KR930012237B1 - 저온냉각장치 - Google Patents

저온냉각장치 Download PDF

Info

Publication number
KR930012237B1
KR930012237B1 KR1019930015212A KR930015212A KR930012237B1 KR 930012237 B1 KR930012237 B1 KR 930012237B1 KR 1019930015212 A KR1019930015212 A KR 1019930015212A KR 930015212 A KR930015212 A KR 930015212A KR 930012237 B1 KR930012237 B1 KR 930012237B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
low temperature
heat exchange
cooling
medium
cooling medium
Prior art date
Application number
KR1019930015212A
Other languages
English (en)
Inventor
요꼬우찌 기시오
야마다 미쓰다까
가메하라 노부오
니와 고이찌
Original Assignee
후지쓰 가부시끼가이샤
야마모또 다꾸마
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지쓰 가부시끼가이샤, 야마모또 다꾸마 filed Critical 후지쓰 가부시끼가이샤
Application granted granted Critical
Publication of KR930012237B1 publication Critical patent/KR930012237B1/ko

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25D—REFRIGERATORS; COLD ROOMS; ICE-BOXES; COOLING OR FREEZING APPARATUS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F25D3/00—Devices using other cold materials; Devices using cold-storage bodies
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K5/00—Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
    • C09K5/02—Materials undergoing a change of physical state when used
    • C09K5/04—Materials undergoing a change of physical state when used the change of state being from liquid to vapour or vice versa
    • C09K5/041—Materials undergoing a change of physical state when used the change of state being from liquid to vapour or vice versa for compression-type refrigeration systems
    • C09K5/044—Materials undergoing a change of physical state when used the change of state being from liquid to vapour or vice versa for compression-type refrigeration systems comprising halogenated compounds
    • C09K5/045—Materials undergoing a change of physical state when used the change of state being from liquid to vapour or vice versa for compression-type refrigeration systems comprising halogenated compounds containing only fluorine as halogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K5/00—Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
    • C09K5/02—Materials undergoing a change of physical state when used
    • C09K5/04—Materials undergoing a change of physical state when used the change of state being from liquid to vapour or vice versa
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/44—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements the complete device being wholly immersed in a fluid other than air
    • H01L23/445—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements the complete device being wholly immersed in a fluid other than air the fluid being a liquefied gas, e.g. in a cryogenic vessel
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2205/00—Aspects relating to compounds used in compression type refrigeration systems
    • C09K2205/10—Components
    • C09K2205/12—Hydrocarbons
    • C09K2205/128—Perfluorinated hydrocarbons
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25D—REFRIGERATORS; COLD ROOMS; ICE-BOXES; COOLING OR FREEZING APPARATUS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F25D3/00—Devices using other cold materials; Devices using cold-storage bodies
    • F25D3/10—Devices using other cold materials; Devices using cold-storage bodies using liquefied gases, e.g. liquid air
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

