Claims (10)
레이저다이오드에 있어서, 소정 결정면이며 제1도전형의 불순물이 고농도로 도피된 반도체기판과, 상기 반도체기판표면의 소정부분에 메이저프렛과 소정각을 이루며 소정거리 이격되어 줄무늬 형태로 형성된 절연막들과, 상기 절연막이 형성되어 있지 않은 반도체기판의 표면에 제1도전형의 불순물이 도핑된 역메사형태의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 표면에 형성된 활성층과, 상기 활성층의 표면에 형성되며 역경사면이 서로만나 표면이 평평한 제2도전형의 불순물이 도핑된 제2클래드층과, 상기 절연막의 상부에 상기 활성층의 역경사면에 의해 형성된 삼각형의 보이드들과, 상기 제2클래드층의 표면에 형성되며 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 캡층과, 상기 캡층 상부에 보이드 사이에 형성된 제2도전형전극과, 상기 반도체기판의 하부표면에 형성된 제1도전형전극을 구비한 레이저다이오드.A laser diode, comprising: a semiconductor substrate having a predetermined crystal plane and heavily doped with a first conductive type, insulating films formed in a stripe form at a predetermined angle from a predetermined portion of the surface of the semiconductor substrate at a predetermined angle, A first cladding layer having an inverted mesa type doped with an impurity of a first conductivity type on a surface of the semiconductor substrate on which the insulating film is not formed, an active layer formed on the surface of the first cladding layer, and a surface of the active layer A second clad layer doped with an impurity of a second conductivity type where the reverse slopes meet each other and the surface is flat, triangular voids formed by the reverse slope of the active layer on the insulating layer, and the surface of the second clad layer. A cap layer doped with a high concentration of impurities of a second conductivity type, a second conductive electrode formed between a void on the cap layer, and a lower portion of the semiconductor substrate. A laser diode having a first conductive electrode formed on the surface.
제1항에 있어서, 상기 반도체기판이 GaAS, InP, GaP들중 어느 하나인 레이저다이오드.The laser diode of claim 1, wherein the semiconductor substrate is any one of GaAS, InP, and GaP.
제1항에 있어서, 상기 반도체기판이 (001) 결정면인 레이저다이오드.The laser diode according to claim 1, wherein said semiconductor substrate is a (001) crystal plane.
제1항에 있어서, 상기 줄무늬가 (110)방향과 20∼30˚정도의 각도를 가지는 레이저다이오드.The laser diode of claim 1, wherein the stripe has an angle of about 20 to 30 degrees with a direction of (110).
제1항에 있어서, 상기 절연막들이 SiO2또는 Si3N4등의 유전체중 어느하나인 레이저다이오드.The laser diode of claim 1, wherein the insulating layers are any one of a dielectric such as SiO 2 or Si 3 N 4 .
제1항에 있어서, 상기 삼각형 보이드의 높이가 상기 절연막물의 폭에 의해 정해지는 레이저다이오드.The laser diode according to claim 1, wherein a height of said triangular void is determined by a width of said insulating film.
레이저다이오드의 제조방법에 있어서, 소정 결정면이며 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 반도체기판의 표면에 메이 메이저프렛과 소정각을 이루는 줄무늬 형태의 절연막들을 형성하는 제1공정과, 상기 노출된 반도체기판의 표면에 제1도전형의 불순물이 도핑된 제1클래드층을 역메사 형태로 형성하는 제2공정과. 상기 제1클래드층의 표면에 활성층을 형성하는 제3공정파, 상기 활성층의 표면에 역경사면들이 만나 평평한 표면을 가지는 제2도전형의 불순물에 도핑된 제2클래드층을 형성하는 제4공정과, 상기 제2클래드층의 표면에 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 캡층을 형성하는 제5공정과, 상기 캡층 상부의 보이드 사이에 제2도전형전극을 형성하는 제6공정과, 상기 반도체기판의 하부표면에 제1도전형전극을 형성하는 제7공정으로 이루어지는 레이저다이오드의 제조방법.A method of manufacturing a laser diode, the method comprising: forming a stripe-shaped insulating film having a predetermined angle with a major frit on a surface of a semiconductor substrate having a predetermined crystal plane and heavily doped with a first conductive type impurity; Forming a first cladding layer doped with an impurity of a first conductivity type on the surface of the semiconductor substrate in a reverse mesa shape; A third process wave for forming an active layer on the surface of the first cladding layer, and a fourth process for forming a second cladding layer doped with impurities of a second conductivity type having reverse flat surfaces meeting the surface of the active layer and having a flat surface; A fifth process of forming a cap layer doped with a high concentration of impurities of a second conductivity type on a surface of the second clad layer, and a sixth process of forming a second conductive electrode between the voids above the cap layer; A method of manufacturing a laser diode, comprising a seventh step of forming a first conductive electrode on a lower surface of a semiconductor substrate.
제7항에 있어서, 상기 제2공정에서 제5공정까지 MOCVD, MBE 또는 LPE 중 어느 하나로 형성하는 레이저 다이오드의 제조방법.The method of claim 7, wherein the second to fifth processes are made of any one of MOCVD, MBE, and LPE.
제7에 있어서, 상기 제2공정에서 제5공정까지 한번의 스텝으로 형성하는 레이저다이오드의 제조방법.The method of manufacturing a laser diode according to claim 7, wherein the laser diode is formed in one step from the second step to the fifth step.
제7항에 있어서, 제4공정에서 상기 역경사면들이 만날때 삼각형의 보이드가 동시에 형성되는 레이저다이오드의 제조방법.The method of manufacturing a laser diode according to claim 7, wherein a triangular void is simultaneously formed when the reverse slopes meet in a fourth step.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.