KR930010600B1 - 음극선관의 고전압 처리방법및 그 장치 - Google Patents

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내용 없음.

Description

음극선관의 고전압 처리방법및 그 장치

제1도는 본 발명의 제1의 실시예에 의한 음극선관의 고전압처리 방법을 설명하기 위한 개념도.

제2도는 물의 포화증기압 특성도.

제3도는 본 발명의 제1의 실시예에 의한 음극선관의 고전압처리 장치의 구체적인 구성예를 도시한 일부확대단면도.

제4도 및 제5도는 각각 본 발명의 제1실시예의 다른예에 의한 음극선관의 고전압 처리방법을 설명하기 위한 개념도.

제6도는 본 발명의 제1의 실시예에 의한 음극선관의 고전압처리 장치의 다른 구성예를 도시한 설명도.

제7도는 본 발명의 제2의 실시예에 의한 음극선관의 고전압처리 방법을 설명하기 위한 개념도.

제8도는 이슬점과 연면방전 개시전압의 관계를 구하기 위한 실험 장치의 개념도.

제9도는 이슬점과 연면방전 개시전압의 관계를 나타낸 그래프.

제10도는 본 발명의 제3의 실시예에 의한 음극선관의 고압처리 장치의 음극선관으로서의 기밀용기의 착탈기구를 도시한 단면도.

제11도는 본 발명의 제4의 실시예에 관한 착탈기구를 도시한 단면도.

제12도는 본 발며의 제4의 실시예의 소켓의 구성을 도시한 사시도.

제13도는 컬러 음극선관의 sp크부의 단면도.

제14도는 고전압처리방법의 설명도.

제15도는 컬러음극선관의 스템핀의 배치를 도시한 도면.

제16도는 시일로식 베이스의 구성을 도시한 확대사시도.

제17도는 그 소켓의 확대사시도.

제18도는 종래의 고전압 처리방법의 설명도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 네크부 4a : 제3그리드dml 스템핀

4b : 그 이외의 스템핀 20 : 음극선관

21 : 밀페용기 23 : 가열로

24, 35 : 발열체 25 : 건조기

33c : 누름접합단자 34 : 가열부

40 : 가열전원 52 : 봉지장치

55 : 송기관

본 발명은 스템핀(stem pin)으로 부터 고전압을 인가해서 음극선관의 내전압특성을 양호하게 하기 위해 실행되는 음극선관의 고전압 처리방법및 그 장치에 관한 것이다.

제13도는 음극선관의 네크부의 단면도이다.

도면에 있어서, (1)은 음극선관(20)의 네크부로서, 그 자유단은 스템부(2)로 폐쇄되고, 이 네크부(1)의 내부에는 전자총(10)이 수납되어 있다. 이 전자총(10)은 스텝(2)측으로 부터 히터(11), 캐소드(12), 제1그리드(13), 제2그리드(14), 제3그리드(15), 제4그리드(16)의 순서로 배열되고, 이들은 절연성을 갖는 비이드 글라스(17)에 의해서 소정 간격으로 되도록 유지되어 있다.

음극선관이, 예를 들면 29인치의 컬러 음극선관인 경우에는 동작시에 도시하고 있지 않은 외부 애노드 버튼에서 음극선관의 내부도전막(3) 및 스페이서(18)을 거쳐서 전자총(10)의 제4그리드(16)에 28KV의 고전압이 인가된다.

한편, 제3그리드(15)에는 도시하고 있지 않은 소켓, 제3그리드(15)의 스템핀(4a) 및 내부 리이드(19)를 통해서 6.7KV의 고전압이 인가되고, 마찬가지로 제2그리드(14)에는 약700V, 캐소드(12)에는 약 150V, 제1그리드(13)에는 통상 OV의 전압이 각각 인가된다.

이와 같은 음극선관의 동작조건하에 있어서는 제3그리드(15)와 제2그리드(14)의 양 전극사이에 약6KV의 전위차가 생기고, 제2그리드(14)와 제3그리드(15)의 대향부의 표면에 전극의 성형시 또는 전자총(10)의 제조공정중에 생긴 전극의 버어(burr : 금속을 절단하거나 펀칭가공한 경우, 금속조각의 끝에 남는 얇은 깔쭉깔쭉한 미소한 금속조각)이 존재하고 있는 경우나, 음극선관의 관내에 먼지등이 부착하고 있는 경우에는 스트레이 이미션(stray-emission)이라 불리어지는 불필요한 전자방사가 일어나게 된다.

