KR930005475Y1 - 콘트롤 전압을 이용한 출력제어회로 - Google Patents

콘트롤 전압을 이용한 출력제어회로 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

콘트롤 전압을 이용한 출력제어회로
제1도는 종래의 회로도.
제2도는 본 고안의 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 트랜스 20 : 발진 및 제어부
30 : 승압 및 분압부 40 : 피드백 및 입력비교 제어부
본 고안은 콘트롤 신호를 이용한 출력전압 제어회로에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 레이저 빔 프린터나 복사기등의 드럼 대전 방식에 사용되는 고전압 발생장치의 출력전압 제어회로에 관한 것이다.
종래에는 제1도에서와 같이 트랜스(10)의 1차측에는 인가되는 입력전압(B+)에 의해 2차측으로 출력되는 고전압 발생장치에서, 상기 출력측의 고전압을 저항(R10)(R11)으로 검출하고 이를 피드백시켜 출력전압을 제어 하였다.
이때, 상기 피드백 전압은 가변저항(VR1)에 의해 수동으로 조절되었다.
이와 같이 링 초크 콘버터(Ring Choke Converter)를 이용한 고전압 발생장치에서 출력전압을 가변저항을 이용하여 조절해왔으나, 레이저 빔 프린터나 복사기등의 드럼 대전방식에 사용시 고전압 발생장치는 점차 고품위 및 소형화 추세에서 세트 내부의 CPU로 부터의 제어신호에 의한 HVPS(Hig Voltage Power Supply)의 출력전압을 조절해야될 필요성이 대두되었다.
따라서, 본 고안은 상기한 필요성에 의하여 안출한 것인바, 본 고안의 목적은 세트내부의 CPU로 부터 제어신호를 받아 출력전압을 제어하되, 피드백 전압과 입력전압과의 비교에 의하여 스위칭 트랜지스터를 전류제어하고 이어 파워 트랜지스터의 베이스 전류를 조절하여 출력전압을 조절하는 콘트롤 전압을 이용한 제어회로를 제공함에 있다.
상기한 본 고안의 목적을 달성하기 위한 기술적 구성은, 입력전압에 트랜스와 이 트랜스를 발진시키는 발진 및 제어부, 승압 및 분압부를 연결하여 고전압을 출력하는 회로에 상기 고전압 출력으로부터 피드백 신호를 받고 CPU로부터 콘트롤 신호를 받고 상기 발진 및 제어부를 조절함으로써 출력전압을 제어하도록 한 피드백 및 입력비교 제어부를 특징으로 하고, 상기 피드백 및 입력비교 제어부는 2개의 트랜지스터에 상기 피드백 신호와 콘트롤 신호 및 입력전압을 연결하여 구성한 것을 특징으로 하며, 상기 제1트랜지스터의 베이스에는 과도한 콘트롤 신호 전압으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상을 방지하기 위한 제너다이오드가 연결된 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면에 의하여 본 고안의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 고안의 회로구성도이다.
여기에서 기본구성은 입력전압(B+)에 발진 및 제어부(20)와 트랜스(10)의 1차측(L1)이 연결되고 상기 트랜스(10)의 2차측(L3)에 승압 및 분압부(30)가 연결되며, 상기 승압 및 분압부(30)의 출력단에 피드백 된 피드백 및 입력 비교제어부(40)가 연결된다.
상기 트랜스(10)의 1차측(L1)에 연결된 발진 및 제어부(200)는 2개의 트랜지스터(Q1)(Q4)로 구성하고, 상기 트랜지스터(Q1)의 콜렉터는 상기 트랜지스터(Q4)의 베이스에 연결된다.
상기 트랜지스터(Q4)의 콜렉터는 상기 트랜스(10)의 1차측(L1)에 연결되고 에미터는 접지된다.
상기 트랜지스터(Q1)의 베이스는 피드백 및 입력비교제어부(40)에 연결되고, 에미터는 접지된다.
