KR930702670A - 자가-보정(compensating)광섬유 화학 센서 및 다른 화학 센서 - Google Patents

자가-보정(compensating)광섬유 화학 센서 및 다른 화학 센서

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KR930702670A
KR930702670A KR1019930700618A KR930700618A KR930702670A KR 930702670 A KR930702670 A KR 930702670A KR 1019930700618 A KR1019930700618 A KR 1019930700618A KR 930700618 A KR930700618 A KR 930700618A KR 930702670 A KR930702670 A KR 930702670A
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Abstract

광섬유 화학 센서와 같은 화학 센서가, 분석물에 반응하여 상이하게 행동하는 두개의 출력값을 측정하고, 코팅등 사이의 온도 변동, 빛(조명기)변동, 오염, 표백, 침출등과 같은 외부 요인들에서의 변동 효과를 상쇄시키기 위해 두개의 측정된 출력 값들 사이의 비를 산정하여 자가-보정한다. 형광 및 인광 모두 단량체 및 집합체 방출 또는 흡수 밴드, 등흡광점이 있거나 없는 방출 또는 흡수 밴드, 한파장에서 두개의 상이한 여기 밴드에서의 방출 피크, 또는 두파장에서 여기를 위한 두 파장에서의 방출 피크를 생성하는 지시 물질이 이용될수 있다.

Description

자가-보정(compensating)광섬유 화학 센서 및 다른 화학 센서
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A, 1B도, 1C, 1D도는 FOCS의 3가지 타입과 자가-보정 센서로 만들어질수 있는 비-광섬유 센서의 한 타입의 도해도이다, 제7도는 자가-보정 센서 장치의 도해도이다.

Claims (45)

