KR940006239A - 무선 온도 보정 장치 및 방법 - Google Patents

무선 온도 보정 장치 및 방법

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Abstract

하나 이상의 온도 감지기를 보정하는 장치 및 방법이 개시되었다. 150° 내지 1150℃의 범위 내의 용융점을 갖는 물질의 다수의 제1보정 아일랜드 영역을 갖는 웨이퍼(30)이 제공된다. 웨이퍼의 유효 반사율은 동작시 온도 감지기를 사용하거나 또는 분리된 광 소스를 통해서 측정된다. 제1보정 아일랜드 영역의 용융점과 동일한 웨이퍼를 온도에 대응하는 온도 감지기의 출력 신호의 제1단계 변화가 검출된다. 최종적으로 온도 감지기 보정 변수가 계산된다.
다른 장치, 시스템 및 방법 또는 개시된다.

Description

무선 온도 보정 장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 양호한 제1실시예를 따르는 온도 보정 웨이퍼의 단면도,
제3a도 내지 제3d도는 여러가지 장치 제조 상태에서의 본 발명의 양호한 제 1실시예를 따르는 온도 보정 웨이퍼의 단면도,
제4도는 본 발명의 양호한 제2실시예를 따르는 2개의 서로 다른 보정 소자를 갖는 온도 보정 장치의 상면도,
제5도는 본 발명의 양호한 제2실시예를 따르는 2개의 서로 다른 보정 소자를 갖는 온도 보정 장치의 단면도.

Claims (24)

