KR940009769B1 - 3핀 모오스형 링거 - Google Patents

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삼성전자 주식회사
김광호
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Abstract

내용 없음.

Description

3핀 모오스형 링거
제 1 도는 종래의 8핀 바이폴라형 링거의 블럭도.
제 2 도는 본 발명 3핀 MOS형 링거의 블럭도.
제 3 도는 본 발명에 따른 전압 히스케리시스 범위 신호 발생회로(400)와 변형된 MOS형 신호기의 전압 제어회로(500)의 블럭도.
제 4 도는 본 발명에 따른 카운터(300)의 상세블럭도.
제 5 도는 본 발명 3핀 MOS형 링거의 실시예.
제 6 도는 본 발명 3핀 모오스형 링거의 동작 타이밍도이다.
본 발명은 전화기의 링신호가 들어올 때 AC성분을 DC로 컨버젼하는 링 사운드를 제공하는 디바이스인 링거(Ringer)에 관한 것이다.
종래의 링거는 제 1 도에 도시한 바와같이 바이폴라 프로세스로서 8핀으로 구현하였는데 이러한 링거는 외부에서 저항값(RSL)을 조정하여 동작개시 전압레벨을 찾아 원하는 동작개시 전압레벨이 되었을 때 인에이블(enable)되어 링신호를 발생하였다.
제 1 도에 도시한 종래의 8핀 바이폴라형 링거는 듀얼톤(Dual Tone)주파수를 만들어 주기 위해 두개의 발진기를 사용하여야 하므로 R2,C2,R3,C3등의 구성요소(Components)를 사용하여 구현하였다.
따라서, 입력된 동작개시 전압의 레벨 크기에 따라 발진기의 오차가 크고 IC핀수 및 소자 (R,C)가 많이 필요하여 원가상승의 요인이 되었다.
뿐만아니라 종래 바이폴라형 링거에서는 전화기를 2대 이상 도일한 전선에 연결하였을때 한 전화기로 펄스 다이얼 모드에서 다이얼링시 다른 전화기에서 발생되는 태핑현상이 야기되는 문제점도 있었다.
상기한 문제점을 해결하기 위해 발명한 본 발명은 동작개시 전압 근처에서의 오동작을 전압 히스테리시스 범위 신호발생회로(Voltage Hysteresis Range Signal Generation Circuit)를 사용하여 없애고 링주파수 선별기도 사용하지 않는 간단한 회로구성의 링거를 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 칩의 핀수 및 외부 소자수도 줄이고 모오스로 구성된 전압제어회로를 사용하여 종래의 바이폴라 링거에서 전화기의 2개 이상 동일한 전화기에 연결하였을때 한 전화기를 펄스 다이얼모드에서 다이얼링시 다른 전화기에서 링 신호가 발생되는 태핑현상을 제거한 3핀 모오스형 링거를 제공함에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 제 2 도에 도시한 바와같이 동작개시 전압레벨을 제어하는 전압제어회로(500)와, 동작개시 전압레벨(Vsb)과 N-bias전압(Vnb)을 상기 전압제어회로(500)에 제공하기 위해 전압제어회로(500)에 연결된 전압 히스테리시스 범위 신호 발생회로(400), 상기 전압 히스테리시스 범위 신호 발생회로(400)에서 제공된 안정된 인에이블신호(EN)를 입력하여 주파수(fosc)의 신호를 발생하는 비교기로 이루어진 발진회로(100), 상기 발진주파수(fosc)를 분주하여 주파수(fT)를 발생하는 분주기(200) 및 상기 주파수(fT)의 신호와 EN신호를 입력하여 로직에 구현하여 링출력(Ro)을 발생시키는 카운터(300)로 구성됨을 특징으로 한다.
제 3 도는 상기의 전압 히스테리시스 범위 신호 발생회로(400)와 변형된 모오스형 신호기의 전압제어회로(500)의 상세회로도, 제 4 도는 상기 제 2 도의 카운터(300) 블럭 상세회로도로서, 제 4 도에서 f1=fT/32 한 주파수신호는 1031㎐에 해당하며, 이 주파수(f1)의 신호가 셀렉터 로직(SLO)의 입력단자 I1으로 입력되고 주파수 신호는 1031Hz에 해당하며, 이 주파수(f1)의 신호가 셀렉터 로직(SLO)의 I2입력단자로 입력되며, f2=fT/24로 한 주파수(f2=1375㎐)신호는 상기 셀렉터 로직(SLO)의 I2입력단자로 입력되면, f3=f2/124(11Hz)에 해당하는 주파수 신호는 셀렉터 로직(SLO)의 콘트롤 단자 S로 입력되어 인에이블신호(EN)가 하이레벨인 동안 f1과 f2를 번갈아 출력신호(Ro)로서 출력시키는 것으로 듀얼 톤 링거(Dual Tone Ringer)를 구현할 수 있다.
여기서 fT는 통상적으로 16.5KHz이다.
제 5 도는 본 발명의 실시예를 도시한 것으로 모오스형 링거의 외부소자로서 제너다이오드(ZD)와 파워리플 안전화용 캐패시턴스(C)만을 사용하여 종래 바이폴라 링거에서 듀얼톤을 제공하기 위하여 RSL,R2,C2,R3,C3의 외부자를 사용하여 두개의 발진기를 구성한 것에 비해 회로가 매우 간단하고 칩의 핀수도 적으므로 획기적으로 제품의 원가를 절감할 수 있다.
제 6 도는 본 발명 3핀 모오스형 링거의 동작 타이밍도를 나타낸 것이다. 변형된 모오스형 신호기의 전압 제어회로(500)는 전압 히스테리시스 범위 신호 발생회로(400)에 있는 전압비교기(Voltage Comparator) 회로를 사용하여 N-bias 전압 (Vnb)과 동작개시 전압레벨(Vsb)을 입력단자로 입력하여 저항 R1p=R1, R3p=R3/R2가 되도록 저항값이 설정되어 있으므로 전원전압이 로우레벨의 트리거 전압인이 될때까지는 비교기 회로 1에서 출력되는 신호 (EN)의 반전신호인 신호(CPEN : current path enable)가 하이로 되어 초기 태핑전류가 ISTC(=VDD/R10)가 흘러 전원전압 VDD가 증가하는 것을 억제한다. 따라서 Vtg〉VDD일때는 신호(CPEN)가 하이가 되어 전류(ISTC)가 흐름으로써 링거가 인에이블 되는 것을 억제할 수 있다.
또한 제 6 도의 동작 타이밍도에 나타낸 바와 같이 전류가 흐르고 있는 상태에서 전원전압 VDD가 로우레벨트리거 전압 Vtg1까지 증가하면 신호(CPEN)가 로우상태로 됨에 따라 전류패스가 없어져서 전원전압 VDD는 하이레벨 트리거전압까지 증가하여 링거를 인에이블시켜 동작하게 되는 것이다.
상술한 바와 같이 전화기에 꼭 필요한 디바이스인 링거를 종래에는 높은 동작전압과 링사운드 크기관계로 바이폴라 프로세스로 구현하였는데 이러한 종래 링거는 교환기로부터 오는 링신호의 진폭크기가 30Vrms∼150Vrms의 범위를 가질때의 동작개시전압, 발진기의 R2,C2,R3,C3값의 오차에 의해 발생하는 발진주파수 오차에 의한 주파수 편차, 링진폭이 150Vrms의 큰 전압인 경우 링거를 계속 동작시킬때 발생하는 내압 그리고 R2,C2,R3,C3의 외부소자로 두개의 발진기를 만들어 듀얼톤을 제공하나 트리플톤을 제공하지 못하는 소리의 획일성 및 전화기를 병렬연결하여 사용할때 전화기는 온후크(ON Hook)된 상태 그리고 다른 전화기는 오프후크(OFF Hook)된 상태에서 전화를 할때 다이얼링 되는 펄스에 의하여 온후크 상태에서 링신호가 발생하는 태핑불량 등의 문제점이 있었으나 본 발명은 이와 같은 태핑현상이 바랭하지 않는 장점이 있고, 종래에는 두개의 발진기가 사용되어야 하므로 8핀으로 구현되었던 링거를 모오스형 링거로 만들면서 공정에 독립한 회로인 비교기를 이용한 발진회로(100)를 내장하고 전압 히스테리시스 범위 신호 발생회로(400)와 변형된 모오스형 신호기의 전압제어회로(500)를 사용하여 카운터(300) 구조에 따라 듀얼톤 링거와 트리플톤 링거를 3핀으로 만들 수 있어서 응용(application) 측면에서 외부소자 감소 및 칩 면적을 줄일 수 있는 효과뿐만 아니라 원가를 절감할 수 있는 장점이 있다.

