KR930012090B1

KR930012090B1 - 고전압 안정화 회로

Info

Publication number: KR930012090B1
Application number: KR1019850006989A
Authority: KR
Inventors: 스스무 다가와; 지히로 미우라
Original assignee: 소니 가부시끼가이샤; 오오가 노리오
Priority date: 1984-09-25
Filing date: 1985-09-24
Publication date: 1993-12-23
Also published as: CA1266914A; KR860002918A; GB8522939D0; US4731565A; JPS6177473A; GB2165106B; GB2165106A; JPH07114453B2

Abstract

내용 없음.

Description

고전압 안정화 회로

제1도는 평면형 음극선관의 형광스크린을 활성화 하기 위해 사용되는 전자빔의 개략도.

제2도는 형광스크린과 전자총의 관계를 나타내는 평면형 음극선관의 단면도.

제3도는 본 발명의 한 실시예를 도시한 개략도.

제4도는 제3도의 실시예에 사용된 플라이-백 트랜스의 회로도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 전자총 3 : 형광스크린

5 : 음극선관 6 : 플라이백 트랜스

7 : 정류회로 8 : 영상 증폭용 트랜지스터

본 발명은 일반적으로 플라이백 트랜스로부터 음극선관에 공급된 고전압을 안정화 시키는데 사용되는 고전압 안정화 회로에 관한 것으로 특히 평면형 음극선관에 사용되는 고전압 안정기에 관한 것이다.

음극선관용 고전압을 발생시키기 위한 ＂플라이백＂ 트랜스를 수평출력트랜스로 이용하였다. 상기 출력트랜스는 통상적으로 음극선관용 고전압과 수평주사전압을 제공한다. 상기와 같은 출력 또는 플라이백 고전압 회로에서 고전압 출력은 트랜스의 권선저항, 정류기 다이오드 및 바이패스 커패시터의 임피던스 및 스위칭 회로를 형성하는 다른 회로소자 함수인 트랜스의 2차에 있는 전체 부하에 따라 변하는 것으로 알려져 있다. 또한 고전압출력은 입력 비데오 신호에 응답하여 변하는 음극선관의 캐소드 전류에 영향을 받을 것이다. 왜냐하면, 비데오 신호를 수신하는 비데오 출력회로는 플라이백 트랜스에 발생된 저전압이 공급되기 때문이다. 상기 고전압 변동의 결과적인 영향은 음극선상에 형성된 화면의 위치 및 크기를 변화시키는 것이다. 상기와 같은 화면 변화는 알려져 있지만 그렇게 큰 문제는 아니었다. 왜냐하면 화면의 위치 및 크기를 변화는 종래의 음극선관에서는 그렇게 눈에 뜨이는 것이 아니기 때문이다. 이것은 형광스크린에 대해 전자총의 축정렬 때문에 고전압출력에서 통상적인 변화에 대해 화면에서 큰 변이를 일으키지 않는다. 그렇지만, 현재 소형 텔레비젼 수상기에 사용되는 이른바 평면형 음극선관에서 화면의 위치 및 크기변화는 아주 분명하게 나타난다.

상기와 같은 평면형 음극선관에서 현저한 화면의 크기 및 위치변화는 종래의 음극선관에 비해 형광스크린과 전자총 및 음극선관의 전자총의 중심축 사이의 비교적 작은 각도 때문이다.

그래서 본 발명의 목적은 종래 기술에서 가지고 있는 상술된 결점을 없앨수 있는 평면형 음극선관을 가진 텔레비젼 수상기를 위한 플라이백 트랜스를 포함하는 고전압 발생기를 제공하는 것이다.

본 발명의 목적은 비데오 출력 회로를 통해 흐르는 전류를 음극선관의 캐소드 전류에 대해 역방향으로 제어하여 플라이백 트랜스에 대한 입력전력이 일정하게 유지되게 하고, 상기 트랜스의 고전압 출력이 캐소드 전류의 변화에도 불구하고 일정하게 유지되게 하는 것이다.

본 발명의 목적은 평면형 음극선관을 위한 개선된 고전압 발생 및 안정화 회로를 제공하여 션트조정회로의 임피던스 값이 플라이백 트랜스 회로의 전압 안정을 제공하도록 선택될 수 있게 된다.

본 발명의 특징에 따라서, 음극선관을 위한 고전압이 플라이백 트랜스의 2차측에 의해 발생이 되고, 음극선관의 비데오 회로에 공급된 저 전압이 역시 플라이백 트랜스의 2차측에서 발생될 때, 비데오 회로에서 흐르는 전류가 음극선관의 캐소드 전류의 변화에 대해 역방향으로 제어되게 하며, 고전압은 입력 비데오 신호레벨의 변화에 의해 발생된 음극선관의 캐소드 전류에서 변화와 관계없이 일정하게 유지되도록 회로부품 값이 선택되는 평면형 음극선관용 고전압 안정화 회로가 제공된다.

