KR940001781B1 - 고온생성가스의 냉각장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
도면은 생성가스가 만들어지는 가스화이어(gasifier)의 벽단면도.
본발명은 점착성 입자를 함유하는 고온생성가스의 냉각장치에 관한 것으로 냉각중 입자들은 그 점착성을 읽고, 관상영역을 통과하는 생성가스는 그 안에서 냉각되어지며 동시에 가스벽이 형성되고 이 가스벽은 생성가스와 관상영역내의 고정벽 사이의 접촉을 방지한다.
이러한 장치는 DE-OS 25 26 922로부터 알려져 있다. 이 장치의 경우, 무입자 보호가스는 입구근처에서 보호가스벽이 관상영역의 벽위에 형성되며, 관상영역벽과 고온생성가스 사이의 접촉을 방지하고, 상기 영역내의 고온생성가스에 냉각가스가 동시에 첨가되는 그러한 방법으로 관상영역으로 공급된다. 보호가스벽을 형성하기 위해서, 보호가스가 접선방향의 속도성분을 갖는 관상영역내로 공급된다. 냉각가스는 방사상으로 뻗어 있는 입구들을 통해 공급되는데 보호가스 입구들위의 이 입구들은 같은 높이로 그리고 관상영역 주위둘레에 등간격으로 배열되어 있다.
상기 영역을 들어가는데 유출방향을 통해 관상영역내의 보호가스 흐름에 영향을 미치는 것이 오직 가능하다는 사실이 이 공지장치의 불리한 점이다. 따라서 관상영역의 총길이에 걸친 연속 보호가스벽이 보장되지 않다. 또한, 이 장치는 비교적 복잡한데 왜냐하면 두개의 다른 가스가 보호가스벽의 형성과 냉각에 사용되어야 하기 때문이다.
본발명의 문제는 이후 언급된 형(type)의 장치를 제공하는데 있다.
이 장치에서 관상영역의 총길이에 걸쳐 유효한 보호가스벽이 점착성 입자를 함유하고 있는 생성가스와 고형벽 사이의 접촉을 방지할 목적으로 형성되는데 이 장치에서 상기 가스벽은 단순구조를 갖는다.
본발명에 따르면, 이 문제는 관상영역의 최소한 부분을 따라 뻗어 있는 환상의 삽입물을 그안에 설치하고 그리고 보호가스통로와 마찬가지로 관상영역의 벽과 환상 삽입물 사이에 갭(gap)을 형성하고, 생성가스가 관상영역으로 들어가는 입구 정반대에 있는 삽입물 끝에서 관상영역의 벽과 삽입물 사이의 갭으로 냉각가스가 송풍될 수 있도록 하여 해결된다.
생성가스가 만들어지는 가스화이어의 벽단면(1)을 나타내고 있는 도면의 실시예를 참고로 본발명을 이하보다 상세히 서술하겠다. 벽단면(1)은 관상영역을 형성하는 출구 연결부(2) 내를 통과한다. 이를 통해 생성가스가 상승하고 가스화이어를 빠져나간다. 생성가스는 미립물질을 함유하고 있는데 생성가스의 높은 온도때문에 그들은 점착성이 있으며 생성가스를 냉각시킨 후 그들은 점착성을 잃는다. 그러나 출구연결부(2)의 하부에서 생성가스의 온도는 여전히 높아 함유 미립자들이 고형벽을 만날때 그 벽에 들러붙게 되는 위험성이 있다.
이것이 출구 연결부(2)의 수축이나 자유직경(free diameter)의 완전한 폐쇄를 야기하기 때문에, 이러한 상태에서 생성가스가 출구 연결부의 내벽 혹은 관성영역 근처와 다른 어떤 고형벽과 접촉하지 않게끔 생성가스를 유도하는 것이 필요하다. 동시에 함유입자가 출구 끝에서 그것과 점착성을 잃을때까지 관상영역내와 생성가스를 냉각시키기 위한 방법을 마련해야 한다. 이것은 표시된 장치에 의해 실현된다.
출구연결부(2) 내에, 출구 연결부(2) 자체 및 그 내벽 사이에 하나의 갭(4)을 형성하고 있는 환상 삽입물(3)이 마련되어 있다. 갭(4)의 상부 끝에 냉각가스를 위한 1 이상의 입구부(5)가 출구연결부(2)의 주위에 등간격으로 떨어져 있으며, 동시에 생성가스 및 출구연결부(2)의 내벽 또는 삽입물(3)사이에 접촉을 방지하는 가스벽을 형성하는 구실을 한다. 입구부 또는 그 부분들(5)은 예를들어 출구 연결부(2)를 돌아서 통과하는 링관에 연결될 수 있다.
갭(4)을 통해 아래로 흐르는 냉각가스는 생성가스가 갭(4)으로 들어오는 것을 방지하며, 결과적으로 생성가스에 포함된 입자에 의해 상기 갭이 봉쇄되는 것이 방지된다. 동시에, 위로 향해 흐르는 생성가스는 삽입물(3)의 하부끝 주위로 냉각가스를 편향시키며, 따라서 그것은 다시 삽입물(3)의 내면상에서 그것에 평행하게 위로 흐르게 된다. 이것에 의해 연속 가스벽을 형성하며, 생성가스 및 삽입물(3)간의 접촉을 방지하게 된다. 결과적으로 생성가스내에 포함된 점착성이 있는 입자는 삽입물(3)의 내벽에 도달할 수 없으며, 따라서 그것은 내부벽에 부착될 수 없다. 삽입물(3)을 통과하는 동안, 냉각가스는 또한 생성가스의 냉각을 야기시키며, 따라서 삽입물(3)의 상부 출구에서 생성가스는 내부의 입자가 접착성을 잃을 때까지 냉각하게 된다.
이러한 냉각작용은 삽입물(3)이 또한 냉각된다는 사실에 의해 한층 부가된다. 삽입물은 예를들어 내부에 물 또는 어떤 다른 적합한 냉각물질을 흐르게 하는 냉각채널을 갖고 있다.
Claims (3)
- 냉각중 그 점착성을 상설하고, 관상영역을 통과하며 이 영역내에서 냉각되며, 동시에 이 관상영역내에서 고정벽과 생성가스 사이의 접촉을 방지하는 가스벽이 형성되는 접착성 입자를 함유하고 있는 고온생성가스의 냉각장치에 있어서, 관상영역의 최소한 한부분을 따라 뻗어 있는 환상 삽입물(3)이 마련되고, 생성가스통로와 마찬가지로 관상영역(2)의 벽과 환상 삽입물 사이에 갭(4)을 형성하고, 삽입물(3)과 생성가스가 환상영역(2)으로 들어가는 입구 정반대의 삽입물(3) 끝에 있는 관상영역(2)의 벽 사이와 갭(4)으로 냉각가스가 송풍될 수 있는 것을 특징으로 하는 점착성입자를 함유하는 고온생성가스의 냉각장치.
- 제1항에 있어서, 환상 삽입물(3)이 냉각되는 것을 특징으로 하는 점착성 입자를 함유하는 고온생성가스의 냉각장치.
- 제2항에 있어서, 환상 삽입물(3)이 그 내부에 냉각체널 갖고 있는 것을 특징으로 하는 점착성 입자를 함유하는 고온생성가스의 냉각장치.
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E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
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GRNT | Written decision to grant | ||
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