상기 트랜지스터(Q1)의 베이스와 콜렉터에는 저항(R5)과 다이오드(D4)및 제너다이오드(D5)가 연결되고, 상기 트랜지스터(Q4)의 베이스와 에미터에는 저항(R11)과 콘덴서(C2) 및 다이오드(D6)(D7)가 연결된다.
상기 트랜지스터(Q4)의 에미터에는 트랜스(10)의 또다른 1차측(L2)을 연결하고 여기에는 저항(R12)(R13)과 콘덴서(C3) 및 다이오드(D8)가 연결되어 상기 다이오드(D5)에 접속된다.
상기 트랜스(10)의 2차측(L3)에 연결된 승압 및 분압부(30)는 2차측(L3)에 다이오드(D9)와 콘덴서(C4) 및 저항(R14)으로 연결하여 출력 전압단을 연결한다.
상기 출력전압단에는 분압저항(R15)(R16)을 통하여 상기 피드백 및 입력 비교 제어부(40)가 연결된다.
상기 피드백 및 입력비교 제어부(40)는 피드백신호와 입력전압을 비교하는 두개의 트랜지스터(Q2)(Q3)로 구성하고, 상기 트랜지스터(Q2)의 베이스와 상기 트랜지스터(Q3)의 에미터에 피드백 라인을 연결하고, 상기 트랜지스터(Q2)의 에미터에 저항(R3)(R4)을 통하여 상기 트랜지스터(Q3)의 콜렉터를 연결한다.
상기 트랜지스터(Q2)의 콜렉터는 역전류 방지용 다이오드(D1)를 통하여 리모트신호(REM)입력단을 연결하며, 이 리모트 신호는 도시되지 않은 DC-DC 콘버터의 파워 서플라이로부터 온다.
동시에 상기 트랜지스터(Q2)의 콜렉터는 상기 발진 및 제어부(20)의 트랜지스터(Q1)베이스에 연결된다.
상기 트랜지스터(Q3)의 베이스에는 저항(R6)(R7)을 통하여 콘트롤신호(CNT)를 연결하며, 이 콘트롤신호는 도시되지 않은 CPU의 TTL 로직으로부터 온다.
또한, 상기 트랜지스터(Q3)의 에미터에는 저항(R1)(R10)을 통하여 입력전압(B+)이 연결되며 상기 트랜지스터(Q2)의 콜렉터에 연결된 다이오드(D1)에는 저항(R2)을 통하여 입력전압(B+)을 연결한다.
상기 저항(R3)과 접지사이에 정전압 제너다이오드(D2)가 연결되고, 상기 저항(R7)과 접지사이에도 정전압 제너다이오드(D3)가 저항(R8)이 연결된다.
이와 같이 구성된 본 고안의 회로에서 이하이들의 작용효과를 설명한다.
우선, 리모트신호(REM)가 1.6V 이상으로 입력되면 이 신호는 다이오드(D1)를 통하여 발진 및 제어부(20)의 트랜지스터(Q1) 베이스에 하이신호로 인가되므로 도통된다.
상기 트랜지스터(Q1)가 도통되면 트랜지스터(Q4)의 베이스에 로우신호가 인가되므로 오프되어 발진동작을 하지 않는다.
따라서, 상기 리모트신호(REM)신호가 1.6V이하로 입력되어야만 정상적인 발진동작이 이루어진다.
즉, 상기 리모트신호가 1.6V이하로 입력될때 입력전압(B+)은 기동저항(R11)을 통하여 트랜지스터(Q4)의 베이스를 구동하므로 Rcc 자려발진 형태로 HVPS는 동작되며, 트랜스(10)의 1차측(L2)의 권선전압으로 제너다이오드(D5) 전압을 결정하여 상기 트랜지스터(Q4)의 베이스 전류를 제어한다.
상기와 같이 트랜지스터(Q4)가 동작하여 트랜스(10)의 1차측(L1)에 전류를 흘림으로써 2차측(L3)에 유기된 전압이 승압 및 부압부(30)을 통해 고전압을 출력되며, 이 고전압이 기준전압보다 높은 고전압으로 되면 피드백 저항(R15)(R16)을 통하여 감지되고, 이 감지신호는 피드백 라인을 통해 피드백 및 입력비교 제어부(40)의 트랜지스터(Q2)의 베이스단을 상승시킨다.