저온냉각장치
제1도는 본 발명의 형태에 따른 저온냉각장치의 도식적 단면도.
제2도는 본 발명의 다른 형태에 따른 저온냉각장치의 도식적 단면도.
제3도는 LSI칩의 온도에 관한 C2F6가 첨가된 액화질소 및 C2F6가 첨가되지 않은 액화질소와 그의 냉각능력 사이의 관계를 도시한 그래프도.
제4도는 냉각제의 상이한 형태에 관한 플루오로카본의 농도와 그 냉각능력 사이의 관계를 도시한 그래프도.
본 발명은 냉각제를 사용하여 반도체장치 등을 냉각하기 위한 저온냉각장치에 관한 것이다.
냉각능력을 증가시키기 위해서, 저온항온조(cryostat) 또는 밀폐된 저온 용기와 액화기, 특히 냉동기 및 액화기가 저온항온조의 내부 상단에 배치되어 있는 열교환 파이프의 결합을 사용하는 것이 제안되었다. 냉각되는 제품은 저온항온조와 냉각제 또는 냉각 매체에 침지되며, 증발된 냉각제는 냉각제의 증기와 열교환 파이프를 통하여 순환된 열교환 매체 사이의 열교환 결과로서 액화된다. 이와 같은 저온냉각 시스템에 있어서, 액화질소는 일반적인 냉각제로서 사용되며, 헬륨가스는 열교환 매체로서 사용된다. 그러나, 이 시스템은 다음과 같은 결점들을 갖는다.
(1) 액화기의 진동에 의하여 냉각되는 제품에의 악영향을 방지하기 위해서, 액화기는 저온항온조로부터 멀리 배치되어야만 한다.
(2) 헬륨가스가 열교환 매체로서 사용되기 때문에, 그 냉각능력이 만족할만큼 높지 않으며, 가스-가스접촉을 기초로하여 열교환이 이루어진다.
(3) 가스-가스 접촉 시스템의 냉각 능력을 증가시키기 위해서, 사용되는 열교환 파이프의 직경을 증가시키는 것이 가능하다. 그러나, 이것은 전력과 장치의 설비면적을 증가시켜, 작동비용을 증가시킨다.
본 발명의 목적은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 밀폐된 싸이클 시스템을 사용하는 저온냉각장치를 제공함에 있다.
본 발명의 형태로서, 냉각매체로서 액화질소와 일반식 CnF2n+2(n은 2-4의 정수)의 플루오로카본 혼합물을 함유하는 밀폐된 저온항온조를 포함하는 밀폐된 싸이클 시스템의 저온냉각장치가 제공되며, 냉각되는 제품은 저온항온조의 냉각매체에 침지되고 약 123K 이하의 극저온으로 냉각된다.
본 발명의 다른 형태로서, 냉각매체로서, 일반식CmF2m+2(m은 1-4의 정수)의 1이상의 액화 플루오로카본을 함유하는 밀폐된 저온항온조, 냉각매체에 침지되는 냉각제품, 및 저온항온조의 내부상단에 배치되고 분리액화기와 상통하는 열교환 파이프를 포함하는 밀폐된 싸이클 시스템을 갖는 저온냉각장치가 제공되며, 이에 의해서 저온항온조의 열발생 결과로서 끓고 증발된 냉각매체가 그의 증기와 열교환 파이프에서 열교환 매체로서 순환되는 액화가스사이의 열교환의 결과로서 동일한 저온항온조 내부에서 액화된다.
본 발명의 저온냉각장치에서, 저온항온조의 벽에는 바람직하게 파이프를 통하여 분리액화기와 상통하는 입출구가 제공되어 저온항온조에서 제품의 열발생 결과로서 끓고 증발된 냉각매체가 액화기로 안내되어 액화되며, 액체의 형태로 제조된 냉각매체는 저온항온조로 복귀된다.
한편, 저온항온조의 내부상단은 분리액화기와 상통하고 적당한 위치에 배치된 열교환 파이프를 가지므로, 저온항온조에서의 열발생 결과로서 끓고 증발된 냉각매체는 열교환 파이프에서 냉각매체의 증기와 열교환 매체 사이의 열교환 결과로서 동일한 저온항온조내에서 액화된다.
본 발명에서 사용된 액화기는 종래의 구조를 갖고 있으나 바람직하게 그 액화기는 압축기를 갖는 스터링(Stirling) 싸이클 냉동기를 포함한다.
상술된 바와 같이, 어떤 열교환 매체도 본 발명의 실시에 사용된 수 있으나, 만족스런 열교환 효과를 얻기 위해서는 저온항온조에 동시에 사용된 냉각매체의 비등점보다 낮은 비등점을 갖는 열교환 매체를 액화기의 열교환 파이프를 통하여 순환시키는 것이 필요하다. 만일 상기 요구가 만족되면, 비등에 의한 열전달이 열교환 파이프 부분에서 일어나며, 열교환 파이프에서 헬륨 가스를 사용하므로써 얻어진 종래의 열전달 효율보다 더 높은 열전달 효율이 보장된다. 이것은 상술된 바와 같이, 본 발명의 냉각제가 바람직하게 저온항온조에서 냉각매체로서 사용되고, 액체질소가 열교환 파이프에서 열교환 매체로서 사용되기 때문이다.
