Claims (8)
레이저 다이오드에 있어서, 계단형상으로 된 제1 및 제2경사면과 그 사이에 중간층을 가지는 제1도전형의 반도체기판과, 상기 반도체 기관상의 제1경사면 및 중간층 이외의 부분에 형성된 제2도전형의 전류차단층과, 상기 반도체기판 및 전류차단층의 상부에 형성된 제1도전형의 제1클레드층과, 상기 제1클레드층상에 형성된 활성층과, 상기 활성층의 상부에 형성된 제2도전형의 제2클레드층과, 상기 제2클레드층의 상부에 형성된 제2도전형의 캡층과, 상기 캡층의 소정부위 및 제2클레드층과 소정깊이 겹치도록 형성된 제2도전형의 확산영역과, 상기 제2도전형의 확산영역을 제외한 상기 캡층의 상부에 형성된 절연층과, 상기 제2도전형의 확산영역 및 절연층의 상부에 형성된 제2도전형의 상부전극과, 상기 반도체기판의 하부에 형성된 제1도전형의 하부전극을 포함하여 이루어지는 레이저 다이오드.A laser diode comprising: a first conductive semiconductor substrate having a stepped first and second inclined surfaces and an intermediate layer therebetween, and a second conductive type formed in portions other than the first inclined surface and the intermediate layer on the semiconductor engine. A current blocking layer, a first cladding layer of a first conductive type formed on the semiconductor substrate and a current blocking layer, an active layer formed on the first cladding layer, and a second conductive type formed on the active layer A second clad layer, a cap layer of a second conductive type formed on the second clad layer, a diffusion region of the second conductive type formed to overlap a predetermined portion of the cap layer and a predetermined depth of the cap layer; An insulating layer formed on the cap layer except for the diffusion region of the second conductive type, an upper electrode of the second conductive type formed on the diffusion region and the insulating layer of the second conductive type, and a lower portion of the semiconductor substrate. Lower portion of the first conductive type formed in A laser diode which comprises a pole.
레이저 다이오드의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체기판을 제1 및 제2 경사면과 그 사이에 중간층을 갖도록 2차례 메사에칭하는 공정과, 상기 반도체기칸의 제1경사면 및 중간층상에 마스크를 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판상에 마스크를 제외한 부분에 제2도전형의 전류차단층을 형성한 후 상기 마스크를 제거하는 공정과, 상기 기판과 전류차단층의 상부에 제1도전형의 제1클레드층, 활성층, 제2도전형의 제2클레드층 및 제2도전형의 캡층을 순차척으로 형성하는 공정과; 상기 캡층 상부에 캡층의 일부를 노출시키는 접속창을 가지는 절연층을 형성하는 공정과, 상기 접속창에 의해 노출된 캡층 및 제2클레드층에 제2도전형의 확산영역을 형성하는 공정과, 상기 제2도전형의 확산영역 및 절연층의 상부에 제2도전형의 전극을 형성하는 공정과, 상기 기판하부에 전극을 형성하는 공정을 포함하는 레이저 다이오드 제조방법.A method of manufacturing a laser diode, the method comprising: mesa-etching a semiconductor substrate of a first conductivity type twice so as to have an intermediate layer between the first and second inclined surfaces; and applying a mask on the first slope and the intermediate layer of the semiconductor device. Forming a second conductive current blocking layer on a portion of the semiconductor substrate other than the mask, and then removing the mask; and forming a first conductive type upper portion on the substrate and the current blocking layer. Forming a first clad layer, an active layer, a second clad layer of a second conductive type, and a cap layer of a second conductive type sequentially; Forming an insulating layer having a connection window exposing a part of the cap layer on the cap layer, forming a diffusion region of a second conductivity type in the cap layer and the second clad layer exposed by the connection window; And forming a second conductive electrode above the diffusion region and the insulating layer of the second conductive type, and forming an electrode under the substrate.
제2항에 있어서, 상기 제1도전형을 n형으로 제2도전형을 P형으로 형성하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 2, wherein the first conductive type is n-type and the second conductive type is p-type.
제2항에 있어서, 상기 마스크를 질화규소 또는 산화규소로 형성하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 2, wherein the mask is formed of silicon nitride or silicon oxide.
제2항에 있어서, 상기 전류차단층을 선택적 에피텍시 방법으로 형성하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 2, wherein the current blocking layer is formed by a selective epitaxy method.
제2항에 있어서, 상기 전류차단층을 P형 GaAs로 형성하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 2, wherein the current blocking layer is formed of P-type GaAs.
제2항에 있어서, 상기 접속창을 상기 전류차단층이 형성되어 있지않은 반도체기판과 대향되는 캡층의 상부에 형성하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 2, wherein the connection window is formed on an upper portion of a cap layer facing the semiconductor substrate on which the current blocking layer is not formed.
제2항에 있어서, 상기 제2도전형의 확산영역을 이온주입으로 형성하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 2, wherein the second conductive diffusion region is formed by ion implantation.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.