KR930010266B1 - 함침형 음극의 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

함침형 음극의 제조방법

제1도는 통상적인 함침형 음극의 단면도.

제2도는 종래의 방법에 따라 함침형음극을 제조하는 공정을 나타내는 도면,

제3도는 본 발명의 방법에 따라 함침형 음극을 제조하는 공정을 나타내는 도면이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 금속 박막층 2 : 다공질 금속기체

3 : 저장조 4 : 슬리이브

5 : 히이터 6 : 전자방출물질

7 : 고융점 금속보트 8 : 고융점 금속 메쉬 보트

본 발명은 HDTV, 초대형 TV 및 촬상관 등의 음극선관에 사용되는 고전류밀도, 장수명을 갖는 함침형 음극의 제조방법에 관한 것이다.

함침형 음극은 W, Mo 등과 같은 고융점 다공질 금속기체에 바륨, 칼슘, 알루미네이트 등의 전자방출물질을 함침시켜 제조한 음극을 말한다. 이 함침형 음극은 그 동작온도(1000℃ 이상)와 일함수가 높아 고전류밀도를 발생시키는데 어려움이 있기 때문에, 다공질 금속기체의 표면을 Os, Ir, Re, Ru 등의 백금족 원소로 코팅하여 그 동작 온도와 일함수를 낮추어 사용하고 있다.

제1도에는 통상적인 함침형 음극의 단면도가 나타나 있는 바, 이는 저장조(3), 여기에 장입되어 있는 전자방출물질(6), 다공질 금속기체(2), 상기 금속기체(2)의 상부에 위치된 금속박막층(1), 및 상기 저장조(3)를 지지 고정하며 히이터(5)를 내장하는 슬리이브(4)도 구성된다.

이렇게 구성되는 함침형 음극은 종래의 산화물 음극에 비해 고전류밀도, 장수명을 갖기 때문에 음극선과의 고성능화(즉, 고휘도화 및 고해상도화)에 필수적인 부품으로 유망시 되고 있다. 그러나 이 함침형 음극은 제조 공정이 복잡하여 양산성에 문제가 있다.

제2도에는 종래의 함침형 음극의 제조방법이나타나 있는데 이를 그 공정순으로 살펴보면 다음과 같다. 먼저, 고융점 금속보터(7)에 전자방출물질(6)과 다공질 금속기체(2)를 담고 (2a도), 이를 진공로에 장착한후 발열체(9)를 이용하여 진공하에서 노 내부를 가열하여 전자방출물질(6)을 용율시킨다. 이 때 온도는 1500 내지 1700℃로 상승시키며 이 온도를 5 내지 10분 동안 유지시켜 용융된 전자방출물질이 금속기체중에 함침되도록 한다 (2b도). 전자방출물질이 금속기체에 함침된 후에 고융점 금속보트의 모습이 2c도에 나타나 있다. 이와 같은 방법으로 전자방출물질을 다공질 금속기체에 함침시킨 후 다공질 금속기체를 꺼내면 그 단면이 2d도와 같은 형태를 갖게 된다. 도면에 나타난 바와 같이, 다공질 금속기체의 표면에는 고온 공정으로 인해 텅스테이트(tungstate)층(11)이 형성되고(다공질 텅스텐 기체 사용시) 그 상부에는 용융 잔여물(10)이 남아 있게 된다. 용융 잔여물(10)은 초음파를 이용하거나 샌트페이퍼로 폴리싱(polishing)하여 제거하는데, 이는 그 공정이 까다롭고 시간 손실이 클 뿐 아니라, 이와 같은 공정중에는 금속기체의 표면이 손상되거나 치수 변형이 발생되기도 한다. 또한 텅스테이트층이 잔류할 경우에는 백금족 원소의 코팅후 기체금속과 백금족 원소와의 합금화 열처리 공정시 방해물질이 된다. 뿐만 아니라 함침 공정후 고융점 금속보트 내에 전자방출 물질과다공질 금속기체가 공존하게 되므로 보트 내에서 다공질 금속기체만 따라 꺼내는 작업이 필요하게 된다.