본 발명은 약 123K 이하의 극저온으로 냉각되는 어떤 제품의 냉각에도 적용할 수 있다. 이러한 제품의 전형적인 예로서는 비록 제한은 없지만 HEMT 또는 CMOS 등의 반도체 장치, 극저온에서 초전도성을 나타내는 초전도체를 사용하는 장치, 또는 극저온에서 동작할 수 있는 전자장치 등이 있다. 놀랍게도, 본 발명에 따라, 대규모 컴퓨터들은 간단한 구조를 갖는 저온냉각장치에서 고효율로 냉각될 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면들에 의거하여 상세히 설명된다.
저온냉각은 제1도 또는 제2도의 저온냉각장치를 사용하므로써 유리하게 행해질 수 있다.
제1도의 저온냉각장치는 저온항온조 33과 액화기 13으로 구성된 밀폐된 루프 또는 사이클 시스템이다. 액화기 13은 냉동기 14와 고압압축기 15로 이루어진다. 저온항온조 33에 채워진 냉각매체 34는 액화질소와 0.5몰%의 플루오로카본(여기서는 C2F6이 사용된다)의 혼합물이다.
10mm×10mm 크기의 4×4 LSI칩들 31을 탑재한 100mm×100mm 크기의 회로판 32가 냉각매체 34에 완전히 침지된다. 칩들 31에 전압 공급은 전원으로부터 전기케이블(도시되지 않았음)을 사용하여 행해지고, 냉각매체 34의 비등(boiling)은 칩들 31에 전압을 가함에 따라 시작되며, 그것에 의하며 매체 34의 증기 기포 35가 가열된 칩들 31의 표면에 발생된다. 따라서 칩들 31이 그곳으로 부터의 열의 증발에 의하여 냉각된다.
발생된 냉각매체의 증기가 공급파이프 36을 통하여 냉동기 14의 용기 17에 공급된다. 증기는 냉동기 14의 냉각헤드(도시되지 않았음)와 용기 17의 바닥부를 냉각하므로써 용기 17에서 액화된다. 이러한 냉각은 압축기 15와 부착된 피스톤 16을 상용하므로써 행해진다. 용기 17의 발생된 냉각매체 용액이 공급파이프 37을 통하여 저온항온조 33으로 복귀한다.
사용된 냉각매체의 냉각능력이 상술된 바와 같이 평가되고, 평가의 결과는 냉각매체에 침지된 LSI칩들의 온도의 함수로써 제3도에 도시된다. 또한, 비교하기 위하여, 상술된 절차가 냉각매체로서 액화질소를 사용하므로써 반복되고, 냉각능력의 평가결과가 제3도에 도시된다. 제3도에 도시된 결과는 액화질소에서의 C2F6의 0.5몰%의 혼합이 냉각매체의 냉각능력을 단지 액화질소(약 15 내지 20W/cm2)로 이루어진 냉각매체의 그것보다 약 2배 높은 즉, 약 40W/cm2으로 증가시킨다는 것을 나타낸다. 특히, 0.5몰%의 C2F6은 밀폐된 시스템의 액화에서 응고와 분리문제를 일으키지 않은 농도로 크게 감소된다.
제2도의 저온냉각장치는 제1도에 의거하여 상술된 저온냉각장치를 변경한 것이다. 도시한 바와 같이, 저온항온조 33은 액화기 13으로 부터 떨어져 배치되나, 액화기 13으로 부터의 열교환 파이프 38은 증발된 냉각매체의 냉각 및 액화를 실행하기 위하여 저온항온조 33의 내부 상단부에 배치된다. 저온항온조 33, 저온항온조에서의 냉각매체 34, 기판 32와 LSI칩 31 및 액화기 13의 상세한 설명은 생략한다. 이들 구성부는 제1도의 구성부에 대응하고 , 이미 설명한 바와 동일하다. 열교환 파이프 38을 통하여 순환하는 열교환매체 39는 액화질소이다. 기판 32를 냉각매체 34에 침지한 후에, 전압을 칩 31에 케이블(도시하지 않았음)을 통하여 인가하였다. 따라서 칩 31은 가열되고, 주위 냉각매체 34가 끓는다. 그것에 의해 매체 증기의 작은 기포들은 칩 31이 표면에서 발생하였다. 매체증기는 열교환 파이프 38에서 액화질소 39와 간접적으로 열교환하였고, 그 결과, 매체증기는 증발되지 않은 냉각매체 34로 액화되어 떨어졌다. 평가될 수 있는 바와 같이, 칩 31은 기포 35가 발생하는 동안에 칩 표면으로부터 증발열의 제거로서 냉각된다.
