KR930010092B1 - 반도체박막의 형성방법 - Google Patents
반도체박막의 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
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Description
제 1 도는 본 발명을 실시하기 위한 비정질 반도체박막 제조장치를 표시한 모식도.
제 2 도는 직류전압을 -100로부터 +100로 변화시킨 경우에 형성한 반도체박막의 형성속도의 변화를 표시한 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 기판홀더
3 : 기판가열히터 4 : 고주파전극
5 : 고주파전원 6 : 저역통과필터
7 : 정합회로 8 : 정전압전원
9 : 가스공급계
본 발명은 비정질 반도체박막의 형성방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 고품질의 비정질 반도체박막의 형성방법에 관한 것이다.
기본적으로, p층, i층, n층의 비정질 반도체박막을 적층해서 형성되는 비정질 태양전지는 전자식 탁상계산기나 시계를 구동하기 위한 출력이 작은 에너지 공급원으로서 이미 실용화 되고 있다. 그러나, 그러한 태양전지는, 출력이 큰 에너지 공급원으로서는, 성능, 안정성 및 가격의 점에서, 충분하다고는 할 수 없고, 종래부터, 성능향상을 목표로, 각종 검토가 실시되고 있다. 비정질 태양전지의 실용화를 위해서는, 높은 변환효율을 가진 태양전지를, 재현성 좋게, 높은 처리능력으로 제조할 필요가 있다.
그러나, 현재, 비정질 태양전지에 있어서는, 주로, 프라즈마 CVD 법에 의해 제조되고 있기 때문에, 재현성, 고속제조라고 하는 문제점이 충분히 해결되어 있지 않다. 이들 문제를 해결하기 위하여, 태양전지를 구성하는 박막층중에서 가장 두꺼운 층인 i층을 고속퇴적하는 연구나 진공처리시간의 단축 등의 시도가 이루어지고, 또, 고주파 전극의 설계를 포함한 플라즈마 CVD 장치의 설계에 의해, 안정방전의 시도가 이루어지고 있다. 그러나, 태양전지는 실용화란 관점에서는, 이들 연구결과도 충분히 문제해결에 기여하지 못하고 있다.
본 발명자들은, 상기한 문제점을 해결하기 위하여, 고주파 글로방전형태, 반응성 가스의 글로방전분해, 고속퇴적조건 등의 여러인자를 예의 검토한 결과, 플라즈마 CVD 장치속에서 글로방전을 발생시켰을 경우, 고주파 전극에 자연인가되는 직류 자기(自己)바이어스 전압의 변동에 결정적인 문제가 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하게 되었다.
본 발명의 기본적 개념은, 플라즈마 CVD 장치속에서 글로방전시켜서, 박막을 형성하는 경우, 직류자기 바이어스전압을 고주파 전극에 인가하고, 이 직류자기바이어스전압이 변동함으로써 글로방전상태가 변동하고, 직류자기바이어스전압을 제어하는 것으로 방전형태를 임의로 제어하는 것을 가능하게 한 점에 있다. 따라서, 본 발명에 의하면, 플라즈마 CVD 장치속에서 글로방전시키는 방법에 있어서, 고속퇴적속도로 재현성 좋고, 양호한 광전특성을 가진 고품질의 반도체박막을 형성할 수 있는 것이다.
본 발명에 의하면, 기판위에 비정질 박막을 형성하는 방법에 있어서, 글로방전을 발생시키기 위한 고주파 전극과, 상기 고주파전극과 대향하고 있는 기판을 지지하기 위한 기판홀더와, 상기 전극에 교류전압을 인가하여 상기 전극에 직류자기바이어스전압을 발생시키는 동시에 정합회로를 구비한 교류전압 인가수단과, 상기 교류전압과는 독립적으로 상기 전극에 직류전압을 인가하는 직류전압인가수단과, 반응기내에 가스를 공급하는 가스공급수단을 구비한 반응기를 준비하는 공정과, 상기 교류전압 인가수단에 의해 상기 전극에 교류전압을 인가함으로써 그 전극에 직류자기바이어스전압을 발생시키는 공정과, 상기 직류전압인가수단에 의해 상기 전극에 +1000~-1000 범위의 직류전압을 인가하는 공정과, 상기 가스공급수단에 의해 상기 반응기에 반응성 가스를 공급해서 상기 반응성 가스의 글로방전을 발생, 유지하여, 상기 기판위에 반도체박막을 형성하는 공정으로 이루어져, 상기 직류전압인가수단에 의한 직류전압의 인가에 의해 직류자기바이어스전압을 변화시킴으로써 반도체박막의 퇴적속도를 증가시키도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체박막의 형성방법이 제공된다.
