Claims (13)
n형의 에피택셜층 상에 제1절연막을 형성시켜 활성 영역을 오픈시킨 다음 폴리 실리콘층, 릴리프 산화막, 실리콘 나이트라이드층 및 제2절연막을 적층 형성하는 제1공정, 제2절연막 및 실리콘 나이트라이드층을 연속적으로 식각하여 활성 영역의 오목 부위에만 잔류시키는 제2공정, 제1불순물을 주입하고 잔류 제2절연막을 제거한 다음 열산화하여 제3절연막을 형성한 후 잔류하는 실리콘 나이트라이드층을 제거하는 제3공정, 활성 영역의 오목부위 바닥에 있는 릴리피 산화막과 폴리 실리콘층을 오픈시켜 에피택셜층을 노출하는 제4공정, 상기 오픈 영역에 노출되어 있는 실리콘층을 산화하여 제4절연막을 형성하고 오픈 영역의 내측벽에 폴리 실리콘 스페이서를 형성한 다음 상기 스페이서를 이용하여 에미터 콘택을 형성하는 제4공정, 폴리 실리콘을 적층하고 제2불순물을 주입한 다음 에미터 전극을 형성한 후 상기 제1, 제2불순물을 동시에 드라이브 인하는 제5공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The first step, the second insulating film and the silicon nitride are formed by forming a first insulating film on the n-type epitaxial layer to open the active region, and then laminating a polysilicon layer, a relief oxide film, a silicon nitride layer and a second insulating film. The second step of continuously etching the layer and remaining only in the concave portion of the active region, injecting the first impurity, removing the residual second insulating film and thermally oxidizing to form a third insulating film, and then removing the remaining silicon nitride layer In the third process, the fourth step of opening the relief film and the polysilicon layer at the bottom of the recess of the active area to expose the epitaxial layer, and oxidizing the silicon layer exposed to the open area to form a fourth insulating film. The fourth step of forming a polysilicon spacer on the inner wall of the open area and then forming an emitter contact using the spacer, polysilicon is applied And a fifth step of driving the first and second impurities at the same time after forming the emitter electrode after injecting the second impurity.
제1항에 있어서, 상기 절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the insulating film is an oxide film.
제1항에 있어서, 상기 제1공정의 적층막은 n형 에피택셜층 상부에 제1절연막인 산화하막을 적층 형성시키고 활성 영역을 형성하기 위하여 사진 식각공정으로 활성 영역의 상기 제1절연막을 오픈시킨 다음 비정질 실리콘층을 적층한 후 열 산화하여 릴리프 산화막을 형성한 다음 실리콘 나이트라이드층을 적층 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the first layer of the first layer is formed by stacking a lower oxide layer, which is a first insulating layer, on the n-type epitaxial layer, and opening the first insulating layer of the active region by a photolithography process to form an active region. And laminating an amorphous silicon layer, followed by thermal oxidation to form a relief oxide film, followed by laminating a silicon nitride layer.
제1항에 있어서, 상기 제1공정의 적층막은 n형 에피택셜층 상부에 제1절연막인 산화막을 적층 형성시키고 활성 영역을 형성하기 위하여 사진 식각공정으로 활성 영역의 상기 제1절연막을 오픈시킨 다음 비정질 실리콘과 릴리프 산화막을 차례로 적층 형성한 후 열처리하여 상기 비정질 실리콘 폴리 실리콘로 변환하고, 그 위에 실리콘 나이트라이드층을 적층하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the first layer of the first layer is formed by stacking an oxide layer, which is a first insulating layer, on the n-type epitaxial layer and opening the first insulating layer of the active region by a photolithography process to form an active region. A method of manufacturing a semiconductor device, characterized by laminating an amorphous silicon and a relief oxide film in sequence, and then performing heat treatment to convert the amorphous silicon polysilicon into a silicon nitride layer.
제1항에 있어서, 상기 제2공정의 제2절연막을 폴리싱, 또는 에치백하여 활성 영역의 오목 부위에만 잔류시켜 평탄화시킨 다음 실리콘 나이트라이드층을 습식 식각하여 제거시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The semiconductor device of claim 1, wherein the second insulating layer of the second process is polished or etched to remain in the recessed portion of the active region to be planarized, and then the silicon nitride layer is wet-etched to remove the semiconductor device. Way.