사용된 냉각매체의 냉각능력은 언급한 바와 같이 평가되었고, 결과는 만족할만하고 제 1도의 저온냉각장치를 사용함으로써 얻어진 결과와 필적할만하다. 예시된 장치에 있어서, 열교환 매체는 가스가 아니라 액체 질소등의 액화이기 때문에, 냉각능력을 감소시킴이 없이 열교환 파이프의 직경을 줄이는 것이 가능하다. 예를 들면, 1KW의 냉각을 하려할 때, 열전달은 105W/m2k(He 가스의 사용에 대하여는 103W/m2k)로 증가되고, 열교환 파이프의 직경은 25mmφ(He 가스에 대하여는 50mmφ)로 감소된다. 더욱이, 제 1 도 및 제 2 도에서 도시하지 않았지만 히터는 용기 17의 하단부에 연결될 것이다. 히터는 열교환 반응의 속도를 제어하거나, 대략 비등점까지 냉각매체의 온도를 제어하기 위하여 유리하게 사용될 수 있다.
제4도는 본 발명으로부터 더 이해될 수 있는 실험데이타를 요약함으로써 작성된 그래프이다. 제4도의 그래프는 3개의 선, LN2+CnF2n+2(n=2 또는 3)에 대한 첫번째 실선, LN2+C4F10에 대한 두 번째 실선, 및 LN2+CF4에 대한 세 번째 점선과 LN2에 대한 한점을 갖는다. 본 발명의 냉각매체에 대하여 LN2와 CnF2n+2의 혼합물. 여기서 n은 2,3 또는 4), 만족할만한 냉각능력을 LN2에 소량의 CnF2n+2의 첨가로 얻어졌다. CnF2n+2의 0.5 내지 1몰%의 범위의 점선은 CnF2n+2가 LN2에 용해되지 않는 것을 의미한다. 종래의 냉각매체(LN2단독 또는 LN2와 CF4의 혼합물)에 대하여, 만족할만한 냉각능력을 얻을 수가 없었으며, LN2+C5F12(도시되지 않았음)의 혼합물에 대하여, 냉각능력의 증가를 얻을 수가 없었고, 오히려 고체화되는 경향을 보였다.
더욱이, 저온항온조의 냉각매체로서 LN2와 C2F6의 혼합물의 사용이 제2도의 저온냉각장치에 의거하여 언급하였지만, 본 발명자는 비슷하고 만족할만한 결과가 혼합물이 단지 플루오로카본들로 대치되더라도 얻어질 수 있음을 또한 발견하였다. 즉, CF4를 포함하는 어떤 플루오로카본들은 저온항온조에서 냉각매체로서 사용될 것이고, 어떤 액화가스는 선택된 플루오로카본의 특정성질에 따라 액화기의 열교환 파이프에서 열교환가스로 사용될 것이다. 일반적으로, 열교환 파이프에서 액화가스는 저온항온조에서 사용된 플루오로카본의 비등점보다 낮은 비등점을 갖는다. 이미 언급한 예에서와 같이, 액화질소는 열교환매체로서 바람직하게 사용된다.
냉각매체로서의 플루오로카본 CF4와 제2도의 저온냉각장치를 사용하여, 다음의 실험을 실행하였다.
크기 10mm×10mm의 4×4 LSI칩 31을 탑재한 크기 100mm×100mm의 회로기판 32 저온항온조 33의 냉각매체(액화 CF4) 34에 침지된다. LSI칩 31에 전기 케이블을 통하여 전압을 인가함으로써, 냉각매체 34가 끓기 시작하고 매체 34의 증기의 작은 기표 35는 가열된 LSI칩 31의 표면에서 발생하였다. 따라서 칩 31은 칩표면으로부터 증발열의 제거로서 냉각되었다.
더욱이, 증발된 냉각매체는 열교환 파이프 38에서 열교환매체(액화 N2)와 간접적으로 열교환하였다. 그 결과, 매체증기는 약 90K로 냉각되고 액화매체는 증발되지 않은 냉각매체 34에 떨어진다. 열교환 파이프 38에서, 순환성액화 N2는 가스액화 혼합물의 흐름을 형성하기 위해 CF4증기로부터 열과 첫째로 끓었고, 액화기 14로 복귀된다.
실험의 결과로, 장치의 냉각능력이 500W, 즉 열교환 매체로서 He 가스를 사용한 종래의 장치의 냉각능력(100W)보다 약 5배로 향상하였음을 보였다. 비록 액화 CF4가 상기 실험에서 사용되었지만, 그것은 다른 플로오로카본, 즉, 액화 C2F6, C3F8,C4F10또는 그것의 혼합물로 대치될 것이고, 적당한 열교환 매체는 각 플루오로카본에 대해 선택될 것이다.

