KR900007731Y1 - 빔 전류 제어회로 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

빔 전류 제어회로

제1도는 종래의 회로도.

제2도는 본 고안의 회로도.

제3도는 본 고안 회로도의 각부 회로도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 고압부 2 : 중압부

3 : 빔 전류 제어부 5 : 자동 휘도 조절부

FBT : 플라이백 트랜스 ZD : 제너다이오드

CT : 콘트라스트 단자 BT : 브라이트 단자

VR₁, VR₂: 가변저항 C₁, C₂, C₃: 콘덴서

R₁, R₂, R₃: 저항 D₁, D₂, D₃: 다이오드

본 고안은 영상기기의 빔 전류 제어에 있어서, 플라이백 트랜스의 고압을 검출하여 빔 전류가 과도하게 흐르는 것을 방지하도록 빔 전류 제어회로에 관한 것이다.

종래에는 과도한 빔 전류 흐름을 방지하기 위하여 제1도와 같이 플라이백 트랜스(FBT)의 그라운드 되는 부분에 저항(R_A)을 통하여 125V 전원 (B⁺)을 걸어주고 전류의 크기에 따라서 저항(R_A)의 양단에 걸리는 전압의 변화를 검출하여 다이오드(D₂), (D₃)와 저항(R_B), (R_C)을 통한후 콘트라스트와 브라이트 단자(CT), (BT)의 전류 흐름을 제어하여 빔 전류를 제어하게 되므로 결국 저항(R_A), (R_B), (R_C)의 값을 효율적으로 조절함에 따라서 빔 전류가 제어되는 것이었다.

그러나 이같은 빈 전류 제어 방식은 각 저항(R+_A), (R_B), (R_C)값의 혀용차(Tolerance)가 있고 분배저항에 의하여는 일정한 비율로밖에 변화시킬 수 없기 때문에 과도한 전압에 대하여 빈 전류를 제어할 수가 없는 것이었다.

본 고안은 이와 같은 점을 감안하여 빔 전류의 직접 관계가 있는 고압을 제어 신호원으로 사용하여 빔 전류를 제어하므로써 과도한 전압에 대하여 효율적으로 빔전류의 흐름을 방지하도록 한 것이다.

또한, 본 고안은 또다른 목적은 고압은 그 다지 높지 않으나 중압이 일정 포인트 이상 상승하면 이때에도 빔 전류를 흐름을 제어해 줄 수 있도록 한것으로써 고압부와 중압부의 고압 및 중압 상승을 검출하여 빔 전류 제어부의 자동 휘도 조절 포인트를 설정해 주어 자동 휘도 조절부를 통하여 빔 전류의 흐름을 제어하게 구성된다.

이같은 본 고안은 첨부 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

제2도는 본 고안의 회로도써 플라이백 트랜스(FBT)로부터 콘덴서(C₁)에 의해 추출된 신호 중 포지티브의 고압 펄스는 다이오드(D₁)를 통하여 패스시킨후 네가티브의 고압 펄스를 콘덴서(C₂)에 충전시키는 고압부(1)와, 상기 콘덴서(C₂)의 충전전압이 저항(R₁), (R₂)을 통하여 트랜지스터(Q₁)의 구동을 제어하고 트랜지스터(Q₁)의 출력으로 트랜지스터(Q₂)의 구동을 제어하는 빔 전류 제어부(3)와, 상기 트랜지스터(Q₂)의 에미터 콜렉터간 전위는 제너다이오드(ZD)의 제너 전위에 의해 결정된 전위로 콘트라스트 단자(CT)와 브라이트 단자(BT)의 전류 흐름을 제어하는 자동 휘도 조절부(5)로 구성된다.

이때 플라이백 트랜스(FBT)의 중압 부분 전위를 검출하는 중압부(2)의 전위는 가변저항(VR₂)의 조절에 의해 트랜지스터(Q₁)의 콜렉터측 전위를 제어하게 구성하고 트랜지스터(Q₁)의 베이스 전위는 전원(B^-)에 연결된 가변저항(VR₁)으로 가변시키게 구성된다.

이와 같이 구성된 본 고안에서 플라이백 트랜스(FBT)의 이차측 고압 펄스는 제3도의 (a)과 같이 발생되어 도시되지 아니한 고압 정류단으로 인가되게 되고 또한 플라이백 트랜스(FBT)에서 발생된 제3도의 (b)과 같은 고압 펄스는 콘덴서(C₁)에 의해 추출된후 포지티브 고압 펄스 부분은 다이오드(D₁)를 통하여 패스시키고 제3도의 (c)과 같은 네가티브 고압 펄스만을 콘덴서(C₂)에 충전시킨다.

그리고 콘덴서(C₂)에 충전된 전압은 콘덴서(C₂)와 저항(R₁)에 의하여 평활되고 전압은 저항(R₂), (R₃)과 가변저항(VR₁)의 분배비에 의하여 일정 전위로 강화 되게 되며 강화된 전위는 트랜지스터(Q₁)의 베이스에 인가되게 된다.

이때 전원(B^-)에 연결된 가변저항(VR₁)을 가변시킴에 따라서 트랜지스터(Q₁)의 "턴온"포인트를 결정할 수 있다.

