KR930012112A - 음이온 발생장치 - Google Patents

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KR930012112A KR1019910022666A KR910022666A KR930012112A KR 930012112 A KR930012112 A KR 930012112A KR 1019910022666 A KR1019910022666 A KR 1019910022666A KR 910022666 A KR910022666 A KR 910022666A KR 930012112 A KR930012112 A KR 930012112A
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Abstract

내용 없음

Description

음이온 발생장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 음이온 발생장치의 회로도.
제2도는 본 발명에 따른 음이온 발생장치의 회로도.
제3도는 본 발명에 따른 제2실시예의 음이온 발생장치의 회로도.
제4도는 본 발명에 따른 제3실시예의 음이온 발생장치의 회로도.

Claims (11)

  1. 고 직류 음전압의 입력에 의해 공기중의 양이온을 음이온으로 대전하여 방출하는 방전기(10)를 구비한 음이온 발생 장치에 있어서, 저 직류전압(DC)를 입력하는제1, 제2입력라인(VCCL)(GNDL)과, 교류 전압 입력권선(NB)을 가지며, 상기 일차권선의 전압압력에 응답하여 입력 전압과 위상이 반대인 릴리즈 출력하는 제1출력권선(NA)과, 상기 입력전압을 고 전압으로 승압하여 출력하는 제2출력권선(NC)를 가지는 고전압트랜스포머(HVT1)과, 상기 제1입력라인(VCCL)으로 입력되는 저직류 전압의 입력에 제1응답스위칭하여 상기 고 전압트랜스포머(HVT1)의 입력권선(NB)에 상기 저 직류전압을 공급하며, 제어단자(CTL)로 입력되는 릴리즈 펄스에 제2응답 스위칭하여 상기 공급되는 저 직류전압을 차단하는 트랜스 트라이버(12)와, 상기 고 전압트랜스포머(HVT1)의 제1출력권선(NA)으로 부터 출력되는 릴리즈 펄스를 소정 지연하여 상기 제어단자(CTL)로 제공하는 트랜스 드라이버 제어부(14)와, 상기 고 전압트랜스포머(HV1)의 제2출력권선(NC)으로 부터 출력되는 고 전압을 직류 고 음(-)전압으로 배전압 정류하여 상기 방전기(10)에 입력시키는 정류부(16)로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 트랜스 드라이버(12)는 상기 제1입력라인(VCCL)과 상기 고 전압트랜스포머(HVT1)의 입력권선(NB)의 입력단자(L2) 사이에 제1스위칭 제어신호의 입력에 제1응답 스위칭하여 제1입력라인(VCCL)로 입력되는 저 직류전압을 상기 입력권선(NB)에 입력시키고, 릴리즈의 입력에 제2응답 스위칭하여 상기 저직류전압의 출력을 차단하는 스위칭 트랜지스터(Q11)와, 상기 제1입력라인(VCCL)과 상기 스위칭 트랜지스터(Q11)의 베이스 사이에 병렬 접속되어 제1스위칭 제어신호인 베이스전압을 제공하는 저항(R11) 및 캐패시터(C13)와, 상기 스위칭 트랜지스터(Q11)의 에미터로 부터 베이스 사이에 직렬 접속된 저항(R2)와 다이오드(D11)로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