Claims (15)

  1. 약 123K 이하의 극저온으로 냉각될 제품이 침지되는 저온항온조의 냉각매체로서 액체질소와 일반식 CnF2n+2(n은 2-4의 정수)의 플루오로카본 혼합물을 함유하는 밀폐된 저온항온조를 포함하는 밀폐된 싸이클 시스템을 갖는 저온냉각장치.
  2. 제1항에 있어서, 플루오로카본이 액체질소에 용해되어 있는 저온냉각장치.
  3. 제1항에 있어서, 저온항온조의 벽에 파이프를 통하여 분리액화기와 상통하는 입출구가 제공되어, 저온항온조의 제품으로부터 발생된 열의 결과로서 끓고 증발된 냉각매체가 액화기로 안내되고 액화되며, 액체의 형태로 제조된 냉각매체가 저온항온조로 복귀되는 저온냉각장치.
  4. 제3항에 있어서, 액화기가 압축기를 갖는 스터링 싸이클 냉동기를 포함하는 저온냉각장치.
  5. 제1항에 있어서, 저온항온조의 내부상단이 그의 적당한 위치에 배치되고 분리 액화기와 상통하는 열교환 파이프를 갖고, 이에 따라 저온항온조에서의 열발생 결과로서 끓고 증발된 냉각매체가 열교환 파이프에서 냉각매체의 증기와 열교환 매체사이의 열교환 결과로서 동일한 저온항온조내에서 액화되는 저온냉각장치.
  6. 제5항에 있어서, 열교환 파이프를 통하여 순환되는 열교환 매체가 액체 질소인 저온냉각장치.
  7. 제5항에 있어서, 액화기가 압축기를 갖는 스터링 싸이클 냉동기인 저온냉각장치.
  8. 제1항에 있어서, 냉각될 제품이 극저온에서 동작되도록 설계된 반도체 장치인 저온냉각장치.
  9. 제8항에 있어서, 반도체 장치가 HEMT인 저온냉각장치.
  10. 제8항에 있어서, 반도체 장치가 상보형 금속산화물 반도체 장치인 저온냉각장치.
  11. 제1항에 있어서, 냉각될 제품이 극저온에서 초전도성을 나타내는 초전도체를 사용하는 장치인 저온냉각장치.
  12. 제1항에 있어서, 냉각될 제품이 극저온에서 동작되도록 설계된 전자장치인 저온냉각장치.
  13. 저온항온조에서의 열발생 결과로서 끓고 증발된 냉각매체가 열교환 파이프에서 냉각매체의 증기와 열교환 매체로서 순환되는 액체가스사이의 열교환의 결과로서 동일한 저온항온조내에서 액화되도록, 일반식 (복사)CmF2m+2(m은 1-4의 정수)의 하나이상의 액체플루오로카본을 냉각될 제품이 침지되는 냉각매체로서 함유하는 밀폐된 저온항온조와 저온항온조의 내부상단에 배치되고 분리액화기와 상통하는 열교환 파이프를 포함하는 밀폐된 싸이클 시스템을 갖는 저온냉각장치.
  14. 제13항에 있어서, 액체질소가 열교환 매체로서 사용되는 저온냉각장치.
  15. 제13항에 있어서, 액화기가 압축기를 갖는 스터링 싸이클 냉동기인 저온냉각장치.
KR1019930015212A 1988-11-18 1993-08-05 저온냉각장치 KR930012237B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63-292614 1988-11-18
JP29261488 1988-11-18
JP14699489 1989-06-10
JP01-146994 1989-06-10

