KR940010183A - 플라즈마 저압화학 증기증착방법 및 그 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 제조공정에서 대상웨이퍼에 기능별 화합물질 필름을 증착시키는 기술에 관한 것이다.

일반적으로는 진공화학중기증착법으로 시도하고 있으나 소정의 화합물필름을 적층시키기위해 동원되는 화학물에 대해 진공분위기에서 열분해중기증착시키는 방법이므로 다수종 동원되는 화학물의 열분해온도가 서로 상이하여 높은공정온도로 실시해야하므로인해 공정관리의 주의력요구 및 높은 공정온도에 의한 열적작용으로 물리, 화학적으로 불균일한 화학물 필름이 형성되어 불량률이 높은 결점이 있었다.

따라서 본 발명에서는 동원되는 화학물에 대해 일차적으로 플라즈마에 의해 이온화시켜 진공화학증착 분위기에서 소정의 화합물 필름을 증착시키므로서 공정온도가 낮아짐은 물론 균일한 화학적 조성을 갖는 화합물필름을 얻게됨과 공정온도가 낮음으로 인해 양질의 증착을 가져오게되는 새로운 플라즈마저압 화학증착법을 제공하였고, 또한 그러한 증착방법을 신뢰성 있게 실현할 수 있도록 플라즈마 저압화학 중기증착장치를 제공한 기술내용이다.

Description

플라즈마 저압화학 증기증착방법 및 그 장치

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명의 증착공정을 수행하는데 사용되는 공정장치에 대한 개략적인 구성도,

제2도는 본 발명에 의한 플라즈마 저압화학 증기증화 장치에 대한 구성도,

제3도는 본 발명에 의한 플라즈마 저압화학 증기증착 장치에 대한 또 다른 구성도,

제4도는 본 발명에 의한 증착공정 및 각 공정의 조건을 나타난 단계별 공정도.

Claims (3)

1. 공정온도를 유지시켜 질소(N₂)를 흘리면서 웨이퍼를 이동안착시키는 단계와, 전기로 내부를 진공분위기로 하는 단계와, 웨이퍼에 증착온도가 되도록 가열유지하는 단계와, 웨이퍼를 질소(N₂)로 세척하는 단계와, 동원되는 다수종 화학물을 진공도가 유지되는 내부에 진입시키서 플라즈마에 의해 이온화시키는 단계와, 이온화된 화학물이 이동하여 웨이퍼에 진공증기증착되는 단계와, 사용되었던 화학물을 감소제거시키는 단계와, 화합물핍름이 증착된 웨이퍼를 세척하는 단계와, 전기로 내부를 대기압상태로 변환시키는 단계와, 화합물 필름이 증착된 웨이퍼를 취출하는 단계로 이루어진 일련의 단계별공정에 의하여 증착완료함을 특징으로 하는 플라즈마 저압화학 증기증착방법.
2. 제1항에 있어서, 소정의 화합물필름을 증착하기위하여 동원되는 화학물을 일차적으로 플라즈마로 하여금 이온화시켜 진공화학증기증착영역으로 이동시켜 대상 웨이퍼에 증착되도록하는 공정을 특징으로 하는 플라즈마 저압화학 증기증착방법.
3. 소정의 화합물필름을 화학증기증착을 위한 전기로 장치에 있어서, 동원되는 화학물이 전기로(1)에 진입되어 배치되어 있는 웨이퍼(W)위에 화학물이 증착되는 영역 II가 구비되고 당해 영역 II에 도달되기 이전의 위치에 해당하는 화학물 진입초기위치(전기로외부위치, 전기로하단, 전기로가스배출구 근접위치)에 플라즈마발생기(9)가 부설되어진 구성으로 영역 I에서 외부로 부터 진입되는 화학물에 대해 이온화시켜 다음이동영역인 영역 II(증착영역)으로 이동되도록 구성되어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 저압화학 증기증착장치.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.