KR940002165A - 초순도의 탄화규소와 이것으로 만든 고온의 반도체 처리 장치 - Google Patents

초순도의 탄화규소와 이것으로 만든 고온의 반도체 처리 장치 Download PDF

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KR940002165A
KR940002165A KR1019930014640A KR930014640A KR940002165A KR 940002165 A KR940002165 A KR 940002165A KR 1019930014640 A KR1019930014640 A KR 1019930014640A KR 930014640 A KR930014640 A KR 930014640A KR 940002165 A KR940002165 A KR 940002165A
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KR
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silicon carbide
cvd
deposition chamber
furnace
ppm
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Application number
KR1019930014640A
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Inventor
에이. 피커링 마이클
에스. 고에라 지텐드라
알. 하이기스 윌리암
이. 버언즈 리
Original Assignee
제럴드 켄트 화이트
씨브이디, 인코오포레이티드
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    • C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
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Abstract

부피가 크고, 독립적인 탄화규소는 중량의 약 5ppm, 양호하게는 약 3.5ppm미만의 전체 순도를 지닌 화학 증착법(CVD)에 의해 생성된다. 불순도의 구성성분들(Al, As, B, Ca, Cd, Cr, Cu, Fe, K, Li, Mg, Mn, Na, Ni, P, Sb, Ti, Zr)은 글로우 방전 질량분광기로 측정된다. 상기 증착공정법은 매우 주위깊게 제어된 조건들 하에서 실시되고 CVD에서 사용된 수소의 산소 함유량을 제어하기 위에 특수한 측정 및 기술을 사용하며, 증착 체임버 내의 미립물질을 제거하도록 유지시킨다. 이렇게 생성된 탄화규소는 높은 순도가 요구되는 곳, 즉 고온의 반도체 처리로의 부속품(예, 웨이퍼 보트, 프로세스 튜브, 와팔 패들 혹은 로드, 그리고 더미 웨이퍼)과 반도체 웨이퍼 조정장치(예, 서섭터, 진공척, 및 수송링)등의 응용에 매우 적합하다.

Description

초순도의 탄화규소와 이것으로 만든 고온의 반도체 처리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 방법에 따라 CVD-탄화규소(SiC)를 제조하기 위해 사용되는 로의 개략적인 단면도,
제2도는 제1도의 로의 증착 체임버까지 연장한 주입기 노즐의 개략적이 확대 단면도,
제3도는 제2도의 주입기 노즐의 개략적인 추가 확대 단면도,
제4도는 제1도의 로에 무산소 수소를 제공하기 위해 수소 공급 라인에 사용되는 장치를 개략적으로 나타낸 도면.

Claims (9)

  1. 글로우 방전 질량 분광기(GDMS)로 측정시 도표1에서 표기된 바와같은 중량의 약 Sppm 혹은 그 미만인 구성 요소의 전체 불순도를 가지는 것을 특징으로 하는 초순도, 모놀리드식, 독립적인 CVD(화학증착)-탄화규소.
  2. 제1항에 있어서, 전체 불순도가 약 3.5ppm 미만인 것을 특징으로 하는 CVD-탄화규소.
  3. 제1항에 있어서, CVD-탄화규소는 만드렐상에 탄화규소를 불꽃식으로 증착시킨 다음 만드렐로 부터 제거하는 조건하에서 만드렐을 내부에 구비하는 증착 체임버를 장치한 로손으로 메틸트리클로로실란(MTS)와 수소(H2) 가스를 주입시킴으로써 생성되며, 상기 조건은 약 1340℃ 내지 1380℃의 증착 체임버의 온도, 약 180 내지 220torr의 증착 체임버의 압력, 약 4내지 10의 H2/MTS의 질량비, 약 1내지 2㎛/min의 증착물, 산소가스 중량의 1ppm미만 함유의 수소 가스, 그리고 증착 체임버는 미립 물질이 제거되도록 유지시키는 조건들을 포함하는 것을 특징으로 하는 CVD-탄화규소.
  4. 제3항에 있어서, 상기 로에는 증착 체임버의 내벽에 안을 댄 섬유질의 절연체가 형성되어 있으며, 상기 증착 체임버는 보호 세라믹 브랭킷으로 안을 댄 섬유질의 절연체를 덮음으로써 미립물질을 제거하도록 유지되는 것을 특징으로 하는 CVD-탄화규소.
  5. 제3항에 있어서, 상기 로에는 증착 체임버와 냉각된 가스 주입기를 형성하는 내측 및 외측 봉쇄벽이 포함되며, 상기 주입기는 외측 봉쇄벽을 통해 연장함으로써 증착 체임버와 연통하며, 상기 증착체임버는 냉각된 가스 주입기를 증착 체임버의 경계에 유지 및 자리시킴으로써 미립 물질이 제거되도록 하는 것을 특징으로 하는 CVD-탄화수소.
  6. 제3항에 있어서, 주입된 수소는 산소를 약 1ppm 이하로 유지하도록 연속적으로 정제하는 것을 특징으로 하는 CVD-탄화규소.
  7. 제1항에 따른 CVD-탄화규소를 사용하여 제작된 고온의 반도체 처리장치.
  8. 제7항에 있어서, 더미 웨이퍼, 웨이퍼 보트, 프로세스 튜브, 외팔 패들 및 외팔 로드로 구성된 그룹에서 선택한 로의 부속품을 포함하는 것을 특징으로 하는 고온의 반도체 처리장치.
  9. 제7항에 있어서, 서셉터, 진공척, 및 수송링으로 구성된 그룹으로부터 선택한 웨이퍼 조정 구성요소를 포함하는 것을 특징으로 하는 고온의 반도체 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930014640A 1992-07-31 1993-07-30 초순도의 탄화규소와 이것으로 만든 고온의 반도체 처리 장치 KR940002165A (ko)

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US92307792A 1992-07-31 1992-07-31
US7/923,077 1992-07-31
US5860893A 1993-05-06 1993-05-06
US7/058,608 1993-05-06

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Publication Number Publication Date
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220066921A (ko) * 2019-09-19 2022-05-24 썬전 샥 컴퍼니 리미티드 음향 출력 디바이스

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