이 불필요한 전자는 제4그리드(16)을 거쳐서 음극선관의 형광면에 조사되어 형광면을 불필요하게 발광시키지만, 이 불필요한 발광은 어두운 화면인 경우에도 형광면을 발광시키므로, 영상의 품위를 저하시키는 하나의 원인으로 되고 있다.

이와 같은 제2그리드(14)에서의 불필요한 전자의 방사를 없애기 위해서, 제14도에 도시한 바와 같이, 음극선관(20)의 제조 공정중에 제3그리드(15)의 스템핀(4a)와 그 이외의 스템핀(4b)와의 사이에 외부로 부터 동작전압의 4-5배의 전압, 즉 30kv정도의 고전압을 인가하는 고전압 처리가 실시된다. 이 고전압처리를 실시하면, 제2그리드(14)와 제3그리드(15)와의 사이에서 방전이 일어나서 제2그리드(14)의 비어, 먼지등이 제거되므로, 불필요한 전자방사가 억제되어 양호한 내전압 특성을 얻을 수 있게 된다.

그러나, 제15도에 도시한 바와 같이, 제3그리드(15)의 스템핀(4a)의 주위에는 근소한 간격을 두고 제2그리드(14)나 캐소드(12)등의 스템핀(4b)가 배치되어 있으므로, 동작전압의 4~5배의 고전압을 제3그리드(15)에 인가하면, 연면방전에 의해서 스템핀(4a)와 (4b)와의 사이에서 방전이 일어나므로, 만족한 고전압처리를 실행할 수 없었다.

제16도는 이와 같은 연면방전을 방지하기 위하여 종래 사용되고 있던 사일로식(silo type)베이스의 구성을 나타낸 확대사시도로서, 스템부(2)에 제3그리드의 스템핀(4a)의 주위를 사일로(30a)로 둘러싼 사일로식 베이스(30)을 실리콘고무(31)로 접착한 것이다. 제17도는 제16도의 사일로식 베이스(30)에 끼워맞춰서 외부전원에서 전압을 음극선관에 인가하는 소켓(32)의 사시도이다. 이와 같은 사일로식 베이스(30)과 소켓(32)를 사용하면, 제3그리드(15)의 스템핀(4a), 그 이외의 스템핀(4b)사이의 내전압 향상이 도모되지만, 이것에서도 역시 동작전압의 4~5배의 고전압처리를 충분히 실행할 수가 없었다.

또, 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 고전압 처리방법으로서, 예를 들면 일본국 특허공개공보 소화 54-101255호에 개시되어 있는 바와같이, 음극선관 (20)의 적어도 스텝부(2)를 고기압 가스 분위기로 한 상태하에서 고전압을 인가하는 방법이 제안되어 있다.

이 고전압 처리방법은 제18도에 도시한 바와 같이, 음극선관(20)의 스템부(2)를 밀폐용기(21)내에 수용하고, 외부로 부터 이 밀페용기(21)내에 고압의 가스(G)를 공급해서 스템핀(4a),(4b)측의 면을 따라서 발생하는 반전전압의 초기값(연면방전의 개시전압)을 상승시키도록 한 것으로서, 이 방법에 의하면 종래 약 23KV정도로 발생하고 있던 연면방전 개시전압을 약 450KV정도로 향상시킬 수가 있다.