상기는 플라이백 트랜스에 대한 전체 입력 전력이 캐소드 전류에 관계없이 유지되는 것을 제공하여 이루어진다. 상술된 또다른 방법은, 비데오 출력 트랜지스터의 전력 소비가 비데오 영상관의 캐소드 전류를 기본으로 하여 역으로 제어되게 한다.

본 발명의 이외 여러 가지 장점 및 특징은 첨부된 도면을 참고로 설명되는 실시예의 상세한 다음 설명으로부터 명백히 알 수 있을 것이며, 여기서 유사한 참고번호는 유사한 소자를 지칭한다.

제1도는 고전압 변동이 평면형 음극선관에서 전자빔의 변화를 일으킬 때 발생된 역효과가 종래의 직선형 음극선관에서 증대되는 것을 도시한 도면이다. 특히, PH₁은 종래 음극선관의 형광스크린을 나타내며, PH₂는 평면형 음극선관의 형광스크린을 나타낸다. 만약 음극선관 전자총(도시하지 않음)으로부터 나온 전자빔 Bm이

θ의 각도로 변위되면, 상기 변위는 고전압 출력 트랜스회로에서 변화에 의해 발생된다. 종래의 음극선관 스크린 PH₁상의 상기 전자빔 변위에 의해 발생된 변위 또는 위치에러는

d₁으로 표시되며, 따라서 평면형 음극선관 스크린 상에서

θ에 의해 발생된 영상변위는

d₂로 표시된다. 제1도에서와 같이 평면형 음극선관 스크린 PH₂상에서 변위

d₂범위는 종래의 음극선관 스크린 PH₁상의 변위

d₁보다 크다. 상기 변위는 평면형 음극선관에서 현저하게 나타난다. 왜냐하면, 형광스크린 PH₂는 이온 스포트 형성을 방지하기 위해 음극선관의 전자총의 중심축 외부에 배치되기 때문이다.

통상적인 평면형 음극선관의 실제 구조가 제2도에 도시되어 있으며, 여기서 형광스크린(3)은 소위 옵셋위치에서 음극선관의 전자총(1)의 중심축 C으로부터 벗어난 위치에 있는 스크린 판상에 배치한다. 영상관은 평면 전면판(4)을 제공하며, 형광스크린(3)상에 형성된 영상은 평면 전면판(4)을 통해 시청자에게 보일 수 있다.

그래서, 비데오 신호의 레벨변화에 관계없이 고전압 출력을 일정하게 유지하도록 작동할 수 있는 고 전압 안정화 회로를 제공하는 본 발명의 용도는 제1도 및 제2도에서 알 수 있다.

제3도의 실시예에 도시된 바와같이 본 발명의 한 특징에 따라서 평면형 음극선관(5)에 공급된 고전압을 플라이백 트랜스(6)의 2차측에서 발생되며, 비데오 출력회로에 공급된 저 전압 플라이백 트랜스(6)의 또다른 2차측에서 발생이 되어 정류기(7)를 통해 비데오 출력회로(8)에 공급이 되며 비데오 출력회로(8)에서의 전류는 음극선관(5)의 캐소드 전류에 대해 역으로 제어된다. 그래서, 비데오 출력회로(8)을 위한 고전압 및 DC 저전압은 상호 출력 트랜스에 의해 공급이 되며, 본 발명은 트랜스(6)에 대한 입력전력을 일정하도록 유지하게 하는 것이다. 바꾸어 말하자면, 음극선관(5)의 캐소드 전류가 증가할 때, 고전압을 낮추려는 경향이 있으며 트랜지스터(8)을 통해 조정되며 비데오 회로를 통해 흐르는 전류는 작아지도록 조정이 되며 따라서 고전압 변동을 억제하며 음극선관(5)에 대한 고전압 출력이 감소하는 것을 방지한다. 한편으로 음극선관(5)의 캐소드 전류가 작아질 때, 고전압을 상승시키려하며, 본 발명은 따라서 비데오 출력회로(8)를 통해 흐르는 전류를 증가시켜서, 고전압 변화를 억제하도록 작동한다.

제3도에서, 플라이백 트랜스(6)는 통상적으로 상기 평면형 흑백 음극선관(5)을 위해 6킬로볼트 정도인 고 전압 HV를 2차측에서 발생할 것이다. 물론 고전압은 칼라 텔레비젼 관의 경우에는 훨씬 클 것이다. 또한 펄스형 전압은 또한 플라이백 트랜스(6)의 2차측에서 발생이 되며, 다이오드(7a)이 출력과 상대 접지 전위 사이에 접속된 다이오드(7a)와 커패시터(7b)로 구성된 정류기 회로(7)에 제공이 되어 정류가 된다.