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 첨부도면에 의거하여 상세히 설명한다.
본 발명을 실시하기 위한 CVD 장치의 바람직한 일례를 제 1 도에 표시하였다. 기판을 가열하기 위한 가열히터(3), 플라즈마를 발생시키기 위한 교류전압을 인가하는 고주파전극(4), 고주파 교류전원(5), 그 표면에 반도체박막을 형성하는 기판(1), 반응성 가스 등의 원료가스를 반응장치내에 도입하는 가스공급계(가스배관과 유량계로 이루어짐)(9), 일정한 직류전압을 인가할 수 있는 정전압직류전원(8), 교류전압과 직류전압을 동시에 또한 상호간섭을 일으키는 것을 방지하는 저역통과필터(6) 등으로 이루어진다.
본 발명에 있어서, 글로방전을 발생시키기 위해서 도입하는 반응성 가스란, 일반식 SinH2n+2(여기서 n은 자연수)로 표시되는 실란화합물을 주체로 하는 가스로서, 구체적으로는, 모노실란, 디실란, 트리실란, 테트라실란 등이다. 취급상, 모노실란, 디실란, 트리실란, 혹은 이들의 혼합가스가 바람직하다. 물론 반응성 가스로서는, 이들로 한정되는 것은 아니고, 일반식 SinH2n+2-mFm(n, m은 자연수로 m〈2n+2이며, m은 0도 포함)으로 표시되는 불화실란, 예를들면, SiH3F, SiH2F2, SiHF3, SiF4, Si2F6, Si2HF5, Si3F8; SinH2n+2-mClm(n, m은 자연수로 m〈2n+2이며, m은 0도 포함)으로 표시되는 염화실란, 예를들면 SiH3Cl, SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4, Si2Cl6, Si2HCl5, Si3Cl8; GenH2n+2로 표시되는 게르만, 예를들면 GeH4, Ge2H6; 일반식 GenH2n+2-mFm으로 표시되는 불화게르만, 예를들면 GeF4; 일반식 SinR2n+2-mHm으로 표시되는 유기실란, 예를들면, Si(CH3)H3, Si(CH3)2H2, Si(CH3)3H ; 탄화수소가스, 예를들면, CH4(메탄), C2H6(에탄), C3H8(프로판), C2H4(에틸렌), C2H2(아세틸렌)등도 바람직하게 사용가능하다.
이들 반응성 가스를 단독으로 사용해도 좋지만, 또 수소, 불소, 염소 등의 반응성 가스 ; 도펀트(dopant)인 Ⅲ족 원소를 함유한 가스, 예를들면, B2H6(디보란), B(CH3)3(트리메틸붕소)나 Ⅴ족 원소를 함유한 가스, 예를들면 PH3(포스핀) ; 헬륨, 아르곤, 네온 등의 불활성 가스, 질소 등의 지지가스를 첨가 도입하여, 실란화합물 가스를 희석해서 사용해도 좋다. 희석첨가율로서는, 첨가가스에 대한 실란화합물의 비율로 표현했을 경우, 0.1~100%(용적비율) 정도의 범위이다. 실제적인 반도체박막의 형성속도를 고려하면, 이 희석율 1% 이상의 농도가 바람직하게 사용된다.
반응성 가스 유량에 대해서는, 1~200sccm이고, 글로방전 압력에 대해서는, 5mtorr~50torr의 범위이지만, 막형성 속도에 따라서, 유량, 압력은 임의로 선택할 수가 있다.