  3. 제2항에 있어서, 트랜스 드라이버 제어부(14)는 상기 고 전압트랜스포머(HVT1)의 제1출력권(NA)의 출력단자(L1)와 상기 스위칭 트랜지스터(Q11)의 베이스 사이에 접속된 저항(R3) 및 캐패시터(C12)와, 상기 저항(R13)에 병렬 접속된 다이오드(D12)로 구성되어 상기 고 전압트랜스포머(HVT1)의 제1출력권선(NA)의 출력을 소정 지연하여 상기 스위칭 트랜지스터(Q11)의 베이스로 입력시키어 상기 트랜지스터(Q11)을 오프 스위칭도록 동작을 특징으로 하는 장치.
  4. 높은 직류 음전압의 입력에 의해 공기중의 양이온을 음이온으로 대전시키어 방출하는 방전기를 구비한 음이온 발생장치에 있어서, 저 직류전압(DC)을 입력하는 제1, 제2입력라인(VCCL)(GNDL)과, 교류전압 입력권선(NB)을 가지며, 상기 일차권선의 전압입력에 응답하여 입력전압과 위상이 반대인 릴리즈 출력하는 제1출력권선(NA)과, 상기 입력전압을 고 전압으로 승압하여 출력하는 제2출력권선(NC)를 가지는 고전압트랜스포머(HVT1)과, 상기 제1입력라인(VCCL)로 입력되는 저 직류전압의 입력에 제1응답 스위칭하여 상기 고 전압트랜스포머(HVT1)의 입력권선(NB)에 상기 저 직류전압을 공급하며, 제어단자(CTL)로 입력되는 릴리즈에 제2응답 스위칭하여 상기 공급되는 저 직류전압을 차단하는 트랜스 드라이버(12)와, 상기 고 전압트랜스포머(HVT1)의 제1출력권선(NA)과 상기 제어단자(CTL) 사이에 접속되어 상기 제1출력권선(NA)으로 부터 출력되는 릴리즈펄스를 소정 지연하여 상기 제어단자(CTL)로 제공하는 트랜스 드라이버제어부(14)와, 상기 고 전압트랜스포머(HVT1)의 제2출력권선(NC)으로 부터 출력되는 고 전압을 직류 고 음(-)전압으로 배전압 정류하여 상기 방전기(10)에 입력시키는 정류부(16)와, 상기 정류부(6)의 부펄스전압 순환노드와 제2입력라인(GNDL) 사이에 접속되며, 상기 정류부(16)의 과전류를 전압으로 변환하여 소정 레벨이상일때 과부하검출 신호를 발생하는 과부하검출부(18)와, 상기 제1입력라인(VCCL)과 접지사이에 접속되어 있으며, 상기 과부하검출부(18)의 출력에 응답 스위칭하여 경보신호(AS)를 발생하는 경보발생부(20)와, 상기 제1입력라인(VCCL)과 제2입력라인(GNDL) 사이에 접속되어 있으며, 상기 과부하 검출부(18)의 과부하 검출신호 출력에 응답하여 트랜스드라이버(12)에 릴리즈 신호를 제공하여 고 전압발생을 중지시키는 릴리즈 신호발생부(22)로 구성됨을 특징으로 하는 음이온 발생장치.
  5. 제4항에 있어서, 트랜스 드라이버(12)는 상기 제1입력라인(VCCL)과 상기 고 전압트랜스포머(HVT1)의 입력권선(NB)의 입력단자(L2) 사이에 제1스위칭 제어신호의 입력에 제1응답 스위칭하여 제1입력라인(VCCL)로 입력되는 저 직류전압을 상기 입력권선(NB)에 입력시키고, 릴리즈의 입력에 제2응답 스위칭하여 상기 저 직류전압의 출력을 차단하는 스위칭 트랜지스터(Q11)와, 상기 제1입력라인(VCCL)과 상기 스위칭 트랜지스터(Q11)의 베이스 사이에 병렬 접속되어 제1스위칭 제어신호인 베이스 전압을 제공하는 저항(R11) 및 캐패시터(C13)와, 상기 스위칭 트랜지스터(Q11)의 에미터로 부터 베이스 사이에 직렬 접속된 저항(R2)와 다이오드(D11)로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
  6. 제5항에 있어서, 트랜스 드라이버 제어부(14)는 상기 고 전압트랜스포머(HVT1)의 제1출력권(NA)의 출력단자(L1)와 상기 스위칭 트랜지스터(Q11)의 베이스 사이에 접속된 저항(R3) 및 캐패시터(C12)와, 상기 저항(R13)에 병렬 접속된 다이오드(D12)로 구성되어 상기 고 전압트랜스포머(HVT1)의 제1출력권선(NA)이 출력을 소정 지연하여 상기 스위칭 트랜지스터(Q11)의 베이스로 입력시키어 상기 트랜스터(Q11)을 오프 스위칭도록 동작을 특징으로 하는 장치.