상기와 같은 종래의 고압가스 분위기에 있어서의 음극선관의 고전압 처리방법에 있어서도 대량의 음극선관을 연일 생산하는 생산라인에 있어서는 반드시 연면방전 개시전압이 안정되지 않아 때때로 스템핀측에서 연면방전을 일으키는 경우가 있고, 이 경우에는 제2그리드와 제3그리드와의 전극사이에서 만족한 방전이 일어나지 않으므로, 내전압 특성이 품질이 안정하지 않고, 또 소켓이 반전의 에너지에 의해서 손상을 받는 다른 문제점이 있었다.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 이루어진 것으로, 안정한 연면방전 개시전압을 유지할 수 있는 음극선관의 고전압 처리방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 고압가스 분위기에 있어서 고전압처리를 안전하게 또한 능률좋게 실시할수 있는 장치를 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 음극선관의 고전압 처리방법은 음극선관의 베이스부 및 그 스템핀에 접속되는 소켓을 고압가스 분위기로 유지함과 동시에 적어도 제3그리드의 스템핀부의 온도가 주위의 고압가스 분위기의 온도보다 고온도로 되도록 한 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 발명의 음극선관의 고전압 처리방법은 음극선관의 베이스부 및 그 스템핀에 접속되는 소켓을 이슬점이 25℃이하인 고압가스 분위기로 유지하도록 한 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 본 발명의 고전압 처리장치는 내부에 고압가스가 공급되도록 구성되며 또한 바닥면에 소켓이 장착되어 있는 용기, 이 용기를 유지해서 음극선관이 관축방향으로 전후진시키는 전후진장치, 상기 용기이 열림구멍 끝부에 안쪽둘레면에 배치된 탄성재로 이루어지는 중공환형상의 봉하여 막는 부재를 갖고, 이 봉하여 막는 부재의 내부에 압축공기가 공급되었을때 팽창해서 해당 음극선관의 네크부의 바깥둘레면과 해당 용기의 열림구멍 끝과의 사이를 기밀하게 봉하는 봉지장치를 구비한 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 고전압 처리장치는 내부에 고압가스가 공급되도록 구성되며 또한 바닥면에 누름 접합단자를 구비한 소켓이 배치되어 있는 용기, 이 용기를 유지해서 관축방향으로 전후진시키는 전후진장치, 상기 용기의 열림구멍 끝면에 배치된 탄성재로 이루어지는 봉하여 막는 부재를 구비한 것을 특징으로 한다.

본 발명은 상기 구성에 의해, 고전압처리를 실행하기 전에 제3그리드의 음극선관의 스템부를 가열하여 주위의 고압가시 분위기의 온도보다 높게 하도록 하였으므로, 스템부의 주변 표면부의 포화 증기압력이 상승하고, 그 결과 이슬맺힘이 생기기 어렵게 되므로, 안정한 연면방전 개시전압을 유지할수가 있다.

또한, 본 발명은 용기내로 공급하는 고압가스의 이슬점을 25℃이하로 되도록 하였으므로, 분위기가스중에 존재하는 수증기의 양을 일정량이하로 제어할 수 있기 때문에 이슬맺힘을 방지할 수 있어 안정한 연면방전 개시전압을 유지할수가 있다.

또한, 본 발명은 바닥면에 소켓이 배치되어 있는 용기를 전후진장치로 음극선관의 관측방향으로 진출시켜서 네크부를 덮음과 동시에 각 스템핀에 소켓을 접속하고, 상기 용기의 열림구멍끝 안둘레면에 배치된 중공환형상의 봉하여 막는 부재중에 압축공기를 공급해서 팽창시켜서 네크부와의 사이를 기밀하게 봉한후, 해당용기내에 고압가스를 공급하고, 이어서 소켓을 거쳐서 고전압을 인가해서 고전압처리를 실시하고, 계속해서 봉하면 막는 부재내의 압축공기를 배출한 후 전후진장치에 의해서 용기를 후퇴시켜서 떼고 붙이는 것에 의해 고전압 처리동작이 종료한다.

또한, 본 발명은 전후진장치로 용기를 진출시켜서 네크부를 덮음과 동시에 이 용기의 열림구멍 끝면에 배치된 봉하여 막는 부재를 퍼늘부에 압착해서 기밀하게 봉한 후, 상기 용기내로 고압가스를 공급하고, 이어서 소켓에서 누름 접합단자를 거쳐서 고전압을 인가해서 고전압처리를 실시하고, 계속해서 용기내의 고압가스를 배출한 후 상기 용기를 전후진장치에 의해서 후퇴시켜서 떼고 붙이는 것에 의해서 고전압 처리동작이 종료한다.

이하, 본 발명의 1실시예를 도면에 따라서 설명한다.

제1도(a),(b)는 본 발명의 제1의 실시예에 의한 음극선관의 고전압 처리방법이 설명도이다. 동일도면에 있어서, (20)은 음극선과, (33)은 외부로 부터 음극선관(20)내의 전자총(10)에 전압을 공급하기 위한 소켓, (21)은 음극선관(20)의 네크부(1)을 고기압 가스분위기로 밀폐하는 밀폐용기, (22)는 압축공기를 제조하는 압축기, (23)은 가열로, (24)는 이 가열로 (23)내에 배치된 발열체이다.