다음 정류기(7)는 약 35V정도의 정류된 DC전압(B+)을 발생한다. 비데오 출력 증폭기는 종래의 형태로 베이스에 인가된 비데오 입력신호를 증폭하는 NPN형 트랜지스터(8)로 구성된다. 상기의 일반적인 도시에서, 트랜지스터(8)의 에미터는 상대 접지전위에 접속이 되고 콜렉터에서 얻어진 비데오 출력신호 SV는 음극선관(5)의 제1그리드 G₁에 인가된 정극성 비데오 신호이다. 따라서 음극선관(5)은 이른바 G₁구동모우드로 작동된다. 비데오 출력회로의 상업적인 실시예에서, 저항이 트랜지스터(8)의 에미터에서 사용될 수 있다. 비데오 출력 트랜지스터(8)는 저항(9)을 통해 플라이백 트랜스(6)에 의해 발생된 B+에 접속이 되고, 상기 저항의 값은 본 발명에서 알 수 있는 바와같이 전류조정지로 작동하도록 선택된다.

상기 작동을 보다 양호하게 이해하기 위해, 플라이백 트랜스회로(6)가 상세히 도시된 제4도를 참고로 하기로 한다. 상기 회로에서 음극선관(5)을 위한 고전압은 펄스 신호로서 종래 플라이백 트랜스(1)에 의해 발생이 되며, 11에서 일반적으로 도시된 정류회로에 의해 직류신호로를 정류된다. 상기 실시예에서, 정류기(11)는 병렬로 연결된 평활 또는 필터 커패시터와 직렬인 다이오드를 이용하여 형성된 간단한 반파정류기이다. 왜냐하면 상기 고전압에서 리플은 수평 발진기에서 15,750정도이기 때문에 큰값의 필터 커패시터가 필요하지 않다. 플라이백 트랜스(10)는 수평 편향 출력 트랜지스터회로(13)의 하단부 콜렉터에서 접속된 1차 권선의 중심 탭(12)에 있어 DC전력 공급부로 부터의 전압에 의해 활성화 된다. 상기 수평 출력 편향 트랜지스터회로(13)는 종래의 것이다.

제3도의 실시예의 작동에 있어서, 고전압 안정화 회로는 음극선관(5)의 제1그리드 G₁에 인가된 비데오 신호 Sv의 레벨이 비교적 높아서 캐소드 전류가 플라이백 트랜스(6)로부터 음극선관(5)에 공급된 고전압을 낮추려고 할 때, 정류기(7)로부터 저항(9)을 통해 트랜지스터(8)에 흐르는 전류가 작게 유지되도록 작용을한다. 그래서, 만약 비데오 증폭기의 전력에서 증가가 고전압 회로의 전력에서 감소와 같을때, 전체 입력 전력은 일정하게 유지되는 것을 알 수 있다. 만약, 상기 입력 전력이 일정하게 유지된다면, 수평 출력 트랜지스터의 펄스 높이는 변화하지 않을 것이며, 고전압 회로의 전압은 안정될 것이다. 이와 같이, 플라이백 트랜스(6)의 2차측에서 고전압을 발생하는 수평 출력의 펄스 높이가 유지되며, 따라서 고전압 Hv에서 어떤 감소도 억제시킬 수 있다. 역으로 음극선관(5)의 제1그리드 G₁에 제공된 비데오 신호가 비교적 낮은 레벨일 때, 음극선관(5)의 캐소드 전류는 대응하여 낮아지며, 플라이백 트랜스(6)로부터 음극선관(5)에 공급된 고전압은 정류기회로(7)로부터 저항(9)를 통해 트랜지스터(8)에 흐르는 전류가 증가되고, 트랜지스터(8)에서 소모된 전력이 증가하는 경우를 제외하고는 상승이 된다. 따라서, 플라이백 트랜스(6)의 2차측에서 펄스전압의 펄스 높이를 유지하고 상기의 경우 고전압 Hv에서 어떤 증가도 억제한다.

비데오 출력 증폭기의 최대 전력이 트랜지스터(8)가 포화된 상태에서 소모되며, 최소 전력 소모는 트랜지스터가 개방되었을 때 0이 된다는 것에 유의하여야 한다. 통상적으로 평면형 음극선관 장치에서 소모된 최대전력은 1.2와트이다.

상기와 같이 고전압 변환을 제어하기 위해서 저항(9)의 저항치는 비데오 출력 증폭기(8)의 콜렉터 바이어스 저항과 같은 것이 사용된 값보다 낮게 선택된다. 상기 콜렉터 바이어스 저항에 대한 통상적인 값은 15킬로오옴 정도이다. 왜냐하면 상기 저항(9)의 값은 제3도에 도시된 것과 같은 회로의 균형을 유지할 수 있도록 선택되기 때문에, 그 값은 회로에 있는 다른 소자의 임피던스를 기본으로 하여 실험적으로 얻어진다. 소니의 제품 모델인 워치맨 에프디-20에이에서 본 발명에 따른 저항(9)의 저항치는 1.2KΩ 내지 1.8KΩ범위내에서 선택이 될 수 있다.