  7. 제4항에 있어서, 과부하검출부(18)는 상기 정류부(16)의 부펄스전압 순노드와 제2입력라인(GNDL) 사이에 과전류 검출전압변환 저항(R16)과 캐패시터(C16)가 병렬 접속되어 소정 레벨의 충전 전압을 과부하검출 신호로 출력도록 동작함을 특징으로 하는 장치.
  8. 제7항에 있어서, 경보신호발생부(20)는 상기 제1입력라인(VCCL)과 제2입력라인(GNDL) 사이에 상기 과부하검출 신호의 입력에 응답 스위칭하는 트랜지스터(Q13)와, 정전압 다이오드(ZD1)가 접속되어 구성됨을 특징으로 하는 장치.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 릴리즈 신호발생부(22)는 상기 트랜스 드라이버(12) 내 트랜지스터(Q11)의 베이스와 제2전원입력라인(GNDL) 사이에 접속되어 있으며, 제2스위칭 신호에 의해 스위칭되어 상기 스위칭 트랜지스터(Q11)의 베이스 신호를 제2전원입력라인(GNDL)으로 바이패스하여 차단하는 제1차단부와, 상기 과부하검출부(18)의 출력단자와 상기 제2입력라인 사이에 접속되어 있으며, 입력 과부하검출 신호를 소정 지연하여 출력하는 지연부와, 상기 제1입력라인(VCCL)과 제2입력라인(GNDL) 사이에 직렬 접속되어 구성되며, 상기 지연부로 부터 소정지연 출력되는 과부하검출 신호에 응답하여 상기 제1차단부에 제1스위칭 신호를 공급하는 차단신호 공급부로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
  10. 고 직류 음전압의 입력에 의해 공기중의 양이온을 음이온으로 대전하여 방출하는 방전기(10)를 구비한 음이온 발생 장치에 있어서, 직류 전원전압(DCS)와, 상기 직류전압(DCS)을 소정 레벨의 직류 전압으로 안정화 하여 출력하는 레귤레이터(24)와, 음이온 발생 온/오프 신호를 발생하는 제1스위치(S1)와, 음이온 발생기의 동작 시간을 설정하는 신호를 발생하는 제2스위칭(S2)와, 상기 레귤레이터(24)의 출력전압에 의해 동작되며, 상기 제1스위칭(S1)로 부터의 신호에 응답하여 시작신호(ST)를 출력하며, 상기 제2스위치(S2)의 스위칭 입력신호를 카운트하여 동작 시간을 설정하고, 상기 설정된 동작 시간을 다운 카운트하여 완료시 시작 신호의 출력을 차단함과 동시에 경보신호(AS)의 입력에 응답하여 시작신호를 차단하는 제어부(26)와, 상기 직류 전원전압(DCS)의 제1전압(VCC), 제2전압(GND)를 음(-) 고전압으로 변환하여 상기 방전기(10)로 출력하고, 상기 방전기(10)의 이상 상태에 의한 과부하를 검출하여 경보신호(AS)를 상기 제어부(26)로 출력하는 고 음전압 발생기(28)와, 상기 직류 전원전압(DCS)의 제2전압(GND)과 상기 고 음전압 발생기(28)의 제2전압입력단자(GNDL) 사이에 전송되어 있으며, 상기 제어부(26)의 개시신호에 응답 스위칭하여 상기 제2전압(GND)를 상기 고 음전압 발생기(28)에 입력시키는 스위치(Q13)로 구성됨을 특징으로 하는 음이온 발생장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 스위치(Q13)은 콜렉터가 상기 고 음전압 발생기(28)의 제2전원라인(GNDL)에 접속되고 에미터가 전원전압(DCS)의 제2전압단자에 접속된 NPN트랜지스터임을 특징으로 하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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