다음에, 이 실시예의 고전압 처리순서를 설명한다.

음극선관(20)의 배기공정이 종료한 음극선관(20)의 네크부(1)을 제1도(a)에 도시한 바와 같이 가열로 (23)내에 넣고 발열체(24)에 통전해서 가열한다. 여기서, 가열로(23)내의 분위기 온도를 160℃로 설정하고, 이 고온 분위기내에 5분간, 음극선관(20)의 네크부(1)을 노출시키는 것에 의해 29mm의 직경을 갖는 네크부(1)의 표면온도를 약 90℃로 승온시킨다.

계속해서, 제1도(b)에 도시한 바와 같이, 네크부(1)을 밀폐용기(21)에 넣고, 고압가스 분위기에 있어서 고전압 처리를 실행한다. 즉, 압축기(22)에 의해 제조된 약2기압의 압축공기를 밀폐용기(21)내로 공급해서 약 2기압의 고압가스 분위기로 한다. 다음에, 종래와 같은 방법에 의해서 제3그리드의 스템핀(4a)와 제3그리드를 제외한 다른 전극의 스템핀(4b)와의 사이에 약30KV의 고압 직류전압을 약5분간 인가한다.

이상과 같은 고전압처리를 실시하면, 예를 들면 외기의 온도가 40℃, 상대습도가 95%의 고온 다습시에는 압축기(22)에 있어서 밀폐용기(21)내의 압력을 2기압으로 했을때, 밀폐용기(21)내의 습도가100%를 초과하에 밀폐용기(21)내 및 음극선관(20)의 표면에 이슬맺힘 현상을 일으키게 되지만, 네크부(1)의 온도는 밀폐용기(21)내의 분위기의 온도보다도 휠씬 높은 90℃의 고온으로 가열하고 있으므로, 이 네크부(1)의 근방의 포화 증기압은 제2도의 포화 증기압 곡선으로도 나타낸 바와 같이, 그 상대습도는 약9%로 되고, 또 밀폐용기(21)내의 기압이 2기압 이더라도 상대습도는 100%이하로 되기 때문에 이슬맺힘 현상을 나타내지 않는다.

제3도는 본 발명의 제1의 실시예에 의한 음극선관의 고전압 처리방법을 실시하기 위해 사용되는 고전압처리장치의 구체적인 실시예를 도시한 설명도이다. 동일도면에 있어서, (33)은 소켓, (34)는 이 소켓(33)에 장착된 가열부, (35)는 이 가열부(34)의 내부에 배치된 발열체, (HV)는 소켓(33)을 거쳐서 전자총의 전극에 고전압을 보내기 위한 고압전원, (40)은 발열체(35)를 가열하기 위한 가열전원이다.

다음에, 이 실시예의 동작에 대해서 설명한다.

소켓(33)에 장착된 가열부(34)의 발열체(35)에는 항상 전류를 흐르게 해서 가열부(34)내의 온도를 약160℃로 유지해 둔다. 계속해서, 밀폐용기(21)내에 음극선관(20)의 네크부(1)을 넣고, 소켓(33)을 음극선관(20)의 스템핀(4a), (4b)에 삽입한다. 이 상태에 있어서 5분간 방치하면, 네크부(1)의 온도는 약 90℃로 승온한다. 이어서, 음극선관(20)의 네크부(1)을 포함하는 밀폐용기(21)내를 약2기압의 고압가스 분위기로 한다. 상술한 바와 같이, 밀폐용기(21)내를 고기압으로 하면, 네크부(1)을 가열하는 수단을 구비하고 있으므로, 네크부(1)근방의 포화 수증기압의 높게 되어 고전압이 인가되는 소켓(33)에 이슬맺힘이 생기지 않으므로, 안정한 연면방전 개시전압을 유지하는 것이 가능하게 된다.

또한, 상기 실시예에서는 밀폐용기(21)내를 고압가스 분위기중으로 하는 가열부(34)에 의해서 네크부(1)을 가열하는 구성을 나타냈지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.

제4도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 도면으로서, 제4도(a)에 있어서, (41)은 전자총의 히터 가열전원으로서, 네크부(1)을 고압가스 분위기중에서 유지하기 전에 전자총의 히터에 전압을 인가한다. 예를 들면, 네크부(1)의 직경이 29mm, 히터규격이 6.3V-680mA의 음극선관인 겨우, 전자총의 히터에 8V의 전압을 약 5분간 인가하면, 그 네크부(1)의 표면은 약90℃로 승온한다. 따라서, 포화 수증기압이 상승하여 제4도(b)에 도시한 고압가스 분위기중에서의 고전압 처리중에 이슬맺힘을 나타내지 않게 된다.