  1. 두 신호 모두 외부 요인들에 의해 영향받는 분석물에 반응하여 두개의 특징적인 상이하게 변하는 스펙트럼 신호를 생성시키는 지시 물질로 센서를 형성시키고, 지시물질을 여기하여 두개의 스펙트럼 신호들을 생성시키며, 상기 두 스펙트럼 신호들의 비를 산정하고, 상기 비로 부터 분석물 변화를 결정하는 것을 포함하는 관심의 대상인 분석물을 검출할때 외부 요인들에서의 변동에 대해 화학 센서를 자가-보정하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 스펙트럼 신호들이 상이한 파장들에서의 방출강도인 방법.
  3. 제1항에 있어서, 스펙트럼 신호들이 상이한 파장들에서의 흡수 강도인 방법.
  4. 제1항에 있어서, 스펙트럼 신호들이 형광 및 인광 방출인 방법.
  5. 제4항에 있어서, 형광 및 인광 방출중 오직 하나만이 분석물 특이한 방법.
  6. 제1항에 있어서, 스펙트럼 신호들이 분석물에 대해 상이한 소멸률을 갖는 두개의 흡수 또는 방출 밴드들인 방법.
  7. 제6항에 있어서, 스펙트럼 신호들이 단량체 및 집합체 방출 밴드를 또는 흡수 밴드들인 방법.
  8. 제1항에 있어서, 두개의 스펙트럼 신호들이 강도들의 하나가 등흡광점인 두개의 방출 또는 두개의 흡수 강도들인 방법.
  9. 제1항에 있어서, 두개의 스펙트럼 신호들이 단일 파장에서의 두개의 상이한 여기 밴드들에 대한 방출강도들인 방법.
  10. 제1항에 있어서, 두개의 스펙트럼 신호들이 두파장에서의 여기를 위한 두개의 방출 파장에서의 방출 강도들인 방법.
  11. 제1항에 있어서, 두개의 스펙트럼 신호들이 하나는 분석물에 대해 실질적으로 불변인 방법.
  12. 오직 하나만 분석물 특이한 형광 및 인광 모두를 생성시키는 지시 물질로 센서를 형성시키고, 지시 물질을 여기하여 형광 및 인광 피크들을 생성시키며, 형광 피크 강도 대 인광 피크 강도를 산정하고, 상기 비로부터 분석물 변화를 결정하는 것을 포함하는 관심의 대상의 분석을 검출할때 외부 요인들에서의 변동에 대해 화학 센서를 자가-보정하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 바아세틸(biacetyl)의 지시물질로 형성하는 것을 포함하는 방법.
  14. 제1및 제2파장에서 여기 가능한 지시 물질로 센서를 형성하고, 제1및 제2파장에서 지시물질을 여기하며, 제1및 제2파장에서 여기될때 지시 물질의 방출 강도 피크들을 측정하고, 제1및 제2파장에서 여기된 방출 강도 피크들의 비를 산정하며, 상기 비로 부터 분석물 변화를 결정하는 것을 포함하는 관심의 대상의 분석물을 탐지할때 외부 요인들에서의 변동에 대해 화학 센서를 자가-보정하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 크리스탈 바이올리트와 폴리아크릴 산의 화합물인 지시물질로 형성하는 것을 포함하는 방법.
  16. 등흡광점을 갖는 방출 스펙트럼들 또는 흡수 스펙트럼들을 생성하는 지시 물질로 센서를 형성시키고, 지시 물질을 여기하여 방출 또는 흡수 스펙트럼을 생성하며, 방출 또는 흡수 스펙트럼들의 피크강도와 등흡광점 강도의 비를 산정하고, 상기 비로 부터 분석물 변화를 결정하는 것을 포함하는 관심의 대상의 분석물을 탐지할때 외부 요인들의 변동에 대해 화학 센서를 자가-보정하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 콩고 레드의 지시 물질로 형성하는 것을 포함하는 방법.
  18. 분석물에 대해 상이한 소멸률을 갖는 단량체 및 집합체 방출 또는 흡수 밴드들을 생성시키는 지시 물질로 센서를 형성시키고, 지시 물질을 여기하여 단량체 및 집합체 밴드들을 생성시키며, 단량체 밴드 피크 강도대 집합체 밴드 피크 강도의 비를 산정하고, 상기 비로 부터 분석물 변화를 결정하는 것을 포함하는 관심의 대상의 분석물을 검출할때 외부 요인들의 변도에 대해 화학 센서를 자가-보정하는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 톨루엔 중의 피렌(pyrene)의 용액인 지시물질로 형성하는 것을 포함하는 방법.
  20. 제1여기 밴드에서의 제1피크 및 제2여기 밴드에서의 제2피크를 갖는 단일 파장에서의 방출강도를 생성하는 지시 물질로 센서를 형성하고, 제1및 제2여기 밴드에서 지시 물질을 여기 시키며, 제1및 제2여기 밴드에서 여기 됐을때의 방출 강도 피크들을 측정하고, 제1및 제2여기 밴드에서 여기 됐을때의 방출 강도 피크들의 비를 산정하며, 상기 비로 부터 분석물 변화를 결정하는 것을 포함하는 관심의 대상인 분석물을 검출할때 외부 요인들에서의 변동에 대해 화학 센서를 자가-보정하는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 히드록시피레네트리설포네이트(hydroxypyrenetrisulfonate)지시 물질로 형성하는 것을 포함하는 방법.
  22. 두 신호가 외부 요인들에서의 변동에 의해 영향받는 두개의 특징적인 상이하게 변하는 스펙트럼 신호들을 생성하는 지시 물질을 포함하는 외부 요인들의 변동의 존재하에서 분석물을 검출하기 위한 자가-보정 화학 센서.
  23. 제22항에 있어서, 지시 물질이 오직 하나만 분석물 특이한 형광 및 인광 모두를 생성하는 센서.
  24. 제23항에 있어서, 지시 물질이 바아세틸인 센서.
  25. 제22항에 있어서, 지시 물질이 제1파장에서 여기될때 제1방출 강도 피크 및 제2파장에서 여기될때 제2방출 강도 피크를 생성하는 센서.
  26. 제22항에 있어서, 지시 물질이 크리스탈 바이올리트와 폴리아크릴 산의 혼합물인 센서.
  27. 제22항에 있어서, 지시 물질이 등흡광점을 갖는 방출 스펙트럼들 또는 흡수 스펙트럼들을 생성하는 센서.
  28. 제27항에 있어서, 지시 물질이 콩고 레드인 센서.
  29. 제22항에 있어서, 지시 물질이 분석물에 대해 상이한 소멸률을 갖는 단량체 및 집합체 방출 또는 흡수 밴드들을 생성하는 센서.
  30. 제29항에 있어서, 지시 물질이 톨루엔 중의 피렌(pyrene)용액인 센서.
  31. 제22항에 있어서, 지시 물질이 제1여기 밴드 안의 제1피크 및 제2여기 밴드안의 제2피크를 갖는 단일 파장에서의 방출 강도를 생성하는 센서.
  32. 제31항에 있어서, 지시물질이 히드록시피데네트리설포네이트인 센서.
  33. 두 신호 모두 외부 요인들에서의 변동에 의해 영향 받는 분석물에 반응하여 두개의 특이적인 상이하게 변하는 스펙트럼 신호들을 생성하는 지시물질을 갖는 화학 센서, 지시 물질을 여기하여 두개의 스펙트럼 신호들을 생성하는 화학센서에 작용적으로 연결된 여기 수단, 상기 두 스펙트럼 신호들을 검출하기 위해 화학 센서에 작용적으로 연결된 검출 수단, 상기 두 스펙트럼 신호들의 비를 산정하는 수단, 상기 비로 부터 분석물안의 변화를 결정하는 수단을 포함하는 외부 요인들의 변동의 존재하에서 분석물 안의 변화 측정을 자가-보정하기 위한 장치.
  34. 제33항에 있어서, 화학 센서가 광섬유 화학 센서인 장치.
  35. 제33항에 있어서, 지시 물질이 형광 및 인광 방출 모두 생성하고, 이들 중 오직 하나만이 분석물 특이하며, 여기 수단이 형광 및 인광 방출 모두 여기시키고, 비(ratio)산정 수단이 형광과 인광 피크 사이의 비를 산정하는 장치.
  36. 제33항에 있어서, 지시 물질이 바아세틸인 장치.
  37. 제33항에 있어서, 지시 물질이 제1파장에서 여기 됐을때 제1방출 강도 및 제2파장에서 여기 됐을때 제2방출 강도 피크를 생성하고, 여기 수단이 제1및 제2파장에서 지시물질을 여기 시키며, 비 산정 수단이 제1및 제2파장에서의 방출 강도 피크 사이의 비를 산정하는 장치.
  38. 제37항에 있어서, 지시 물질이 크리스탈 바이올리트와 폴리아크릴산의 혼합물인 장치.
  39. 제33항에 있어서, 지시 물질이 등흡광점들을 갖는 방출 스펙트럼 및 흡수 스펙트럼을 생성하고, 여기 수단이 지시 물질을 여기하며 방출 또는 흡수 스펙트럼들을 생성하며, 비 산정 수단이 방출 또는 흡수 스펙트럼들의 피크 강도대 등흡광점의 강도의 비를 산정하는 장치.
  40. 제39항에 있어서, 지시 물질이 콩고레드인 장치.
  41. 제33항에 있어서, 지시 물질이 분석물에 대해 상이한 소멸률을 갖는 단량체 및 집합체 방출 또는 흡수 밴드들을 생성하고, 여기 수단이 지시물질을 여기하며 단량체 및 집합체 밴드들을 생성하며, 비 산정 수단이 단량체 밴드 피크 강도와 집합체 밴드 피크 강도 사이의 비를 산정하는 장치.
  42. 제41항에 있어서, 지시 물질이 톨루엔 중의 피렌 용액인 장치.
  43. 제33항에 있어서, 지시 물질이 제1여기 밴드안의 제1피크를 갖고, 제2여기 밴드 안의 제2피크를 갖는 단일 파장에서 방출 강도를 생성하고, 여기 수단이 제1및 제2여기 밴드에서의 지시 물질을 여기하며, 비 산정수단이 제1및 제2여기 밴드에서 여기 됐을때의 방출 강도 피크들의 비를 산정하는 장치.
  44. 제43항에 있어서, 지시 물질이 히드록시피레네트리설포네이트인 장치.
  45. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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