Claims (9)
번도체장치의 제조방법에 있어서, 통상적인 리프트오프법을 이용하여 기판상에 금속막을 형성하는 공정과, 상기 리프트오프법에서 상기 금속막을 리프트오프하기 전에 상기 금속막을 양극산화함으로써 제1금속산화막을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a metal film on a substrate using a conventional lift-off method; and forming a first metal oxide film by anodizing the metal film before lift-off of the metal film by the lift-off method. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the step of forming.
제1항에 있어서, 상기 반도체장치는 MOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein said semiconductor device is a MOS transistor.
제1항에 있어서, 상기 반도체장치의 제조방법은 금속배선공정에 적용되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the manufacturing method of the semiconductor device is applied to a metal wiring process.
제1항에 있어서, 상기 리프트오프법에 사용되는 포토레지스트 패턴은 포토레지스트가 1층, 혹은 그 이상으로 형성되어 만들어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the photoresist pattern used in the lift-off method is formed by forming one or more layers of photoresist.
제1항에 있어서, 상기 제1금속산화막의 형성전에 상기 금속막을 테이퍼 에칭하는 공정이 추가되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, further comprising a step of tapering etching the metal film before forming the first metal oxide film.
제1항에 있어서, 상기 기파은 Si 기판, 혹은 GaAs 기판, 혹은 상기 Si(GaAs) 기판위에 절연막이 증착된 기판인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the wave is a Si substrate, a GaAs substrate, or a substrate on which an insulating film is deposited on the Si (GaAs) substrate.
박막트랜지스터의 제조방법에 있어서, 통상적인 리프트오프법을 이용하여 기판상에 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 리프트오프법에서 게이트전극으로 사용되는 금속을 리프트오프하기 전에 상기 금속을 양극산화함으로써 제1금속산화막을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.A method of manufacturing a thin film transistor, the method comprising forming a gate electrode on a substrate using a conventional lift-off method, and anodizing the metal before lifting off the metal used as the gate electrode in the lift-off method. A method for manufacturing a thin film transistor, comprising the step of forming a metal oxide film.
제7항에 있어서, 상기 리프트오프법에서 사용되는 포토레지스터 패턴은 포토레지스트가 1층, 혹은 그 이상으로 형성되어 만들어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.The method of manufacturing a thin film transistor according to claim 7, wherein the photoresist pattern used in the lift-off method is formed by forming one or more layers of photoresist.
제7항에 있어서, 상기 제1금속산화막의 형성전에 상기 게이트전극으로 사용되는 금속을 테이퍼 에칭하는 공정이 추가되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.8. The method of claim 7, wherein the step of tapering etching the metal used as the gate electrode before the formation of the first metal oxide film is added.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.