본 발명의 목적은 다공질 금속 기체에 전자방출물질을 함침시킨 후,금속 기체의 표면에 잔류하는 물질이 적으면서도 그 제거가 용이한 함침형 음극의 제조방법을 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 고융점 금속 보트에 전자방출물질을 담아 진공로내에서 가열, 용융시키는 단계, 및 다공질 금속기체를 상기 용융된 전자방출물질에 침지시키는 단계를 포함하는 함침형 음극의 제조방법에 있어서, 상기 다공질 금속기체를 고융점 금속 메쉬 보트에 담아 상기 용융된 전자방출물질에 침지시키도록 되는 것을 특지으오 하는 함침형 음극의 제조방법을 제공한다.

특히, 상기 다공질 금속기체를 상기 전자방출물질에 침지시킨후 진공로 내에 비활성 가스를 주입하여 진공을 해제하는 단계를 더 포함시키는 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 함침형 음극 제조방법의 바람직한 실시예를 제3도를 참고로 하여 그 단계에 따라 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저 고융점 금속 메쉬 보트(8)에 다공질 금속기체(2)를 담은 후(3a도) 수소로 도는 진공로의 승,하강장치(12)에 장착한다. 바륨 칼슘 알루미네이트(BaCO₃ CaCO₃ Al₂O₃) 를 4 : 1 : 1 의 몰비로 혼합하여 하소시켜 얻은 전자방출물질(6)을 별도의 고융점 금속 보트(7)에 넣은후 고융점 금속 메쉬보트(8)의 하부에 장착한다 (3b도). 진공하에서 노 내부의 바열체(9)를 가열하여 노 내부의 온도를 상승시킨다. 1500 내지 1700℃에 이르면 전자방출물질이 용융되는데 이 때 다공질 금속기체가 담긴 메쉬 보트(8)를 하강시켜 전자방출물질이 용융된 고융점 금속보트(7)에 침지시킨다. 침지된 상태로 5 내지 10분 동안 유지시켜 전자방출물질(6)이 다공질금속기체(2) 내로 함침되도록 한다.

바람직하게는 이대 가스주입구(13)를 통하여 비활성 가스를 주입하여 진공을 해체해 줌으로써 다공질 금속 기체의 내, 외부 압력차로 인 함침이 더욱 잘 되도록 한다. 진공 해제 후 메쉬 보트(8)를 상승시키고 노를 냉각한 다음 메쉬보트(8)에 담겨진 다공질 금속기체를 들어낸다. 이와 같이 제조하 다공질 금속기체의 단면이 3c도에 나타나 있다. 기체 표면에 남은 잔여물이 훨씬 적고 균일할 뿐 아니라 텅스테이트층도 훨씬 얇게 형성된 것을 알 수 있다.

기체 표면의 잔여물은 통상의 방법대로 스퍼터 시스템(sputter system)을 이용하여 에칭하거나 기타 방법으로 제거한다. 잔여물의 제거후 금속기체(2)의 상부를 백금족 원소로 코팅하여 합금화 열처리(1000 내지 1300℃)한 후 저장조(3) 및 슬리이브(4)에 조립,장착하면 본 발명의 방법에 따른 함침형 음극을 얻을 수 있다.

이상에서와 같이 본 발명의 방법에 따라 함침형 음극을 제조하게 되면, 공정이 단순화되고 제조시간이 단축될 뿐아니라, 다공질 텅스텐을 전자방출물질에 침지시킨 후 고융점 금속 보트로부터의 분리가 간단하고 용융 잔여물의 제거가 용이하다.

특히 전자방출물질이 다공질 금속기체에 더욱 잘 함침되고, 기체 표면에 잔류되는 물질이 적을 뿐 아니라 그 두께가 얇아 제거가 용이하기 때문에 더욱 균일하고 깨끗한 다공질 금속기체를 얻을 수 있게 된다.

그러므로 본 발명의 방법에 따라 제조한 함침형 음극은 전류 밀도가 증가하게 되고 음극은 전류 밀도가 증가하게 되고 음극 특성의 산포 및 제조공정상의 불량 산포가 줄어든다.

Claims (2)

1. 고융점 금속 보트에 전자방출물질을 담아 진공로내에서 가열, 용융시키는 단계 ; 및 다공질 금속기체를 상기 용융된 전자방출물질에 침지시키는 단계 ; 를 포함하는 함침형 음극의 제조방법에 있어서, 상기 다공질 금속기체를 고융점 금속 메쉬 보트에 담아 상기 용융된 전자방출물질에 침지시키도록 된 것을 특징으로 하는 함침형 음극의 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 침지시키는 단계 후 진공로내에 비활성 가스를 주입하여진공을 해제하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 함침형 음극의 제조방법.