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890016740A Division KR940000206B1 (ko) 1988-11-18 1989-11-18 저온냉각장치용 냉각제와 그 제조방법 및 냉각방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR930012237B1 true KR930012237B1 (ko) 1993-12-24

Family

ID=26477673

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890016740A KR940000206B1 (ko) 1988-11-18 1989-11-18 저온냉각장치용 냉각제와 그 제조방법 및 냉각방법
KR1019930015212A KR930012237B1 (ko) 1988-11-18 1993-08-05 저온냉각장치

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890016740A KR940000206B1 (ko) 1988-11-18 1989-11-18 저온냉각장치용 냉각제와 그 제조방법 및 냉각방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5038571A (ko)
EP (2) EP0554966B1 (ko)
KR (2) KR940000206B1 (ko)
CA (1) CA2003062C (ko)
DE (2) DE68916513T2 (ko)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0456508A3 (en) 1990-05-11 1993-01-20 Fujitsu Limited Immersion cooling coolant and electronic device using this coolant
US5140821A (en) * 1990-12-03 1992-08-25 Westinghouse Electric Corp. Apparatus and methods for thermal protection of liquid containers
US5269370A (en) * 1991-03-28 1993-12-14 General Dynamics Corporation, Space Systems Div. Thermal cycling device
JP3208151B2 (ja) * 1991-05-28 2001-09-10 三洋電機株式会社 冷凍装置
JPH04350906A (ja) * 1991-05-28 1992-12-04 Nippon Steel Corp 酸化物超電導コイルの冷却方法および冷却装置
US5193349A (en) * 1991-08-05 1993-03-16 Chicago Bridge & Iron Technical Services Company Method and apparatus for cooling high temperature superconductors with neon-nitrogen mixtures
ATE132524T1 (de) * 1992-07-14 1996-01-15 Oho Suk Jae Kühlzusammensetzung
GB2268751B (en) * 1992-07-14 1996-01-24 Suk Jae Oho Refrigerant comprising liquid nitrogen, polyhydroxy alcohol, aqueous sodium chloride and surfactant
US5469711A (en) * 1994-04-15 1995-11-28 Infrared Components Corporation Cryogenic packaging for uniform cooling
US5787715A (en) * 1995-10-12 1998-08-04 Cryogen, Inc. Mixed gas refrigeration method
US6023934A (en) * 1996-08-16 2000-02-15 American Superconductor Corp. Methods and apparatus for cooling systems for cryogenic power conversion electronics
US6173577B1 (en) 1996-08-16 2001-01-16 American Superconductor Corporation Methods and apparatus for cooling systems for cryogenic power conversion electronics
US5806318A (en) * 1996-12-30 1998-09-15 Biomagnetic Technologies, Inc. Cooling using a cryogenic liquid and a contacting gas
US6370911B1 (en) 1999-08-13 2002-04-16 Air Liquide America Corporation Nitrous oxide purification system and process
US20040031291A1 (en) * 2001-01-31 2004-02-19 Takahiro Hamada Drawing method for optical fiber
JP2004028516A (ja) * 2002-06-28 2004-01-29 Sanyo Electric Co Ltd 保存装置
TWI325949B (en) 2004-02-09 2010-06-11 Sanyo Electric Co Refrigerant system
US7481375B2 (en) * 2005-03-04 2009-01-27 Honeywell International Inc. Apparatuses and methods for controlling the temperature of a process fluid
GB2432460B8 (en) 2005-11-17 2010-08-18 Iceotope Ltd Computer apparatus
EP1964172A2 (en) * 2005-12-19 2008-09-03 Honeywell International Inc. Multi-fluid coolant system
US20090241558A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Jie Yuan Component cooling system
CN106679217B (zh) * 2016-12-16 2020-08-28 复旦大学 一种机械振动隔离的液氦再凝聚低温制冷系统
US11047817B2 (en) * 2019-04-17 2021-06-29 Northrop Grumman Systems Corporation Physical properties measurement system
US10785891B1 (en) * 2019-06-17 2020-09-22 Microsoft Technology Licensing, Llc Superconducting computing system in a liquid hydrogen environment
US20220033239A1 (en) * 2020-07-28 2022-02-03 Messer Industries Usa, Inc. Liquid cryogen delivery and injection control apparatus
US11692768B2 (en) * 2020-07-28 2023-07-04 Messer Industries Usa, Inc. Liquid cryogen delivery and injection control apparatus