Claims (3)

  1. 동작개시 전압레벨을 제어하는 전압제어회로(500)와, 동작개시 전압레벨(Vsb)과 N-bias전압(Vnb)을 상기 전압제어회로(500)에 제공하기 위해 전압제어회로(500)에 연결된 전압 히스테리시스 범위 신호 발생회로(400), 상기 전압 히스테리시스 범위 신호 발생회로(400)에서 제공된 안정된 인에이블신호(EN)를 입력하여 주파수(fosc)의 신호를 발생하는 비교기로 이루어진 발진회로(100), 상기 발진주파수(fosc)를 분주하여 주파수 (fT) 신호를 발생하는 분주기(200) 및 상기 주파수(fT)의 신호와 EN신호를 입력하여 로직에 구현하여 링출력(Ro)을 발생시키는 카운터(300)로 구성되어 태핑현상이 없고 칩외부의 회로가 간단한 것을 특징으로 하는 3핀 모오스형 링거.
  2. 제 1 항에 있어서, 비교기를 이용한 발진회로(100)를 칩에 내장한 구성으로 동작전압이 변하여도 주파수 편차가 거의 없는 것을 특징으로 하는 3핀 모오스형 링거.
  3. 제 1 항에 있어서, 변형된 모오스형 신호기의 전압제어회로(500)는 전압 히스테리시스 범위 신호 발생 회로(400)에 있는 전압비교기와 동일한 전압비교기를 사용한 구성으로 동작개시 전압레벨을 제어하기 위한 신호(CPEN ; Current Path Enable)를 제공하는데 있어서 트리거 전압레벨(Vref)= 전압(Vtg1)이 되도록 트리거 전압레벨 결정회로의 저항을 R1=R1p, R2//R3=R3p로 설정한 것을 특징으로 하는 3핀 모오스형 링거.
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