FR2686212A1 - Procede d'application de composition de soudure sur des broches de composants electroniques. - Google Patents

Procede d'application de composition de soudure sur des broches de composants electroniques. Download PDF

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Abstract

On établit au-dessus du bain de soudure d'un poste de soudage ou d'étamage à la vague une atmosphère contrôlée à très faible teneur en oxygène constituée d'au moins un gaz neutre contenant un hydrure de silicium gazeux à une teneur inférieure à 0,2 %. Application au brasage et/ou au pré-étamage de composants électroniques.

Description

La présente invention concerne un procédé d'application de composition de
soudure sur des broches ou terminaux de contact de composants électroniques, typiquement pour le pré-étamage de ces derniers ou pour le brasage du composant sur une carte électronique, comprenant l'étape d'amener les broches en contact avec au moins une vague de composition de soudure dans un poste de soudage à la vague dont le bain est exposé à une atmosphère contrôlée à faible teneur en oxygène, maintenue dans un capotage enclosant au moins la surface du bain. Un des problèmes majeurs rencontrés lors de l'utilisation de machines de soudage à la vague est l'oxydation du bain de soudure liquide, cette oxydation créant à la surface du bain un film ou des scories d'oxyde qui peuvent considérablement altérer le brasage ou l'étamage des composants et qui obèrent les coûts de production Une première solution pour réduire la formation de scories à la surface du bain de soudure consiste à associer au bac de soudure un capotage enclosant au moins le bain et contenant un gaz inerte, typiquement de l'azote, constituant le ciel gazeux du bain Une telle technique est décrite par exemple dans la demande de brevet français N O 90 15994 au nom de la Demanderesse, dont le contenu est supposé ici intégré pour référence Quoique de telles techniques permettent de réduire considérablement l'oxydation du bain de soudure, la teneur en oxygène ne peut pas en pratique, en raison de fuites et d'entrées d'air le long du trajet du composant, être réduite à des valeurs extrêmement
faibles, de l'ordre du ppm.
La présente invention a pour objet de proposer un procédé du type susmentionné permettant, de façon simple, efficace et peu onéreuse, de réduire très fortement les teneurs en espèces oxydantes
résiduelles, notamment l'oxygène, au-dessus du bain de soudure.
Pour ce faire, selon une caractéristique de l'invention, l'atmosphère contrôlée est formée par au moins un gaz neutre et un hydrure de silicium gazeux à une teneur comprise entre 50 x 10-6 et 2 x 10-3 rapportée au volume de l'atmosphère contrôlée, au-dessus du
bain de soudure.
Le document US-A-4 646 958 (IBM) décrit un procédé de montage de puces de semi-conducteurs sur des substrats céramiques dans lequel la refusion des plots de soudage (bumps) non fluxés et leur adhérence sur le substrat céramique s'effectue dans un four de fusion sous une atmosphère neutre ou réductrice contenant des proportions importantes de silane, typiquement 2 %, pour réduire les oxydes de plomb et d'étain se formant dans les plots lors de leur chauffage à température de fusion. Selon un aspect de l'invention, l'atmosphère contrôlée est élaborée en deux temps, a) en introduisant dans le capotage le gaz neutre pour ramener la teneur en oxygène résiduelle à une valeur inférieure à 200 ppm, puis b) en introduisant dans le capotage le gaz neutre et l'hydrure de silicium gazeux à une teneur supérieure à quatre fois la teneur en oxygène résiduelle dans l'atmosphère contrôlée en fin de phase a) Plus spécifiquement, dans une première phase de l'étape b), l'hydrure de silicium est introduit à une première teneur, entre 10 et 20 fois, typiquement de l'ordre de 10 à fois la teneur en oxygène résiduelle en fin de phase a), puis dans une deuxième phase de l'étape b) l'hydrure de silicium est introduit à une deuxième teneur inférieure à la première teneur, typiquement
inférieure à la moitié de la première teneur.
D'autres caractéristiques et avantages de la présente
invention ressortiront de la description suivante de modes de
réalisation, donnée à titre illustratif mais nullement limitatif.
Dans un capotage définissant un volume intérieur surplombant un bain de soudure d'un poste de soudage ou d'étamage à la vague et traversé par le trajet de composants à braser ou étamer, on injecte de l'azote de pureté électronique, c'est-à-dire ayant une teneur en oxygène inférieure à 10 ppm Avec un débit d'azote de l'ordre de 3,5 m 3/h injecté à l'aplomb du bain de soudure, on obtient une teneur en oxygène résiduelle, mesurée au niveau de la surface du bain de soudure, inférieure à 10 ppm Dans ces conditions, correspondant à la technologie connue, le poids de scories à la surface du bain est ramené à 20 g/heure au lieu de 900 g/heure lorsque le bain est exposé
à l'air.
Exemple 1
Selon l'invention, on injecte alors dans le ciel gazeux au-
dessus du bain de soudure un mélange d'azote et d'hydrure de silicium, typiquement du monosilane Pour obtenir une teneur en oxygène résiduelle inférieure au ppm, compte tenu de la géométrie du bac de soudure et du capotage le surplombant, on introduit dans ce dernier l'hydrure de silicium à une teneur supérieure à quatre fois, typiquement de l'ordre de onze fois la teneur moyenne en oxygène résiduelle avant introduction de l'hydrure de silicium, soit, avec un rapport R hydrure/oxygène de 10, un débit d'environ 0,3 litre/heure ( 100 ppm) de monosilane pour un débit gazeux global injecté dans le capotage de l'ordre de 3,5 m 3/heure Après environ 7 minutes d'injection de ce mélange, la valeur résiduelle en oxygène au-dessus du bain de soudure tombe à une valeur inférieure à 1 ppm On injecte alors dans le ciel gazeux du bain, et pour la suite du processus, une teneur plus faible d'hydrure de silicium, typiquement légèrement inférieure à la moitié de la teneur initiale, soit un débit inférieur à 0,15 litre/heure ( 50 ppm) de silane pour un même débit gazeux global introduit dans le capotage La teneur résiduelle en oxygène étant ramenée à un niveau inférieur à 1 ppm, le poids de scories formé à la
surface du bain est ramené à une valeur inférieure à 2 g/heure.
Exemple No 2
On injecte, cette fois, dans le ciel gazeux au-dessus du bain un débit réduit d'azote (de l'ordre de 2 m 3 /h) permettant d'atteindre à la surface du bain de soudure une teneur en oxygène résiduelle de l'ordre de 100 ppm, ce qui correspondrait, pour un process continu d'étamage ou de brasage de composants, à un poids de scories formé d'environ 140 g/heure Selon l'invention, comme précédemment, pour réduire la teneur en oxygène à une valeur de l'ordre de 1 ppm, on injecte alors dans le ciel gazeux du bain un mélange d'azote et de monosilane à une teneur correspondant à environ fois la teneur en oxygène résiduelle avec l'azote seul, soit un débit d'environ 4 litres/heure ( 1000 ppm) de silane pour un même débit gazeux global d'environ 3,5 m 3/heure introduit dans le capotage Comme dans l'exemple précédent, après environ 7 minutes d'injection de ce mélange, la teneur résiduelle en oxygène à la surface du bain devient inférieure à 1 ppm On réduit alors, pour la suite du processus, la quantité de silane injecté avec l'azote dans le capotage surplombant le bain à un débit de silane inférieur à 2 litres/heure ( 500 ppm) pour entretenir une atmosphère contrôlée identique à celle de l'exemple précédent. Quoique la présente invention ait été décrite en relation avec des modes de réalisation particuliers, elle ne s'en trouve pas limitée pour autant mais est au contraire susceptible de modifications
et de variantes qui apparaîtront à l'homme de l'art.
En particulier, selon les utilisations, le silane peut être injecté indépendamment de l'azote dans le capotage de protection, au-dessus du bain et, en place et lieu d'azote pur, le gaz neutre peut être constitué d'argon, d'hélium, ou d'un mélange de ces gaz avec de l'azote.