또, 이상의 실시예에서는 네크부(1)을 고압가스 분위기중으로 유지하기 직전까지 사전에 가열해 두는 방법을 나타냈지만, 고전압 처리중에 서서히 네크부(1)의 온도가 하강하고, 장시간의 고전압 처리를 실행한 경우, 서서히 이슬맺힘을 나타내는 경우가 발생한다. 예를 들면, 90℃로 사전에 가열한 것을 25℃의 2기압의 분위기중에 방치하면, 네크부(1)의 표면온도는 35℃까지 하강해 버린다.

제5도는 이와 같은 불합리한 점을 해결하기 위해 이루어진 다른 실시예를 도시한 도면으로서, 고전압 처리중에 있어서도 전자총의 히터에 가열 전원(41)로 부터 통전을 실행해서 음극선관(20)의 네크부(1)을 가열하여 연면방전 개시전압을 유지하도록 한것이다.

또, 제6도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 도면으로서, 밀폐용기(21)내에 가열부(34)를 배치한 것이다.

또한, 니크롬션등의 발열체(35)대신에 적외선 램프등에 의한 복사 가열방식등을 사용하여도 좋다.

또, 상기 실시예에서는 고압가스로서 압축공기를 사용하였지만, 공기에 한정되는 것은 아니고 다른 기체, 예를 들면 질소등의 불연성가스를 사용하여도 좋다.

또, 고압가스를 용기에 도입하기 전에 사전에 제습을 실행해 두면 이슬점도 내려가므로, 네크부의 승온온도도 내리는 것이 가능하게 된다.

제7도는 이 방법에 의한 본 발명의 제2의 실시예의 음극선관의 고전압 처리방법을 설명하기 위한 도면이다. 도면에 있어서, (25)는 압축공기를 건조하는 건조기, (26)은 건조기(25)를 통과한 압축공기의 이슬점을 측정하기 위한 이슬점계, (27a), (27b)는 밸브이다.

다음에, 동작에 대해서 설명한다. 압축기(22)에 의해 대기를 약2기압의 고압공기로 하고, 분자체등의 충전되어 있는 건조기(25)를 통해서 수증기를 제거한다. 건조기(25)에서 제습된 압축공기는 밸브(27b)를 통해서 이슬점계(26)으로 유도되어 그 이슬점이 측정된다. 이슬점은 대기압으로 측정한다. 이슬점계(26)에 의해서 이슬점이 25℃이하인 것이 확인된 압축공기는 밸브(27a)를 거쳐서 밀폐용기(21)내로 도입되어 밀폐용기(21)내가 고기압으로 되고 나서 종래와 같은 방법에 의해서 제3그리드와 제3그리드를 제외한 다른 전극사이에 약 30KV의 고압 직류전압을 약5분간 인가한다. 이때, 소켓부는 이슬맺힘이 없는 고압가스 분위기로 되어 있으므로, 연면방전 개시전압이 35KV이상으로 된다. 그 결과, 전자총의 제3그리드와 제2그리드 사이에서 방전이 일어나 제2그리드의 비어, 부착 먼지등이 제거되고, 그결과 제2그리드에서의 불필요한 전자 방사가 억제된 내전압 특성이 양호한 음극선관이 얻어진다.

다음에, 고압가스 분위기의 이슬점을 25℃이하로 설정한 이유에 대해서 설명한다.

발명자등은 대량 생산라인에서 스템핀부에서의 연면방전 개시전압이 낮게 되는 경향을 나타내는 것이 특히 고온다습시의 장마시에 집중하는 것을 확인하고, 고압가스 분위기중의 수분의 양을 적게하는 것이 극히 유효하다는 것을 발견하였다.

제8도는 이슬점과 연면방전 개시전압과의 관계를 실험적으로 확인하기 위한 실험장치를 도시한 도면이다. 도면에 있어서, (28)은 가습기, (29)는 가습기(28)내에 있어서 가습의 온돌르 제어하는 히터로서, 히터(29)에 의해서 고압가스의 온도를 변경하는 것에 의해서 이슬점을 자유롭게 설정할수가 있다.