일단 트랜지스터(Q₁)의 베이스에 바이어스가 공급되어 트랜지스터(Q₁)가 "턴온"되면 트랜지스터(Q₁)의 콜렉터에는 (I_E·R₅-B^-)만큼의 바이어스가 걸리게 되므로 상기와 같은 방법에 의하여 트랜지스터(Q₂)도 "턴온"되게 된다.

이때 트랜지스터(Q₂)가 "턴온"되는 시점은 A⁺V_ZD V_C+V_EB(Q₂"온")면 되는 것으로 여기서 V_C는 C점의 전위이고 V_EB(Q₂"온")은 트랜지스터(Q₂)의 "턴온"시 에미터와 베이스에 걸리는 전위이다.

따라서 자동 휘도 조절이 되는 포인트는 D점의 전압(V_D)이 콘트라스트 단자 전압(V_CT)이나 브라이트 단자 전압(V_BT)의 최대치(MAX)에 다이오드(D₄)의 도통되는 전압(≒0.6V)을 더한 값보다 작거나 같을 때 이며, 이를 수식으로 표시하면 (V_D), (D점 전압)MAX(V_CT, V_BT)+D₄(≒0.6V)가 된다.

즉, 플라이백 트랜스(FBT)의 고압 발생시 발생된 고압을 이용하여 빔 전류 제어부(3)의 트랜지스터(Q₁), (Q₂)를 구동시킴으로써 자동 휘도 조절 포인트인 V_D전압이 설정되게 되고 설정된 V_D전위에 의하여 콘트라스트 단자(CT)와 브라이트 단자(BT)에 흐르는 전류를 제어해 주어 빔 전류를 제어해 주어 빔 전류를 제어하게 된다.

이같은 본 고안은 고압부(1)의 전압 크기에 의하여 빔 전류의 흐름을 제어하는 것으로 고압부(1)의 고압이 크게 되면 자동 휘도 조절 포인트인 V_D전압의 전위에 의해 콘트라스트 단자(CT)와 브라이트 단자(BT)에 흐르는 전류를 V_D전압과의 전위차이에 의하여 흘려 주고 낮게 되면 콘트라스트 단자(CT)와 브라이트 단자(BT)에 흐르는 전류와 V_D전압과의 전위치가 발생하지 않아 콘트라스트 단자(CT)와 브라이트 단자(BT)에는 과도한 전류가 흐르지 않고 정상적인 전류가 흐르게 된다.

따라서 빔전류와 직접적인 관계가 있는 고압을 이용하여 빔 전류를 제어해 주므로 고압 상승시 과도하게 흐르는 빔 전류를 안정되게 제어해 줄수 있게 된다.

한편 본 고안에서는 고압이 그다지 높지 않더라도 회로의 안정성을 위하여 중압부(2)의 중압이 일정 포인트 이상이 되게 되면 다이오드(D₂)를 "온"시켜 트랜지스터(Q₂)를 "턴온"시킴으로서 고압이 높을때와 마찬가지로 빔 전류를 제어하게 한다.

즉, 중압이 높게 되면 네가티브 펄스 부분이 커지게 되고 이 전위가 C점의 전위보다 낮으면 다이오드(D₂)가 "온"되어 C점의 전위를 떨어뜨림으로써 트랜지스터(Q₂)를 "턴온"시키는 것으로 이때 트랜지스터(Q₂)를 "턴온"시키는 중압의 비율은 가변저항(VR₂)을 이용하여 조정해 준다.

따라서 고압이 그다지 높지 않으나 중압이 일정 포인트 이상 상승되게 되면 빔 전류를 제어해 주어 안정된 빔 전류 제어가 가능하게 된다.

이상에서와 같이 본 고안은 빔 전류와 직접적인 관련이 있는 고압을 이용하여 빔 전류를 제어해 주고 또한 고압은 높지 않으나 중압이 일정 포인트 이상 상승될때에도 빔 전류를 제어해 주도록 한 것으로써 고압이나 중압 상승시 과도한 빔 전류의 흐름을 방지해 주어 안정된 빔 전류를 공급할 수 있는 효과가 있는 것이다.

Claims (1)

1. 플라이백 트랜스(FBT)의 고압 펄스 중 네가티브 고압 펄스를 콘덴서(C₂)에 충전시켜 출력시키는 고압부(1)와, 플라이백 트랜스(FBT)의 이차측 중압을 검출하는 중압부(2)와, 상기 고압부(1)의 콘덴서(C₂)에 충전된 전압과 전원(B^-)에 연결된 가변저항(VR₁)의 조정으로 트랜지스터(Q₁)를 구동시키고 상기 트랜지스터(Q₁)의 출력 전위를 가변저항(VR₂)으로 설정되는 상기 중압부(2)의 출력으로 조정하여 트랜지스터(Q₂)를 구동시키는 빔 전류 제어부(3)와 , 상기 빔 전류 제어부(3)의 트랜지스터(Q₂) 구동으로 제너다이오드(ZD)에서 설정되는 전위에 의하여 콘트라스트 단자(CT)와 브라이트 단자(BT)의 전류 흐름을 제어하는 자동 휘도 조절부(5)로 구성되는 빔 전류 제어회로.