근접 대향하도록 배치되는 처리용 유체 유지구(113)에 기판대향부의 일면에서 다른면으로 관통하는 처리용 유체 관통구멍(110)을 가지고, 유지구의 기판과의 대향면과는 반대면측에 상기 처리용 유체의 저장부를 갖는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서, 처리용 유체가 저장부에서 유지구로 보내지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  11. 피처리 기판(217)의 처리면에 근접 대향하도록 배치되는 처리용 유체 유지구(214)에 기판대향부의 일면에서 다른면으로 관통하는 처리용 유체 관통구멍(213)을 가지고, 유지구의 기판과의 대향면과는 반대면측에 처리용 유체의 저장부를 갖는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서, 처리용 유체에 가해지는 압력을 조정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  12. 피처리 기판(112)의 처리면에 근접 대향하도록 배치되는 처리용 유체 유지구에 기판 대향부의 일면에서 다른면으로 관통하는 처리용 유체 관통구멍(110)을 갖는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서, 처리용 유체의 온도가 제어되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  13. 피처리 기판(127)의 처리면에 근접 대향하도록 배치되는 처리용 유체 유지구(214)에 기판 대향부의 일면에서 다른면으로 관통하는 처리용 유체 관통구멍(213)을 갖는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서, 처리용 유체에 진동을 주는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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