본 발명에서 사용하는 교류는, 주파수 1KHz 이상인 것이 바람직하고, 이론적인 상한은 특히 없지만, 실용상은, 50MHz까지의 것이 바람직하다. 그중에서도 전파상 허가되어 있는 13.56MHz가 이용상 바람직하다. 또, 인가하는 교류전압은, 글로방전을 유지하기 위하여, 필요한 10~10 정도이고, 바람직하게는, 50~2000 정도이다.
본 발명에 있어서, 교류전압을 인가하는 고주파전극에 교류전압과는 독립적으로 직류전압을 인가하지만, 이 인가하는 직류전압은, 제 1 도에 표시한 바와 같이, 정전압 전원(8)으로부터 저역통과필터(6)를 개재해서 도입, 인가한다. 직류전압은, 전극의 크기에 따라서 변동될 수 있지만, +1000~-1000, 바람직하게는 +500~-500의 범위이지만, 더 바람직하게는 +300~-300, 가장 바람직하게는, +200~-200의 것이다. 전극의 크기는 50~15,000cm2정도이다. 또, 인가하는 직류전압은, 일정전압을 유지하는 정전압 전원(8)으로부터 공급하고, 매우 정밀하게 변동을 억제하고, ±10 정도 이내의 변동으로 하는 것이 바람직하다.
기판온도는, 50~500℃이고, 기판의 내열성, 얻게되는 막특성으로부터 고려되는 온도는, 150~350℃가 바람직하다.
본 발명에 사용한 기판은, 투광성 기판으로서는, 청색판유리, 붕규산유리, 석영유리 등 종래 사용되고 있는 유리기판 재료가 유용하다. 또, 폴리에틸렌프탈레이트, 폴리이미드 등의 고분자 필름기판도 사용하는 것이 가능하다.
본 발명에 있어서는, 기판으로서, 특히 도전성 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명에서 말하는 도전성 기판이란, 104Ω·cm 이하의 저항율을 가진 기판이 바람직하다. 구체적으로는, 스테인레스, 티탄, 알루미늄, 몰리브덴 등의 금속기판이나 붕규산유리, 청색판유리나 석영유리 등의 유리기재 혹은 폴리에틸레프탈레이트나 폴리이미드 등의 고분자 필름표면에, 스테인레스, 몰레브덴, 티탄, 은, 알루미늄 등의 상기 금속박막층을 형성한 것도 기판재료로서 사용할 수 있다. 또 투명전극을 상기 유리기판, 고분자 필름 및 금속기판위에 형성한 기판도 바람직하게 사용할 수가 있다. 이 투명전극으로서는, 산화주석, 산화인듐, 산화아연 등의 금속산화물이나 투광성의 금속 등을 유효하게 사용할 수 있다. 또한, 기판의 두께는, 유리로 0.5~10mm, 필름으로 10~500μm, 금속층의 두께는, 500~20,000Å 정도이다. 또 기판위에 형성되는 비정질 반도체박막의 두께는, 100Å~10μm(100,000Å) 정도이고, 그 박막형성 속도는 3~50Å/S이고, 바람직하게는 5~30Å/S 정도이다.
[실시예 1]
제 1 도에 표시한 CVD 장치를 사용하였다. 장치는 이미 설명한 바와 같이, 기판을 가열하기 위한 가열히터, 교류전압을 인가하는 전극, 반도체박막을 형성하는 기판, 반응성 가스 등의 원료가스를 반응장치내에 도입하는 가스공급계(가스배관과 유량계로 이루어짐), 일정한 직류전압을 인가할 수 있는 정전압 직류전원, 교류전압과 직류전압을 동시에 또한 상호 간섭을 일으키는 것을 방지하는 저역통과필터로 이루어진다. 플라즈마를 발생시키기 위한 전원은, 13.56MHz의 고주파전원을 사용하였다. 막형성 방법으로서는, 기판을 유지하는 서셉터위에 기판을 얹고, 반응장치내에 이동설치한다. 사용한 기판은 붕규산 유리기판이다. 높은 진공으로 배기후, 원료가스인 디실란을 30sccm 도입하고, 기판온도 250℃, 반응압력 0.1torr에 있어서, 고주판전압을 150 인가하고, 또 동시에 직류전압을 -200 인가하였다. 150의 파워로, 소정시간 막형성 하고, 7000Å의 박막을 얻었다. 얻게된 비정질 박막은, 반응장치로부터 꺼내어, 각종 특성을 평가하였다.