제1항에 있어서, 상기 제1불순물의 주입은 보론 소오스를 침적하거나 보론 이온을 이온 주입하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반동체 장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the first impurity is implanted by depositing boron sources or ion implantation of boron ions.
제6항에 있어서, 상기 보론 소오스는 BN, 또는 BBr3인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of claim 6, wherein the boron source is BN or BBr 3 .
제1항에 있어서, 상기 제2불순물은 n+형 이온인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the second impurity is n + type ion.
제1항에 있어서, 상기 제4공정은 건식 식각, 건식 식각과 습식 식각을 혼용하는 일군의 식각 공정에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the fourth process comprises at least one selected from a group of etching processes in which dry etching, dry etching, and wet etching are mixed.
제1항에 있어서, 상기 제5공정의 실리콘층은 오픈 영역내의 폴리 실리콘층의 측면과 에피택셜층인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the silicon layer of the fifth step is a side surface and an epitaxial layer of the polysilicon layer in the open region.
제1항에 있어서, 상기와 다른 도전형의 반도체 기판, 또는 다른 도전형의 에피택셜층, 또는 다른 도전형의 웰의 일군에서 선택된 어느 하나를 사용하고 상기 제1, 제2불순물과 반대 도전형의 불순물 원을 등 제조 공정에 사용하여 고속의 PNP형 바이폴라 트랜지스터가 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The semiconductor substrate of claim 1, wherein the semiconductor substrate of a different conductivity type, or an epitaxial layer of another conductivity type, or a group of wells of another conductivity type is used, and the first and second impurities are opposite to each other. A high-speed PNP type bipolar transistor is produced using an impurity source of in a manufacturing process or the like.
n형의 에피택셜층 상에 제1절연막을 형성시켜 활성 영역을 오픈시킨 다음 폴리 실리콘층, 릴리프 산화막, 실리콘 나이트라이드층 및 제2절연막을 적층 형성하는 제1공정, 제2절연막 및 실리콘 나이트라이드층을 연속적으로 식각하여 활성 영역의 오목부위에만 잔류시키는 제2공정, 제1불순물을 주입하고 잔류 제2절연막을 제거한 다음 열산화하여 제3절연막을 형성한 후 잔류하는 실리콘 나이트라이드층을 제거하는 제3공정, 활성 영역의 오목 부위 바닥에 있는 릴리프 산화막과 폴리 실리콘층을 오픈시켜 에피택셜층을 노출하는 제4공정, 상기 오픈 영역에 노출되어 있는 실리콘층을 산화하여 제4절연막을 형성하고 오픈 영역의 내측벽에 폴리 실리콘 스페이서를 형성한 다음 상기 스페이서를 이용하여 에미터 콘택을 형성하는 제5공정, 폴리 실리콘을 적층하고 제2불순물을 주입하여 에미터 전극을 형성하는 제6공정, 에미터 전극을 형성한 후 상기 제1, 제2불순물을 동시에 드라이브 인하는 제7공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The first step, the second insulating film and the silicon nitride are formed by forming a first insulating film on the n-type epitaxial layer to open the active region, and then laminating a polysilicon layer, a relief oxide film, a silicon nitride layer and a second insulating film. The second step of continuously etching the layer and remaining only in the concave portion of the active region, injecting the first impurity, removing the remaining second insulating film, and thermally oxidizing to form a third insulating film, and then removing the remaining silicon nitride layer In the third process, the fourth step of exposing the epitaxial layer by opening the relief oxide film and the polysilicon layer at the bottom of the concave portion of the active region, and oxidizing the silicon layer exposed in the open area to form a fourth insulating film is opened. The fifth step of forming a polysilicon spacer on the inner wall of the region and then forming an emitter contact using the spacer, polysilicon is applied And a sixth step of forming an emitter electrode by injecting a second impurity into a layer and a seventh step of simultaneously driving in the first and second impurities after forming the emitter electrode. Method of preparation.
제12항에 있어서, 상기 제4절연막 형성후 에미터와 베이스의 절연을 보강하기 위하여 제5절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 12, wherein a fifth insulating film is formed to reinforce the insulation between the emitter and the base after forming the fourth insulating film.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.