이와 같은 실험장치를 사용해서 이슬점과 스템핀부에서의 연면방전 개시전압과의 관계를 조사한 결과를 제9도에 도시한다. 이 도면에서 명확한 바와 같이, 실온이 40℃, 밀폐용기(21)내의 기압이 2기압인 경우에는 이슬점이 30℃로 되면 연면방전 개시전압이 18KV정도로 나쁘게 되지만, 이슬점이 25℃이하로 되면 연면방전 개시전압은 높게 되고, 이슬점이 20℃이하로 되면 연면방전 개시전압은 약40KV정도로 안정된다.

또, 밀폐용기(21)내의 기압을 4기압으로 설정한 경우에는 이슬점이 15℃이하로 된다는 효과가 있었다.

또, 겨울철과 같이 실온이 20℃정도인 경우에는 이슬점을 10℃이하로 할 필요가 있었다. 또, 밀페용기가 (21)내의 기압을 1.3기압으로 한 경우에는 이슬점을 내리더라도 연면방전 개시전압의 향상은 보여지지 않았다.

제10도는 본 발명의 제3의 실시예를 도시한 도면으로서, 음극선관의 네크부를 수용하는 기밀용기의 붙이고 떼는 기구(이하, 착탈기구라 한다)에 관한 것이다.

도면에 있어서, (50)은 용기의 착탈장치로서, 도시하지 않은 구동장치에 의해서 화살표A방향으로 전후진하도록 구동되는 전후진장치(51), 이 전후진장치(51)의 암(51a)에 부착된 한쪽의 개방되어 있는 용기(21a), 이 용기(21a)의 바닥면에 부착된 소켓(33), 용기(21a)의 열림구멍 끝부의 안둘레면에 배치된 봉지장치(52)를 구비하고 있으며, 봉지장치(52)는 안둘레면이 개방하고 있는 유지부재(53), 이 유지부재(53)내에 수용되어 있는 고무등의 탄성재로 형성된 중공환형상의 봉하여 막는 부재(54), 이 봉하여 막는 부재(54)내에 연통해서 압축공기를 공급하는 송기관(55)로 구성되어 있다.

다음에, 동작에 대해서 설명한다. 고전압 처리를 실행할때, 봉하여 막는 부재(54)내에 압축공기를 공급하지 않은 상태에서 음극선관의 네크부(1)에 용기(21a)를 삽입하고, 스템핀에 소켓(33)를 접속한다. 이때, 봉하여 막는 부재(54)는 수축한 상태로 되어 있으므로, 용이하게 삽입할 수 있다. 그후, 송기관(55)를 통해서 봉하여 막는 부재(54)내에 압축공기를 보내서 팽창시키고 네크부(1)과 봉하여 막는 부재(54)를 밀착시켜서 기밀하게 봉한 후, 용기(21a)내에 고압가스를 도입한다. 이때, 봉하여 막는 부재(54)내의 공기압은 용기(21a)내의 고압 가스압보다 크게 하는 것이 바람직하다.

또, 이때 용기(21a)는 네크부(1)에서 빠져나오지 않도록 하기 위해, 전후전장치(51)에 의해 음극선관측으로 밀어붙여 둔다.

이와 같은 상태하에서 , 소켓(33)을 통해서 외부로부터 제3그리드(15)와 제2그리드(14)사이에 음극선관의 동작전압의 4~5배의 전압을 인가해서 제2그리드(14)에 부착한 비어를 제거하는 고압처리를 실시한다. 그후, 봉하여 막는 부재(54)내의 압축공기를 배출해서 축소시키고, 잔후진장치(51)를 후퇴시켜서 음극선관(20)에서 용기(21a)를 때에낸다.

이 실시예에 의하면, 용기(21a)는 소켓(33), 스템부(2), 네크부(1)의 일부를 둘러싸는 것만으로 좋으므로, 수형화가 가능하며 따라서 용기(21a)전체에 걸리는 압력도 작게 되므로, 폭발등의 위험도 작게 된다.

또, 봉하여 막는 부재(54)내로의 압축공기의 공급, 배출에 의해서 봉하여 막음 및 해제를 할수 있으므로, 용기(21a)의 착탈이 용이하게 되어 작업성도 좋게 된다.