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3406117A (en) * 1956-11-19 1968-10-15 Union Carbide Corp Liquid oxygen-ozone solution containing trifluorochloromethane
US2984080A (en) * 1958-06-25 1961-05-16 Conch Int Methane Ltd Method and means for the transportation of liquefied natural gas
NL262595A (ko) * 1960-03-21 1900-01-01 Du Pont
US3901241A (en) * 1973-05-31 1975-08-26 Al Corp Du Disposable cryosurgical instrument
US3989100A (en) * 1975-05-19 1976-11-02 The Babcock & Wilcox Company Industrial technique
SU565052A1 (ru) * 1976-03-09 1977-07-15 Предприятие П/Я М-5727 Хладагент
SU637419A1 (ru) * 1977-07-21 1978-12-15 Одесский Технологический Институт Холодильной Промышленности Хладагент
US4365102A (en) * 1980-09-29 1982-12-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method of manufacturing perfluoromethane and perfluoroethane
JPS57141986A (en) * 1981-02-25 1982-09-02 Fujitsu Ltd Cooling method for semiconductor laser
JPS5859303A (ja) * 1981-10-05 1983-04-08 Toshiba Corp コンバインドサイクルプラント
JPS58146917A (ja) * 1982-02-26 1983-09-01 Fujitsu Ltd クライオスタツト
US4543794A (en) * 1983-07-26 1985-10-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Superconducting magnet device
JPS6293406A (ja) * 1985-10-18 1987-04-28 Hitachi Ltd ランキンサイクルを有するｌｎｇ冷熱発電設備の気化ガス加熱方法
JPS63129280A (ja) * 1986-11-18 1988-06-01 株式会社東芝 ヘリウム冷却装置
US4803842A (en) * 1987-02-09 1989-02-14 Castleton, Inc. Direct contact cooling of foodstuffs with halocarbon heat transfer liquids
US4730460A (en) * 1987-02-09 1988-03-15 Castleton, Inc. Ultra - rapid plasma freezing with halocarbon heat transfer liquids
US4796433A (en) * 1988-01-06 1989-01-10 Helix Technology Corporation Remote recondenser with intermediate temperature heat sink

Also Published As

Publication number Publication date
DE68916513T2 (de) 1994-10-13
CA2003062A1 (en) 1990-05-18
DE68923458D1 (de) 1995-08-17
EP0369827A1 (en) 1990-05-23
EP0554966A2 (en) 1993-08-11
DE68916513D1 (de) 1994-08-04
EP0369827B1 (en) 1994-06-29
DE68923458T2 (de) 1995-12-14
EP0554966B1 (en) 1995-07-12
KR910001341A (ko) 1991-01-30
EP0554966A3 (en) 1993-10-13
US5038571A (en) 1991-08-13
KR940000206B1 (ko) 1994-01-12
CA2003062C (en) 1998-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930012237B1 (ko) 저온냉각장치
US6173577B1 (en) Methods and apparatus for cooling systems for cryogenic power conversion electronics
KR950002271B1 (ko) 침지 냉각용 냉각재 및 이 냉각재를 이용한 전자장치
US6023934A (en) Methods and apparatus for cooling systems for cryogenic power conversion electronics
US6732536B1 (en) Method for providing cooling to superconducting cable
US3878691A (en) Method and apparatus for the cooling of an object
US3364687A (en) Helium heat transfer system
WO2000039513A1 (en) Liquid helium recondensation device and transfer line used therefor
GB2574830A (en) Cryogenic cooling system
US20060185379A1 (en) Cryogenic computer system with parallel multiple cooling temperatures
US4209657A (en) Apparatus for immersion-cooling superconductor
MXPA01008539A (es) Sistema de refrigeracion con circuito estabilizador del fluido de acoplamiento.
JPH04131688A (ja) Ｃｏ↓２液化装置
KR20220130924A (ko) 초전도 한류기의 냉각 제어장치
CA2127812C (en) Production and use of coolant in cryogenic devices
JPH03103488A (ja) 低温冷却媒体とその製造方法、ならびに冷却方法及び冷却装置
US3597355A (en) Heat transfer process
McDougall The boiling of cryogenic fluids—A survey
US20070180836A1 (en) Closed-loop cycle cryogenic electronics cooling system with parallel multiple cooling temperatures
JPH0370914B2 (ko)
JP2002031449A (ja) 極低温冷却装置
JP2613212B2 (ja) 液化天然ガスの冷熱利用システム
JPS6262478B2 (ko)
RU2159909C1 (ru) Технологический комплекс по сжижению газов и их хранению
JPS6353440B2 (ko)

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20041210

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee