KR930017237A - 전자 소자의 핀상에 땜납 조성물을 도포하는 방법 - Google Patents

전자 소자의 핀상에 땜납 조성물을 도포하는 방법 Download PDF

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KR930017237A
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멜뤼 실비
끌라 베리 삐에르
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띠에리 슈르
레르 리뀌드 소시에떼 아노님 뿌르 레뛰드 에 렉스 쁠로와따시옹 데 프로세데 죠르주 끌로드
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    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
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    • H01R4/02Soldered or welded connections
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Abstract

본 발명은 전자 소자의 핀에 땜납 조성물을 도포하기 위한 방법에 관한 것인바, 상기 소자의 핀은 중탕을 갖는 납땜부에서 땜납과 접촉되는데, 상기 중탕은 적어도 상기 중탕의 표면을 둘러싸고 있는 후드내에 유지되어 있는 낮은 산소 함량으로 구성된 조절 분위기에 노출되어 있다. 상기 조절 분위기는 함량이 상기 조절 분위기의 체적의 50 ×10-16과 2 ×10-3사이값을 갖는 기체상 실리콘 수소화물과 하나이상의 중성 기체에 의해 구성된다. 상기 조절 분위기는 a)잔여 산소 함량이 200ppm보다 적어지도록 상기 중성 기체를 상기 후드내로 주입시키는 단계와 b) a)단계의 종부에서의 상기 조절 분위기의 잔여 산소 함량의 4배보다 더 큰 함량을 갖는 상기 실리콘 수소화물과 중성 기체를 후드내로 주입시키는 단계에 의해 생성된다.

Description

전자 소자의 핀상에 땜납 조성물을 도포하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (9)

  1. 전자 소자의 핀에 땜납 조성물을 도포하는 방법에 있어서, 적어도 중탕의 표면을 둘러싸는 후드내에 유지되어 있는 낮은 산소 함량으로 구성된 조절 분위기에 노출되어 있는 중탕을 포함하는 납땜부에서 상기 핀을 땜납에 접촉시키는 단계를 포함하고, 상기 조절 분위기는 함량이 상기 조절 부분위의 체적의 50 ×10-6내지 2 ×10-3사이 값을 갖는 기체상 실리콘 수소화물과 하나이상의 중성 기체로 구성되는 것을 특징으로 하는 도포방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 조절 분위기는 a)잔여 산소 함량이 200ppm 이하값을 갖도록 상기 중성 기체를 후드내로 주입시키는 단계와, 그후에 b)a)단계 중부에서의 상기 조절 분위기 잔여 산소 함량에 비해 4배 이상의 함량을 갖는 상기 실리콘 수소화물과 중성 기체를 후드내로 주입시키는 단계에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 도포방법.
  3. 제2항에 있어서, 간계 b)의 제1국면에서 상기 실리콘 수소화물은 a)단계 종부에서의 잔여 산소 함량보다 10 내지 20배 사이의 제1함량으로 주입되고, 그 다음 제2국면에서 상기 제1함량 이하의 제2함량으로 주입되는 것을 특징으로 하는 도포방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 실리콘 수소화물의 제2함량은 상기 제1함량의 절반 이하인 것을 특징으로 하는 도포방법.
  5. 제3항에 있어서, b)단계의 전체 제2국면 동안에, 상기 조절 분위기의 잔여 산소 함량이 1ppm을 초과하지 않도록 실리콘 수소화물의 주입이 유지되는 것을 특징으로 하는 도포방법.
  6. 제2항에 있어서, b)단계 동안에 , 상기 실리콘 수소화물은 상기 중성 기체와 미리 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 도포방법.
  7. 제2항에 있어서, b)단계 동안에, 상기 실리콘 수소화물은 상시 후드내에 개별적으로 주입되는 것을 특징으로 하는 도포방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 중성 기체는 10ppm 이하의 산소 함량을 갖는 질소인 것을 특징으로 하는 도포방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 수소화물은 모노실란 수소화물인 것을 특징으로 하는 도포방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930000300A 1992-01-13 1993-01-12 전자 소자의 핀상에 땜납 조성물을 도포하는 방법 KR930017237A (ko)

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FR9200239A FR2686212B1 (fr) 1992-01-13 1992-01-13 Procede d'application de composition de soudure sur des broches de composants electroniques.

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EP0552096B1 (fr) 1996-10-16

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