그래서, 본 발명을 기본으로 그리고 상기에서 논의된 실시예의 예시와 같이, 음극선관(5)의 제1그리드 G₁에 공급되는 비데오 신호 Sv의 레벨에서의 변화와 관계없이 음극선관(5)에 공급된 고전압 Hv은 일정하게 유지될 수 있다. 상기와 같은 형태로, 본 발명은 플라이백 트랜스에 의해 발생된 고전압을 일정하게 유지하여 화면의 크기 및 위치가 변하는 것을 방지하는 것이 가능하다.

상술된 실시예의 평면형 음극선관(5)을 예를 들어 기술하였지만, 본 발명은 종래의 음극선관에서 적용할 수 있으며, 동일한 효과를 얻을 수 있다. 그러한 경우, 여러 가지 잇점에서 상기 제1도에 도시된 바와 같이 뛰어나지 못하다.

상기 설명에는 본 발명의 양호한 단일 실시예가 제공되었다. 그러나 본 기술에서 숙련된 사람은 첨부된 청구범위에 의해 결정되는 본 발명의 신규성 개념의 범위와 사상을 벗어나지 않고 여러 가지 변형 및 수정이 가능하다는 것을 명백히 알 수 있을 것이다.

Claims

음극선관에 공급되는 고전압과 음극선관의 캐소드를 구동시키기 위한 비데오 신호를 수신하는 비데오 출력회로에 공급된 저 전압 신호를 각각의 2차측에서 발생하는 플라이백 트랜스를 사용하는 고전압 안정화 회로에 있어서, 상기 플라이백 트랜스와 상기 비데오 출력회로 사이에 연결된 수단을 구비하여 비데오 출력회로에서 흐르는 전류의 범위를 비데오 신호에 의해 발생된 음극선관의 캐소드 전류에서 변화에 대해 역관계로 변환시키어, 고전압은 음극선관의 캐소드 전류에서의 변화에 비추어 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 고전압 안정화 회로.
제1항의 회로에 있어서, 비데오 출력에서 흐르는 전류의 범위를 변화시키는 상기 수단은 플라이백 트랜스와 비데오 출력회로를 형성하는 트랜지스터 사이에 직렬로 연결된 저항소자를 구비하며, 저항 값은 1.2 내지 1.8KΩ 정도의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 고전압 안정화 회로.
제2항의 회로에 있어서, 상기 저항소자의 저항값은 비데오 출력회로의 최대 및 최소 전력소모 사이에서 플라이백 트랜스에 대한 입력전력을 일정하게 유지하는데 충분한 상기 범위내의 값으로 결정되는 것을 특징으로 하는 고전압 안정화 회로.
한 2차측에서 음극선관에 공급된 공전압을 발생하며, 또 다른 2차측에서 음극선관의 캐소드를 구동하기 위한 비데오 신호를 수신하는 비데오 출력회로에 공급되는 저전압 신호를 발생하는 플라이백 트랜스를 사용한 전압 안정화 회로에 있어서, 플라이백 트랜스로부터의 저전압을 수신하기 위해 연결된 저항소자수단을 구비하며 비데오 신호로부터 나오는 음극선관의 캐소드 전류에서 변화와 역비례하여 비데오 출력 회로를 통해 흐르는 전류를 제어하기 위해 비데오 출력회로에 연결되고 따라서 플라이백 트랜스에 의해 발생된 고전압은 음극선관의 캐소드 전류가 변하는 동안 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 고전압 안정화 회로.
제4항의 회로에 있어서, 상기 저항소자는 1.2 내지 1.8KΩ 정도의 저항 값을 갖는 것을 특징으로 하는 고전압 안정화 회로.
제5항의 있어서, 상기 저항소자의 저항값은 비데오 출력회로의 최대 및 최소 전력 소모 사이에서 플라이백 트랜스에 대한 입력전압을 일정하게 유지하는데 충분한 상기 범위내에서 값이 선택되는 것을 특징으로 하는 고전압 안정화 회로.
제5항의 회로에 있어서, 비데오 출력회로는 트랜지스터로 상기 또다른 2차측에 연결된 정류기를 포함하며 여기서 상기 저항소자 수단은 상기 트랜지스터의 콜렉터와 상기 정류기의 출력 사이에서 직렬로 연결되며, 상기 트랜지스터의 에미터는 상대접지전위에 연결되는 것을 특징으로 하는 고전압 안정화 회로.