또한, 봉지장치(52)로서, 예를들면, 마그네트를 사용해서 밀폐하는 구성으로 할수도 있지만, 이 경우는 네크부(1)의 접지전위에 가깝게 되므로, 고전압 처리중에 네크 글라스의 절연파괴가 일어날 위험이 크다. 그러나, 이 실시예와 같이 압축공기를 사용하면 그와 같은 일이 없이 안전성이 높은 장치가 얻어진다.

제11도는 본 발명의 제4의 실시예에 관한 고압처리장치의 용기 착탈기구의 1실시예를 도시한 도면, 제12도는 이 실시예의 소켓의 구성을 도시한 도면이다.

도면에 있어서, (56)은 고무등의 탄성재로 형성된 봉하여 막는 부재로서, 용기(21a)의 열림구멍 끝면에 장착되어 전후진장치(51)에 의해서 음극선관(20)의 퍼늘부(5)에 눌려져서 용기(21a)내를 기밀하게 봉한다. (33a)는 음극선관(20)의 스템부(2)에 장착되는제1의 소켓, (33b)는 용기 (21a)으 바닥면에 장착되어 있는 제2의 소켓으로서, 각각 누름접합단자(33c)를 구비하고 있고, 용기(21a)가 전후진장치(50)에 의해서 눌려져서 퍼늘부(5)와의 사이가 봉하여 졌을때, 서로 대향하는 누름접합단지(33c)가 각각 전기적으로 접속되어 외부전원에서 급전되도록 구성되어 있다.

다음에, 동작에 대해서 설명한다. 사전에 제 2 의 소켓(33b)가 장착된 음극선돤(20)의 네크부(1)에 용기(21a)를 전후진장치(51)에 의해 전진시켜서 네크부(1)를 수용함과 동시에 그 봉하여 막는 부재(56)을 퍼늘부(5)에 눌러서 기밀하게 봉하여 막음과 동시에 제1의 소켓(33a)와 제2의 소켓(33b)의 누름 접합단자(33c)가 접속된다.

다음에, 용기(21a)내에 고압가스를 공급해서 소정의 압력에 도달하게 한 후, 제1의 소켓(33a)를 거쳐서 제3그리드(15)와 제2그리드(14)사이에 음극선관의 동작전압의 4~5배의 전압을 인가해서 제2그리드(14)에 부착한 버어를 제거하는 고전압처리를 실시하고, 계속해서 용기(21a)내의 고압가스를 배출한 후, 전후진장치(50)을 후퇴시켜서 음극선관(20)으로 부터 용기(21a)를 떼어낸다.

이 실시예에 의하면, 음극선관(20)에 제1의 소켓(33a)를 사전에 장착할 필요는 있지만, 네크부(1)로의 용기(21a)의 착탈을 하나의 동작으로 실행할 수 있으므로, 작업성이 양호한 고압 처리장치가 얻어진다.

본 발명에 의하면, (1) 고압가스 분위기중에서 고전압처리를 실행할때, 음극선관의 베이스 및 그 스템핀이 접속되는 소켓의 온도를 고압가스 분위기의 온도보다 높게 하도록 하였으므로, 연면방전 되고, 개시전압의 저하를 간단하게 억제하는 것이 가능하게 그 결과 극히 품질이 안정된 음극선관을 얻을수가 있고, 또 소켓의 손상을 방지할 수 있어 생산성의 향상을 도모할 수 있다는 효과를 얻는다.

(2) 본 발명에서는 고압가스 분위기의 이슬점이 25℃이하로 되도록 하였으므로, 상기(1)과 마찬가지의 효과가 얻어진다.

(3) 본 발명에서는 한쪽이 개방되어 있는 용기의 바닥면에 소켓을 부착하고, 이 용기를 전후진장치에 유지시키고, 음극선관의 네크부를 덮도록 진출시켜서 해당 각 스템핀과 상기 소켓을 접속함과 동시에 상기 용기의 열림구멍 끝부의 안둘레면에 유지되어 있는 중공 환형상의 봉하여 막는 부재의 압축공기를 공급해서 팽창시켜서 네크부의 바깥둘레면과의 사이를 기밀하게 봉하고, 계속해서 용기내에 고압가스를 공급한 후, 외부로 부터 고전압을 인가해서 고전압처리를 실시하고 그후 봉하여 막는 부재내의 압축공기를 배출해서 봉하여 막음을 해제한 후, 전후진장치를 후퇴시켜서 용기를 떼어내도록 한 것이므로, 음극선관의 네크부로의 고전압 처리장치의 착탈을 능률좋게 실행할수가 있다.