Claims (9)

REVENDICATIONS
1 Procédé d'application d'une composition de soudure sur les broches d'un composant électronique comprenant l'étape d'amener les broches du composant en contact avec au moins une vague de soudure dans un poste de soudage à la vague dont le bain est exposé à une atmosphère contrôlée à faible teneur en oxygène maintenue dans un capotage enclosant au moins la surface du bain, caractérisé en ce que l'atmosphère contrôlée est formée par au moins un gaz neutre et un hydrure de silicium gazeux à une teneur comprise entre 50 x 10 6 et
2 x 10-3 en volume de l'atmosphère contrôlée.
2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'atmosphère contrôlée est élaborée: a) en introduisant dans le capotage le gaz neutre pour ramener la teneur en oxygène résiduelle à moins de 200 ppm, puis b) en introduisant dans le capotage le gaz neutre et l'hydrure de silicium à une teneur supérieure à quatre fois la teneur
en oxygène résiduelle dans l'atmosphère contrôlée, en fin de phase a).
3 Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que, dans une première phase de l'étape b), l'hydrure de silicium est introduit à une première teneur entre 10 et 20 fois la teneur en oxygène résiduelle en fin de phase a) puis dans une deuxième phase à
une deuxième teneur inférieure à la première teneur.
4 Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la deuxième teneur en hydrure de silicium est inférieure à la moitié
de la première teneur.
Procédé selon la revendication 3 ou la revendication 4, caractérisé en ce que durant toute la deuxième phase de l'étape b), on maintient une injection d'hydrure de silicium de façon que la teneur
en oxygène résiduelle dans l'atmosphère contrôlée n'excède pas 1 ppm.
6 Procédé selon l'une des revendications 2 à 5, caractérisé
en ce que, durant la phase b), l'hydrure de silicium est pré-mélangé
avec le gaz neutre.
7 Procédé selon l'une des revendications 2 à 5, caractérisé
en ce que, durant la phase b), l'hydrure de silicium est injecté
séparément dans le capotage.
8 Procédé selon l'une des revendications précédentes,
caractérisé en ce que le gaz neutre est de l'azote à teneur en oxygène
inférieure à 10 ppm.
9 Procédé selon l'une des revendications précédentes,
caractérisé en ce que l'hydrure de silicium est le monosilane.
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