KR920009324B1 - 함침형 음극구조체의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 종래 함침형 음극구조체의 단면도.
제2도는 종래 함침형 음극구조체의 제조방법을 나타낸 것으로서, 2a는 함침 준비상태이고, 2b는 함침 완료상태이다.
제3도는 본 발명에 따른 함침형 음극구조체의 단면도.
제4도는 본 발명에 따른 함침형 음극구조체의 제조방법을 나타낸 것으로, 2a는 함침 준비상태이고, 2b는 함침 완료상태이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 제1다공질 텅스텐 2 : 제2다공질 텅스텐
3 : 전자방출물질 4 : 저장조
5 : 슬리이브 6 : 히이터
7 : 상부치구 8 : 하부치구
본 발명은 함침형 음극구조체의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 함침형 음극은 빔전류의 고밀도화가 가능하며 장수명을 갖고 있어 대형 음극선관이나 투사관등에 적합한 것으로 제1도에 도시된 바와 같은 구조를 가진다. 즉, 종래의 함침형 음극구조체는 전자방출물질(11)이 함침된 다공질 텅스텐(10)과, 이를 감싸 지지하는 저장조(12)와, 상기 저장조(12)를 하방에서 지지하며 내부에서 히이터(14)가 설치되는 슬리이브(13)를 구비하고 있다.
이와 같이 구성된 종래의 함침형 음극구조체의 제조방법은 먼저 제2도에 도시된 바와 같이 저장조(12)에 다공질 텅스텐(10)을 삽입용접하고 그 위에 전자방출물질(11)을 덮어 1650℃~1700℃의 진공로 또는 수소로에서 함침시킨 다음 슬리이브(13)에 저장조(12)를 용접하는 것이다.
그러나 이와 같은 제조방법은 제2도에 도시되어 있는 바와 같이 전자방출물질(11)을 다공질 텅스텐(10)에 함침하는 과정에서 전자방출 물질(11)의 잔유물이 저장조(12)의 벽체 또는 다공질 텅스텐(10) 표면에 부착되게 되고 이로 인해 잔유물을 수작업으로 제거해야 하는 번거로움이 발생하게 된다. 잔유물 제거시에는 통상 초음파 연마기나 샌드 페이퍼(Sand Paper)등으로 상기 잔유물을 긁어내게 되는데 이 과정에서 전자방출 표면인 다공질 텅스텐 표면에 손상이 발생하게 되며 이러한 손상은 가공정도에 따라 각기 달라 균일하고 재현성 있는 음극을 제조하기 어려운 문제점을 야기시킨다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로서 전자방출물질을 간단 용이하게 함침시킬 수 있으며, 함침시 전자방출 물질의 잔유물이 형성되지 않는 함침형 음극구조체의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 전자방출물질이 함침된 다공질 텅스텐과, 이를 감싸지지하는 저장조와, 상기 저장조를 하방에서 지지하는 슬리이브를 구비하여 된 함침형 음극구조체의 제조방법에 있어서, 상기 다공질 텅스텐을 제1, 제2다공질 텅스텐으로 분리형성하고 상기 저장조에 상기 제2다공질 텅스텐, 전자방출물질, 제1다공질 텅스텐을 순차적으로 적층한 후 이를 상, 하부 치구로 가압 고정한 상태에서 진공로 또는 수소로에 투입하여 1650℃~1700℃로 용융함침 시키는 공정을 갖는 점에 그 특징이 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 한 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
제3도에는 본 발명에 따른 함침형 음극구조체가 도시되어 있는 바, 이는 전자방출물질이 함침된 제1, 제2다공질 텅스텐(1)(2)과, 이를 감싸 지지하는 저장조(4)와, 상기 저장조(4)를 하방에서 지지하며 내부에 히이터(6)가 설치되는 슬리이브(5)를 구비하여 구성되는데, 이와 같은 함침형 음극구조체의 제조방법은 다음과 같다. 먼저 제4도에 도시된 바와 같이 저장조(4)에 제2다공질 텅스텐(2)을 삽입하고 그위에 전자방출물질(3)을 소정량 투입한 다음 그 위에 제1다공질 텅스텐(1)을 올려 놓고 상하부치구(7)(8)로 이를 가압한 상태로 고정시킨다. 그리고 이를 진공로 또는 수소로에 투입하여 1650℃~1700℃의 온도로 전자방출물질(3)을 용융 함침시킨 다음 저장조(4)와 제1다공질 텅스텐(1)을 용접하고 이를 슬리이브(5)의 상부에 용접하여 함침형 음극구조체를 제조하게 된다.
이와 같은 본 발명에 따른 함침형 음극구조체의 제조방법은, 제1, 제2다공질 텅스텐(1)(2) 사이에 전자방출물질(3)을 개재시키고 이를 가압한 상태로 가열하여 상기 제1, 제2다공질 텅스텐(1)(2)에 전자방출물질(3)을 함침시키게 되므로, 함침과정에서 전자방출물질(3)의 잔유물이 제1다공질 텅스텐(1)의 표면에 형성되지 않게 된다. 따라서 이를 제거하기 위하여 번거로운 제거작업이 필요없게되어 전자방출표면 즉 제1다공질텅스텐(1) 표면의 손상이 방지되므로 균일하고 재현성 있는 음극을 간단 용이하게 제조할 수 있게 된다. 또한 상술한 바와 같이 제1, 제2다공질 텅스텐(1)(2) 사이에 전자방출물질(3)을 개재시켜 이를 함침시키게 되므로 제1다공질 텅스텐(1) 상부의 전자방출물질 함침량이 그 하부나 제2다공질 텅스텐(2)의 전자방출물질 함침량보다 적게 형성되어 음극의 초기 에미션 특성중 전자방출물질의 과다 증발을 억제할 수 있게 된다.
이상과 같은 본 발명에 의하여 간단 용이하게 균일한 특성의 음극을 제조할 수 있으며 음극의 초기 에미션 특성중 전자방출물질의 과다증발을 억제할 수 있어 음극의 수명을 증대시킬 수 있게 된다.
Claims (1)
- 전자방출물질이 함침된 다공질 텅스텐과, 이를 감싸 지지하는 저장조와, 상기 저장조를 하방에서 지지하는 슬리이브를 구비하여 된 함침형 음극구조체의 제조방법에 있어서, 상기 다공질 텅스텐을 제1, 제2다공질 텅스텐으로 분리형성하고 상기 저장조에 상기 제2다공질 텅스텐, 전자방출물질, 제1다공질 텅스텐을 순차적으로 적층한 후 이를 상하부 치구로 가압 고정한 상태에서 진공로 또는 수소로에 투입하여 1650℃~1700℃로 용융함침 시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 함침형 음극구조체의 제조방법.
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KR1019900011209A KR920009324B1 (ko) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 함침형 음극구조체의 제조방법 |
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KR920003365A KR920003365A (ko) | 1992-02-29 |
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KR1019900011209A KR920009324B1 (ko) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 함침형 음극구조체의 제조방법 |
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KR100771560B1 (ko) * | 2007-07-27 | 2007-10-30 | 주식회사 두성기술 | 고속신호 인가가 가능한 반도체 칩 번인테스트 장치 |
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1990
- 1990-07-23 KR KR1019900011209A patent/KR920009324B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR920003365A (ko) | 1992-02-29 |
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