상기 방법에 의해 얻게된 막특성으로서, 의사태양광(擬似太陽光)(AM-1.5) 100mW/cm2조사하의 도전율(광도전율)은 4×10-5S/cm, 암(暗) 도전율은 3×10-11S/cm, 광학적 밴드갭 1.77e, 활성화 에너지 0.90eV, 결합수소량 17at%, 막형성 속도 23Å/초였다.
이 막특성은 인하의 비교예 1에서 표시된 막특성에 비해 동등하지만, 막형성 속도에 있어서, 약 3배의 대폭적인 향상이 인정되었다. 본 실시예에 의해, 막특성을 유지한그대로, 막형성 속도를 대폭 증가시킬 수 있었다.
[비교예 1]
실시예 1에 있어서, 직류전압을 외부로부터 인가하지 않고, 자기바이어스(셀프바이어스)전압만의 상황에서 방전하고, 소정두께, 즉 4000Å을 막형성하였다. 본 방법에 의해 얻게된 박막의 특성은 광도전을 3×10-5S/cm, 암도전율 5×10-11S/cm, 결합수소량 12at%, 막형성 속도 9Å/초였다.
[실시예 2]
상기 실시예 1에 있어서의 CVD 장치를 사용하였다. 이것은 이미 설명한 바와 같이 기판을 가열하기 위한 가열히터, 교류전압을 인가하는 전극, 반도체박막을 형성하는 기판, 반응성 가스 등의 원료가스를 반응장치내에 도입하는 가스공급계(가스배관과 유량계로 이루어짐), 일정한 직류전압을 인가할 수 있는 정전압 직류전원, 교류전압과 직류전압을 동시에 또 상호간섭을 일으키는 것을 방지하는 저역통과 필터를 구비하고 있다. 플라즈마를 발생시키기 위한 전원은, 13.56MHz의 고주파전원을 사용하였다. 막형성 방법으로는, 기판을 유지하는 서텝터위에 기판을 얹고, 반응장치내에 이동설치한다. 사용한 기판은, 5×103Ω·cm의 산화주석(SnO2)이 8000Å 두께로 피복된 유리기판이다. 높은 진공으로 배기후, 원료가스인 디실란을 25sccm 도입하고, 기판온도 250℃, 반응압력 0.1torr에 있어서, 고주파전압 170를 인가하고, 또 동시에 직류전압을 -100~+100의 범위에서 변화시켜서 인가하였다. 소정시간 막형성하고, 1μm의 박막을 얻었다. 얻게된 비정질 박막은, 반응장치로부터 꺼내고, 각종 특성을 평가하였다. 막형성 속도의 직류전압인가의 효과의 결과를, 제 2 도에 종합하였다. 또, 얻게된 막특성의 평가를 행하였다. 예를들면, -100 인가해서 제작한 막의 특성은, 의사태양광(AM-1.5) 100mW/cm2조사하의 도전율(광도전율)은 2×10-5S/cm, 암도전율은 1×10-11S/cm, 광학적 밴드갭 1.75e, 활성화 에너지 0.89eV, 결합수소량 17at%, 막형성 속도 18Å/초였다.
이 막특성은 이하의 비교예 2 및 3으로 표시된 막특성에 비해 동등하지만, 막형성 속도에 있어서, 약 3배의 증가가 확인되었다. 본 실시예에 의해, 막특성을 유지한 그대로, 막형성 속도를 증가시킬 수 있었다.