따라서, 상기 트랜지스터(Q2)는 오프된다. 상기 트랜지스터(Q2)가 오프되면 상기 발진 및 제어부(20)의 트랜지스터(Q1) 베이스에 하이전압이 인가되어 도통되고, 이어서 트랜지스터(Q4)의 베이스에는 로우전압이 인가되어 오프된다.
그러므로, 트랜스(10)의 1차측(L1) 발진동작은 로우로 되어 상기 고전압 출력은 떨어진다.
이와는 반대로 상기 고전압 출력이 기준전압보다 낮은 로우전압으로 떨어지면, 피드백 라인을 통한 로우전압이 상기 트랜지스터(Q2)의 베이스에 인가되므로 도통되고, 상기 트랜지스터(Q1)는 오프되며, 상기 트랜지스터(Q4)는 도통되어 출력 고전압을 상승된다.
이때, 콘트롤신호(CNT)가 로우신호가 입력되고, 피드백 라인을 통한 피드백 전압과 입력전압(B+)이 일정하면 상기 트랜지스터(Q3)의 베이스에 로우전압이 인가되어 도통되므로 상기 피드백 전압은 상기 도통된 트랜지스터(Q3)의 에비터와 콜렉터 경로를 통하여 저항(R9)의 값으로 흐른다.
따라서, 상기 트랜지스터(Q2)와 트랜지스터(Q1)는 온되고 상기 트랜지스터(Q4)는 오프되므로 출력전압은 떨어진다.
한편, 상기 콘트롤신호(CNT)가 하이로 상승되어 상기 트랜지스터(Q3)의 베이스에 인가되면 이 트랜지스터(Q3)는 오프되고, 따라서, 에미터와 콜렉터간 전류가 감소하여 트랜지스터(Q2)의 베이스에 흐르는 피드백 전류가 높아져 오프된다.
그러므로, 입력전압(B+)의 전류는 저항(R1)과 저항(R3)을 통하여 오프된 상기 트랜지스터(Q2)의 에미터와 콜렉터의 경로로 감소한다.
이때, 상기 트랜지스터(Q1)의 베이스 전류도 감소되므로 트랜지스터(Q4)의 베이스전류는 높아져 상기 승압 및 분압부(30)의 출력전압은 상승된다.
이상과 같이 종래에는 세트에서 수동으로 가변저항을 사용하여 출력전압을 조정하던 것을 본 고안은 전기적인 콘트롤 신호로 HVPS의 출력전압을 가변할 수 있는 회로를 구성함으로써, 출력전압 제어를 보다 정확하게 조절하여 고품위의 HVPS를 제적할 수 있는 뛰어난 장점이 있다.

Claims (3)

  1. 입력전압(B+)에 트랜스(10)와 이 트랜스를 발진시키는 제어부(20), 승압 및 분압부(30)를 연결하여 고전압을 출력하는 회로에 있어서, 상기 고전압 출력으로부터 피드백 신호를 받고 CPU로 부터 콘트롤신호(CNT)를 받아 상기 발진 및 제어부(20)를 조절함으로써, 출력전압을 제어하도록 한 피드백 및 입력비교제어부(40)를 특징으로 하는 콘트롤 전압을 이용한 출력제어회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 피드백 및 입력비교 제어부(40)는 2개의 트랜지스터(Q2)(Q3)에 상기 피드백 신호와 콘트롤신호 및 입력전압을 연결하여 구성한 것을 특징으로 하는 콘트롤 전압을 이용한 출력제어회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 트랜지스터(Q3)의 베이스에는 과도한 콘트롤신호(CNT)전압으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상을 방지하기 위한 제너다이오드(D3)가 연결된 것을 특징으로 하는 콘트롤 전압을 이용한 출력제어회로.
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