  1. 하나 이상의 온도 감지기를 보정하기 위한 무선 장치에 있어서. 상기 하나 이상의 온도 감지기가 상기 무선 장치의 온도 의존 특성을 검출하기 위해 동작가능하고 상기 온도 의존 특성에 대응하는 신호를 출력하며 다수의 보정 아일랜드 영역을 갖는 웨이퍼를 포함하되, 상기 아일랜드 영역은 동작시 상기 온도 의존 특성의 단계 변화가 상승된 온도 보정 프로세스 동안 용융점과 동일한 웨이퍼 온도에서 일어나도록 150℃ 내지 1150℃의 범위 내의 용융점을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 무선 온도 감지기 보정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 온도 감지기는 고온계인 것을 특징으로 하는 무선 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼에 레이저 빔을 유도하기 위한 레이저 광 소스 및 광 반사율 측정 장치를 포함하되, 상기 레이저 광 소스는 상승된 온도 보정 동작 동안 상기 용융점과 동일한 웨이퍼 온도에서 상기 온도 의존 특성의 상기 단계 변화에 대응하는 상기 광 반사율 측정 장치의 출력의 단계 변화를 유도하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 무선장치.
  4. 하나 이상의 온도 감지기를 보정하기 위한 전면 및 배면을 가지는 무선 장치에 있어서, 상기 하나 이상의 온도 감지기가 상기 무선 장치의 온도 의존 특성을 검출하기 위해 동작가능하고 상기 온도 의존 특성에 대응하는 신호를 출력하며, a.기판, b.기판의 오염 및 열반응을 방지하기 위해 기판에 인접하고 기판 위에 배치된 버퍼층, c. 상기 온도 의존 특성의 제1 단계 변화가 동작시 상승된 온도 보정 프로세스 동안 제1 보정 아일랜드 영역의 용융점과 동일한 웨이퍼 온도에서 일어나도록 150° 내지 1150℃의 범위 내의 용융점을 갖는 물질로 이루어지고 상기 버퍼층에 인접하는 다수의 제1보정 아일랜드 영역 및 d. 보정중 상기 보정 아일랜드 영역의 밀폐와 형성과 보존을 유지하기 위해 상기 보정 아일랜드 영역에 인접하는 제1캡슐형층을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 보정 아일랜드 영역을 반응성 환경의 저하로부터 방지하기 위해 상기 제1캡슬형층 위에 위치된 표면 안정화층을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 버퍼층, 상기 제1보정 아일랜드 영역, 상기 제1캡슐형충 및 상기 표면 안정화층은 상기 무선 장치의 전면상에 형성되는 것을 특징으로 하는 무선 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 버퍼층, 상기 제1보정 아일랜드 영역, 상기 제1캡슐형층 및 상기 표면 안정화층은 상기 무선 장치의 배면상에 형성되는 것을 특징으로 하는 무선 장치.
  8. 제4항에 있어서, 상기 제1보전 아일랜드 영역이 게르마늄, 주석, 알루미늄 또는 합금 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 장치.
  9. 제5항에 있어서, 상기 버퍼층, 상기 제1캡슐형층 및 상기 표면 안정화층이 질화실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 버퍼층은 이산화실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 장치.
  11. 제5항에 있어서, 상기 제1캡슐형층 및 상기 표면 안정화층이 이산화실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 장치.
  12. 제4항에 있어서, 상기 온도 감지기는 고온계인 것을 특징으로 하는 무선 장치.
  13. 제5항에 있어서. a.상기 제1보정 물질과는 상이하고, 상기 온도 의존 특성의 제2단계 변화가 동작시 상기 상승된 온도 보정 프로세스 동안 상기 제2보정 아일랜드 영역의 용융점과 동일한 웨이퍼 온도에서 일어나도록 150° 내지 1150℃의 범위 내의 용융점을 갖는 물질로 이루어지고 상기 제1캡슐형층에 인접하게 배치된 다수의 제2보정 아일랜드 영역 및 b.상기 제2보정 아일랜드 영역의 밀폐와 보존 유지를 위해 상기 제2보정 아일랜드 영역과 상기 표면 안정화층 사이에 위치된 제2캡슐형층을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 및 제2보정 아일랜드 영역이 각각 주석과 게르마늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 제1 및 제2보정 아일랜드 영역이 각각 게르마늄과 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 장치.
  16. 제13항에 있어서, 상기 제1 및 제2보정 아일랜드 영일이 각각 안티몬과 주석을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 장치.
  17. 하나 이상의 온도 감지기를 보정하기 위한 시스템에 있어서. 상기 하나 이상의 온도 감지기가 상기 시스템의 온도 의존특성을 검출하기 위해 동작가능하고, a.각 링들은 상기 온도 의존 특성의 단계 변화가 동작시 상승된 온도 보정 프로세스 동안 상기 보정 링의 상기 용융점과 동일한 웨이퍼 온도에서 일어나도록 150°내지 1150℃의 범위 내의 용융점을 갖는 하나 이상의 물질을 포함하는 다수의 보정 링을 가진 웨이퍼, b. 웨이퍼상의 상기 보정 링 중 하나의 링에서 각각 유도된 다수의 광 빔 및 c. 각 광 빔의 웨이퍼 반사율 값을 검출하기 위한 다수의 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 보정 시스템.
  18. 하나 이상의 온도 감지기를 보정하기 위한 방법에 있어서, a. 157° 내지 1150℃의 범위 내의 응융점을 갖는 물질로 이루어진 다수의 제1보정 아일랜드 영역을 갖는 웨이퍼를 제공하는 단계 b. 상기 웨이퍼의 온도를 상승하는 단계, c. 상기 웨이퍼 온도가 보정될 각 온도 감지기에 대해 변화될 동안 상기 하나 이상의 온도 감지기로 웨이퍼의 온도 의존 특성을 측정하는 단계, d. 보정될 각 온도 감지기에 대해 상기 제1보정 아일랜드 영역의 상기 용융점과 동일한 웨이퍼 온도에 대응하는 상기 온도 의존 특성의 제1단계 변화를 검출하는 단계 및 e.보정될 각 온도 감지기에 대해 보정 변수를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 보정방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 웨이퍼는 상기 제1보정 아일랜드 영역과 상이한 물질로 이루어지고 150°내지 1150℃의 범위의 용융점을 갖는 다수의 제2보정 아일랜드 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 보정 방법.
  20. 제19항에 있어서, 보정될 각 온도 감지기에 대해 상기 제2보정 물질의 용융점과 동일한 웨이퍼 온도에 대응하는 상기 물리적 특성의 게2단계 변화를 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 보정 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 온도 의존 특성은 표면 반사율인 것을 특징으로 하는 보정 방법.
  22. 하나 이상의 온도 감지기를 보정하는 방법에 있어서, a.상기 하나 이상의 온도 감지기가 상기 웨이퍼의 반사율을 검출하기 위해 동작가능하고 상기 반사율에 대응하는 신호를 출력하는, 150° 내지 1150℃의 범위내의 용융점을 갖는 물질의 다수의 보정 구조를 갖는 웨이퍼를 제공하는 단계. b.웨이퍼에서 광 빔을 검출하는 단계. c.각 광 빔이 유도된 점에서 웨이퍼 반사율을 측정하는 단계, d.상기 보정 구조의 용융점과 동일한 웨이퍼 온도에 대응하는 검출된 반사율의 제1단계 변화를 검출하는 단계. e.상기 제1단계 변화에 대응하는 상기 신호의 제1전류 레벨을 결정하는 단계 및 f.보정될 각 온도 감지기에 대해 보정 변수를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 보정 방법.
  23. 하나 이상의 온도 감지기를 보정하기 위한 방법에 있어서, a.150°내지 1150℃의 범위 내에 용융점을 갖는 제1물질의 다수의 제1보정 아일랜드 영역을 갖는 제1웨이퍼를 제공하는 단계, b.상기 제1웨이퍼의 온도를 천천히 상승하는 단계, c.각 온도 감지기로 상기 변화하는 온도에 반응하는 제1웨이퍼의 은도 의존 특성을 측정하는 단계, d.각 온도 감지기에 대해 상기 제1보정 아일랜드 영역의 용융점과 동일한 제1웨이퍼 온도에 대응하는 상기 온도 의존 특성의 제1단계를 변화를 검출하는 단계, e.상기 제1물질과는 상이한, 150° 내지 1157℃내의 범위의 용융점을 갖는 제2물질의 다수의 제2보정 아일랜드 영역을 갖는 제2웨이퍼를 제공하는 단계 f.상기 제2웨이퍼의 온도를 천천히 상승시키는 단계, g. 각 온도 감지기로 상기 증가하는 온도에 반응하여 상기 제2웨이퍼의 온도 의존 특성을 측정하는 단계, h.각 온도 감지기로 상기 제2보정 아일랜드 영역의 상기 용융점과 동일한 제2웨이퍼 온도에 대응하는 상기 온드 의존 특성의 제2단계 변화를 검출하는 단계 및 i. 보정될 각 온도 감지기에 대해 보정 변수를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 보정 방법.
  24. 제23항에 있어서, a.상기 웨이퍼에 하나 이상의 광 빔을 유도하는 단계 및 b.상기 제1 및 제2단계 변화가 상기 검출기의 출력 신호에서 검출되도록, 상기 반사율을 검출하기 위해 각 광 빔에 검출기를 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 보정 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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