또, 유리기판위에 산화주석을 8000Å 두께로 피복한 기판을 사용하여, pin형 비정질 태양전지의 제작을 행하였다. p층에는 a-Sic층을 200Å, n층에는 μc-Si 층을 500Å 두께로 한 것을 이용하고, i층에는 본 발명의 방법을 적용하여, 막형성 속도 Å/초로 i층을 7000Å 고속형성해서, 태양전지를 제작하였다. 이 태양전지의 광조사(의사태양광)하에서의 전류-전압 특성을 측정한 결과, 개방단부전압, 0.86, 단락광(短絡光)전류 17.5mA/cm2, 곡선인자 0.678, 변환효율 10.2%로 높은 변환효율이 얻어져, 본 발명이 매우 효과적임을 나타내었다. 종래 기술에 비교해서 비약적인 효과를 얻게 될 수 있음이 명백하였다.
[비교예 2]
실시예 2에 있어서, 직류전압을 외부로부터 인가하지 않고, 자기바이어스전압만의 상황에서 방전하고, 약 1μm를 막형성하였다. 본 방법에 의해 얻게 된 박막의 특성은, 광도전율 4×10-5S/cm, 암도전율 5×10-11S/cm, 결합수소량 12at%, 막형성 속도 6Å/초였다.
이상의 실시예 및 비교예로부터 명백한 바와 같이, 본 방법을 사용해서 제작한 비정질 반도체박막은, 매우 양호한 광전특성을 가지면서, 매우 고속의 퇴적속도에 의해 형성되었다. 종래 기술로 형성된 비정질 반도체박막에 비해, 매우 높은 막형성 속도로, 또한 높은 광전특성을 가진 박막이 얻어지고, 본 발명의 반도체박막 형성법이 유효한 것을 알았다. 본 발명은 실용레벨에 있어서, 비정질 태양전지의 광전변환효율의 개선에 크게 공헌하는 것이다. 이와 같이, 본 발명은 전력용 태양전지에 요구되는 높은 변환효율을 가능하게 하는 기술을 제공할 수 있는 것이고, 에너지 산업에 있어서 매우 유용한 발명이다.
Claims (7)
- 기판위에 비정질 박막을 형성하는 방법에 있어서, 글로방전을 발생시키기 위한 고주파전극(4)과, 상기 고주파전극(4)과 대향하고 있는 기판(1)을 지지하기 위한 기판홀더(2)와, 상기 전극(4)에 교류전압을 인가하여 상기 전극(4)에 직류자기바이어스전압을 발생시키는 동시에 정합회로(7)를 구비한 교류전압인가수단(5, 7)과, 상기 교류전압과는 독립적으로 상기 전극(4)에 직류전압을 인가하는 직류전압인가수단(6, 8)과, 반응기내에 가스를 공급하는 가스공급수단(9)을 구비한 반응기를 준비하는 공정과, 상기 교류전압인가수단(5, 7)에 의해 상기 전극(4)에 교류전압을 인가함으로써 그 전극(4)에 직류자기바이어스전압을 발생시키는 공정과, 상기 직류전압인가수단(6, 8)에 의해 상기 전극(4)에 +1000~-1000 범위의 직류전압을 인가하는 공정과, 상기 가스공급수단(9)에 의해 상기 반응기에 반응성 가스를 공급해서 상기 반응성 가스의 글로방전을 발생, 유지하여, 상기 기판위에 반도체박막을 형성하는 공정으로 이루어져, 상기 직류전압인가수단(6, 8)에 의한 직류전압의 인가에 의해 직류자기바이어스전압을 변화시킴으로써 반도체박막의 퇴적속도를 증가시키도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체박막의 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판이 유리로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체박막의 형성방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판이 도전성 기판인 것을 특징으로 하는 반도체박막의 형성방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 직류전압은 +200~-200의 범위인 것을 특징으로 하는 반도체박막의 형성방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 직류전압은 부의 전압인 것을 특징으로 하는 반도체박막의 형성방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 부의 전압은 그 크기가 적어도 50인 것을 특징으로 하는 반도체박막 형성방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 전극은 그 면적이 50~15000cm2인 것을 특징으로 하는 반도체박막의 형성방법.
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