KR930011308A - 이미지 센서의 제조방법 - Google Patents

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KR930011308A
KR930011308A KR1019910020950A KR910020950A KR930011308A KR 930011308 A KR930011308 A KR 930011308A KR 1019910020950 A KR1019910020950 A KR 1019910020950A KR 910020950 A KR910020950 A KR 910020950A KR 930011308 A KR930011308 A KR 930011308A
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KR
South Korea
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oxide film
gate oxide
nitride film
light receiving
forming
Prior art date
Application number
KR1019910020950A
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English (en)
Inventor
이정형
오흥권
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

이 발명은 CCD형 이미지 센서의 제조방법에 관한 것으로, 수광부 상부의 계면 산화막을 표면손상없이(Damage free) 제조하여 무결점층으로 형성함으로써 수광부의 집광능력을 최대로 할 수 있으며 또한 화질을 저하시키는 결함을 효과적으로 억제할 수 있으며 공정의 단순화 및 수광부의 특성을 개선시켜 이미지 센서의 감도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

이미지 센서의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가)∼(아)는 이 발명에 따른 이미지 센서의 제조공정도이다.

Claims (12)

  1. CCD이미지 센서의 제조방법에 있어서, 블루밍(Blooming)과 스미어(Smear) 억제를 위한 P+형 웰과 포토다이오드로 이루어진 화소와 화소사이를 분리하기 위한 채널스톱부와 채널스톱영역으로 둘러싸인 포토다이오드와 포트다이오드의 신호전하를 수직형 CCD에 옮기는 전달게이트 및 수직형 CCD로 구성되어 있는 화소구조의 상부에 게이트 산화막, 질화막 및 다결정실리콘층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 다결정실리콘층의 소정영역을 제거하여 질화막을 노출시키는 공정과, 제1산화막을 형성하는 공정과, 습식에칭공정에 의해 수광부 상부에 노출된 질화막을 제거하는 공정과, 게이트 산화막의 소정부분을 남기고 나머지는 습식에칭공정에 의해 제거한후 자기정합법으로 이온주입하여 수광부를 형성하는 공정과, 제2산화막과 광차폐용 금속층을 형성한 후 수광부영역상부의 금속층을 제거하는 공정과, 보호용 제3산화막을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는이미지 센서의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 게이트 산화막과 질화막의 두께는 각각 600∼700Å 정도임을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 게이트 산화막과 질화막은 연속공정에 의해 형성시켜, 게이트 산화막을 보호시켜 줌을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 다결정실리콘층의 소정부분 에칭공정은 플라즈마의 발생기압을 저압으로 한 건식에칭공정을 실시함을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 질화막의 에칭공정은 선택비가 좋은 인산(H3PO4) 에칭액을 사용함을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 화상결함을 유발시키는 노크온(knock-on)현상을 방지하기 위해 게이트 산화막을 400Å이하로 남기고 나머지는 습식에칭공전에 의해 제거함을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 습식에칭공정은 이온주입 공정진에 행함을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 이온주입은 다결정실리콘층을 이온주입 마스크층으로 하고 자기정합법(self-Align)으로함을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 제2산화막은 고온산화 또는 열산화 공정에 의해 형성함을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 제2산화막의 두께는 900∼1000Å 정도임을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  11. 제1항에 있어서, 광차폐용 금속층은 텅스텐 실리사이드 또는 알루미늄으로 이루어짐을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  12. 제1항에 있어서, 수광부인 포토다이오드는 P+-N+-N- -P형의 구조임을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910020950A 1991-11-22 1991-11-22 이미지 센서의 제조방법 KR930011308A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100650459B1 (ko) * 2003-09-29 2006-11-29 산요덴키가부시키가이샤 광 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법

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