(4) 본 발명에서는 용기의 열림구멍 끝부에 봉하여 막는 부재를 구비하고, 전후진장치에 의해서 용기내에 네크부를 수용함과 동시에 퍼늘부에 봉하여 막는 부재를 눌러서 기밀하게 봉하고, 그와 동시에 누름접합 단자를 구비한 소켓에 의해서 각 스템핀과 외부전원을 접속하도록 한 것이므로, 상기 (3)과 마찬가지로 작업성이 양호한 고전압 처리장치가 얻어지는 효과가 있다.

Claims (5)

1. 전자총(10)의 스템부(2)를 포함하는 네크부(1)을 고압가스 분위기중에 유지한 상태하에서 상기 전자총의 제3그리드(15)의 스템핀(4a)와 그 이외의 스템핀(4b)와의 사이에 동작전압보다 충분히 높은 고전압을 인가하는 음극선관의 고전압처리장치에 있어서, 적어도 상기 제3그리드(15)의 스템핀부(4a)의 온도를 상기 고압가스 분위기의 온도보다 높게 한 것을 특징으로 하는 음극선관의 고전압처리방법.
2. 전자총(10)의 스템부(2)를 포함하는 네크부(1)을 고압가스 분위기중에 유지한 상태하에서 상기 전자총의 제3그리드(15)의 스템핀(4a)와 그 이외의 스템핀(4b)와의 사이에 동작전압보다 충분히 높은 고전압을 인가하는 음극선관의 고전압 처리방법에 있어서, 상기 고압가스 분위기의 이슬점을 25℃이하로 한 것을 특징으로 하는 음극선관의 고전압 처리방법.
3. 전자총(10)의 스템핀부의 온도를 고압가스 분위기의 온도보다 높게 하던가 또는 고압가스 분위기의 이슬점을 25℃이하로 해서 고전압을 인가하는 음극선관의 고전압 처리장치에 있어서, 한쪽이 개방되어 있어 내부에 고압가스가 공급되도록 구성되며 또한 바닥면에 소켓(33)이 장착되어 있는 용기(21a),상기 용기(21a)를 유지해서 음극선관의 관측방향으로 전후진시키는 전후진장치(51), 상기 용기의 열림구멍 끝부의 안둘레면에 배치된 탄성재로 이루어지는 중공환형상의 봉하여 막는 부재(54)를 가지며, 또한 상기 봉하여 막는 부재(54)의 내부에 압축공기가 공급되었을 때 팽창해서 상기 음극선관의 네크부(1)의 바깥둘레면과 상기 용기의 열림구멍 끝과의 사이를 기밀하게 봉하는 봉지장치(52)를 구비한 것을 특징으로 하는 음극선관의 고전압처리장치.
4. 제3항에 있어서, 상기 봉하여 막는 부재(54)내의 압축공기압이 상기 용기(21a)내의 고압 가스압보다 큰 것을 특징으로 하는 음극선관의 고전압 처리장치.
5. 적이도 전자총(10)의 스템핀부의 온도를 고압가스 분위기의 온도보다 높게 하던가 또는 고압가스 분위기의 이슬점을 25℃이하로 해서 고전압을 인가하는 음극선관의 고전압 처리장치에 있어서, 한쪽의 개방되어 내부에 고압가스가 공급되도록 구성되고 또한 다른한쪽면의 닫힘 구멍부에 음극선관이 스템핀에 장착된 소켓(33a,33b)에 급전을 실행하기 위한 누름접합단자(33c)를 갖는 커넥터가 구비된 용기(21a), 상기 용기의 열림구멍끝에 장착되고, 음극선관의 퍼늘부에 맞닿아서 기밀하게 하기 위한 탄성부재로 이루어지는 봉하여 막는 부재(56), 상기 용기를 유지해서 음극선관의 네크부(1)로 부터 관축방향으로 진출시키고, 봉하여 막는 부재(56)에 의해서 상기 용기내를 기밀하게 해서 고압으로 함과 동시에 상기 누름접합단자(33c)를 음극선관의 소켓(33a,33b)의 급전단자에 맞닿게 해서 급전함과 동시에 급전이 종료한 후는 상기 용기(21a)를 후퇴시키는 전후진장치(51)을 포함하는 음극선관의 고전압 처리장치.

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