KR930007180Y1 - 바이폴라와 씨모스를 이용한 인버터 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

바이폴라와 씨모스를 이용한 인버터
제1도는 씨모스로 구성한 일반적인 인버터 회로도.
제2도는 씨모스로 구성한 인버터 소자의 단면도.
제3도는 본 고안의 인버터 회로도.
제4도는 본 고안 인버터 소자의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
NM1-NM3 : 엔모스 PM1 : 피모스
Q11, Q12 : 쇼트키트랜지스터 D1, D2 : 쇼트키다이오드
본 고안은 인버터에 관한 것으로, 특히 바이폴라와 씨모스 트랜지스터로 구성되어 저전력이고, 집적도 및 출력 구동력이 우수하며, 빠른 회로의 응답특성을 얻는데 적당하도록 한 바이폴라와 씨모스를 이용한 인버터에 관한 것이다.
인버터 논리회로의 하나인 씨모스로 구성되는 인버터는 제1도에 도시한 바와같이 피모스(PM1)와 엔모스(NM1)의 게이트를 접속하여 입력단을 형성하고, 상기 피모스(PM1)의 소스와 상기 엔모스(NM1)의 드레인을 접속하여 출력단을 구성하는 것으로, 고전위 신호가 입력되면 피모스(PM1), 엔모스(NM1)가 각기 오프, 온되어 출력단자(VO)로 저전위신호가 출력되고, 저전위신호가 입력되면 피모스(PM1), 엔모스(NM1)는 각각 온, 오프되어 출력단자(VO)로 고전위신호가 출력된다.
즉, 고전위, 저전위 입력신호가 반전되어 출력되는 것으로, 상기의 인버터를 구성하기 위해 반도체소자상에 피모스와 엔모스를 제2도에 나타낸 바와같이 형성한다.
그런데 이와같은 인버터 회로는, 입력의 잡음이 직접 피모스와 엔모스에 입력되어 회로가 오동작하는 결함이 있었다.
이에 따라 본 고안은 상기의 결점을 없애기 위해 바이폴라와 씨모스 트랜지스터로 인버터를 구성하여 입력의 잡음을 차단함으로써 오동작이 방지되게 안출한 것으로, 이를 첨부한 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 고안의 인버터 회로는 제3도에 도시한 것처럼 입력단자(Vi)를 저항(R1)을 통해 전원(Vcc)에 역방향 접속된 쇼트키다이오드(D1)의 애노우드와 자기바이어스 (Self-bias)된 쇼트키트랜지스터(Q11)의 콜렉터에 공통접속해 이 접속됨을 피모스(PM1)와 엔모스(NM1),(NM2)의 게이트에 공통접속하고, 그 피모스(PM1)의 소오스와 엔모스(NM1)의 드레인과의 접속점 및 상기 엔모스(NM2)의 소오스와 엔모스 (NM3)의 드레인과의 접속점을 각기 트랜지스터(Q1) 및 쇼트키트랜지스터( Q12)의 베이스에 접속함과 아울러 상기 엔모스(NM2)의 드레인을 상기 엔모스(NM3)의 게이트, 상기 트랜지스터(Q1)의 에미터, 상기 쇼트키트랜지스터(Q12)의 콜렉터에 공통접속하여 출력단을 형성하며, 그 접속점을 쇼트키다이오드(D2)를 통해 상기 트랜지스터(Q1)의 베이스에 접속하여 구성한 것으로, 이의 작용 및 효과는 아래와 같다.
입력신호의 잡음성분은 쇼트키다이오드(D1) 및 쇼트키트랜지스터(Q11)에 의해 제거되는데, 고전위신호가 입력되면 피모스(PM1)는 오프되고, 엔모스(NM1),(N M2)가 온되어 트랜지스터(Q1)의 베이스에 저전위신호가 가해진다.
따라트랜지스터(Q1)가 오프되고, 엔모스(NM2)가 온됨에 의해 엔모스(NM3) 및 쇼트키트랜지스터(Q12)가 온상태가 되어 출력단자(VO)로 저전위신호가 출력된다.
한편, 저전위 신호가 입력되면 쇼트키트랜지스터(Q11)에 의해 입력전압이 음의 전압이하로 내려가지 않으며, 피모스(PM1)가 온되고, 엔모스(NM1),(NM2)가 오프되어 트랜지스터(Q1)의 베이스에 고전위 신호가 가해지며, 엔모스(NM3) 및 쇼트키트랜지스터(Q12)가 오프된다.
이에 따라 트랜지스터(Q1)가 온되며 출력단자(VO)로 고전위신호가 출력된다.
이와 같은 본 고안의 인버터는 제4도에 보인 것과 같이 하나의 반도체소자상에 형성되는 것으로, 쇼트키트랜지스터(Q11) 및 쇼트키다이오드(D1)에 의해 입력단의 잡음이 차단되고, 트랜지스터(Q1)에 의해 래치업현상이 방지되며, 쇼트키다이오드(D2)에 의해 고전위에서 저전위로의 전달지연시간(Propagation Delay Time)이 개선되고, 쇼트키트랜지스터(Q12)에 의해서는 출력구동력과 칩면적이 줄어드는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 입력단자(Vi)가 저항(R1)을 통해 전원(Vcc)에 역방향 접속된 쇼트키다이오드 (D1)의 애노우드와 자기바이어스된 쇼트키트랜지스터(Q11)의 콜렉터에 공통접속됨과 아울러 피모스(PM1)와 엔모스(NM1), (NM2)의 게이트에 공통접속되고, 상기 피모스(PM1)의 소스와 상기 엔모스(NM1)의 드레인과의 접속점 및 상기 엔모스(NM2)의 소오스와 상기 엔모스(NM3)의 드레인과의 접속점이 각기 트랜지스터(Q1)와 쇼트키트랜지스터(Q12)의 베이스에 접속되며, 상기 엔모스(NM2)의 드레인이 상기 엔모스( NM3)의 게이트, 상기 트랜지스터(Q1)의 에미터, 상기 쇼트키트랜지스터 (Q12)의 콜렉터에 공통접속되어 출력단을 형성하며, 그 접속점이 쇼트키다이오드( D2)를 통해 상기 트랜지스터(Q1)의 베이스에 접속되어 구성된 것을 특징으로 하는 바이폴라와 씨모스를 이용한 인버터.
KR2019890005505U 1989-04-29 1989-04-29 바이폴라와 씨모스를 이용한 인버터 KR930007180Y1 (ko)

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