KR940002662A - 패턴형성방법 - Google Patents

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KR940002662A
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히데노리 야마구찌
후미오 무라이
노리오 하세가와
도시오 사까미즈
히로시 시라이시
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가나이 쯔또무
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
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Abstract

양호한 단면형상을 갖는 레지스터 패턴을 용이하게 형성 할수가 있는 패턴형 성 방법으로써, 산 발생제를 함유하는 레지스터막을 도포형 글라스막 또는 실리콘수지 막상에 형성해서 광등의 방사선 조사를 실행해서 레지스터패턴을 형성할때에 도포형 글라스막 또는 실리콘수지막에 기인해서 발생하는 레지스트막내에 있어서의 산의 분포의 불균일을 방지 하기위해서, 도포글라스 또는 실리콘수지막 내에 사전에 산발생제를 첨가해두던가 또는 산 발생제를 함유하는 유기폴리머막을 사용해서 레지스트막내에 있어서의 산의 분포의 불균일을 억제한다.
이러한 패턴형성방법을 사용하는 것에 의해 산의 분포의 불균일에 기인해서 발생하는 레지스트패턴의 단면형상의 불량이 방지되고, 단면형상이 구형인 레지스트패턴이 형성된다.

Description

패턴형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도A 및 제IB는 본 발명의 원리를 설명하기 위한 도면,
제2도A 및 제2B도는 레지스트 패턴의 단면형상이 불량으로 되는 현상을 설명하기 위한 도면,
제3도A 및 제3도B는 본 발명의 제1의 실시예를 도시한 도면,
4도A및 제4도B는 본 발명의 제2의 실시예를 도시한 도면.

Claims (8)

  1. 에칭되어야 할 피가공물상에 도포형 글라스막 또는 실리콘수지막을 형성하는 스텝, 상기 도포형 글라스막 또는 실리콘수지막상에 산 발생제를 함유하는 레지스트막을 형성하는 스텝, 상기 레지스트막의 소정의 영역에 광을 조사해서 상기 소정의 영역의 용해도를 변경하는 스텝, 현상해서 소정의 레지스트패턴을 형성하는 스텝을 포함하고, 상기 광의 조사에 의해서 발생하는 상기 레지스트막내에 있어서의 산의 분포의 불균일을 억제하는 것에 의해 상기 레지스트패턴의 단면형상을 바라는 형상으로 하는 패턴형성방법.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 도포형 글라스는 실록산 구조를 갖고 있는 패턴형성방법.
  3. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 도포형 글라스막 또는 실리콘수지막은 상기 에칭되어야 할 피가공물 상에 사전에 형성되어 있는 산 발생제를 함유하는 유기폴리머막상에 형성되고, 상기 레지스트막내에 있어서의 산의 분포의 불균일은 상기 유기폴리머막내에 발생한 산에 의해서 억제되는 패턴형성방법.
  4. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 산 발생제는 오니윰염, 술폰산 에스테르 및 트라아진환을 갖는 할로겐화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 패턴형성방법.
  5. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 레지스터막은 산 발생제를 함유하는 도포형 글라스막 또는 실리콘수지막상에 형성되고, 상기 레지스터막내에 있어서의 산의 분포의 불균일은 상기 도포형 글라스막 또는 실리콘수지막내에 발생한 산에 의해서 억제되는 패턴형성방법
  6. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 산 발생제는 오니윰염, 술폰산 에스테르 및 트라아진환을 갖는 할로겐화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 패턴형성방법.
  7. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 레지스터막에 포함되는 산 발생제의 농도는 상기 도포형 글라스막 또는 실리콘수지막에 포함되는 산 발생제의 농과 동일한 패턴형성방법.
  8. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 레지스터는 네가티브형 또는 포지티브형 레지스터인 패턴형성방법.
    ※ 참고사항：최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920011807A 1992-07-03 1992-07-03 패턴형성방법 KR100208321B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100412290B1 (ko) * 2001-11-27 2003-12-31 주식회사 동구제약 라니티딘 함유 현탁제 조성물 및 그의 제조방법

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KR100412290B1 (ko) * 2001-11-27 2003-12-31 주식회사 동구제약 라니티딘 함유 현탁제 조성물 및 그의 제조방법

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