KR930003808Y1 - 액정 디스플레이용 박막트랜지스터 매트릭스 어레이 - Google Patents

액정 디스플레이용 박막트랜지스터 매트릭스 어레이 Download PDF

Info

Publication number
KR930003808Y1
KR930003808Y1 KR2019910004483U KR910004483U KR930003808Y1 KR 930003808 Y1 KR930003808 Y1 KR 930003808Y1 KR 2019910004483 U KR2019910004483 U KR 2019910004483U KR 910004483 U KR910004483 U KR 910004483U KR 930003808 Y1 KR930003808 Y1 KR 930003808Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
line
gate electrode
matrix array
thin film
tft
Prior art date
Application number
KR2019910004483U
Other languages
English (en)
Other versions
KR920020080U (ko
Inventor
김헌수
Original Assignee
삼성전자 주식회사
김광호
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자 주식회사, 김광호 filed Critical 삼성전자 주식회사
Priority to KR2019910004483U priority Critical patent/KR930003808Y1/ko
Publication of KR920020080U publication Critical patent/KR920020080U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930003808Y1 publication Critical patent/KR930003808Y1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136272—Auxiliary lines

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

액정 디스플레이용 박막트랜지스터 매트릭스 어레이
제1도는 종래의 액정 디스플레이용 박막트랜지스터 매트릭스 어레이를 나타낸 도면.
제2도는 본 고안에 따른 액정 디스플레이용 박막트랜지스터 매트릭스 어레이를 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 게이트 전극 라인 2 : 절연 라인
3 : 제2의 도전성 스트립 라인
본 고안은 액정 디스플레이용 박막트랜지스터(이하, TFT라고 약칭함) 매트릭스 어레이에 관한 것으로, 특히 TFT의 게이트 전극을 상호 연결하는 게이트 전극 라인에 이와 병렬로 이격 배치되는 여분의 전극 라인을 설치하여 게이트 라인이 단선 되었을때 상기 여분의 라인을 이용하여 연결하도록 된 액정 디스플레이용 박막트랜지스터 매트릭스 어레이에 관한 것이다.
박막, 소형의 역 스태거드(inverse-staggerd)타입의 MOS 트랜지스터인 TFT는 액정 디스플레이에 사용되는 기본소자로서, 이 소자가 갖는 기본 구성요소는 기판과, 그 위에 연이여 증착 형성되는 게이트 전극, 게이트 절연층 및 반도체층과, 이 반도체층상에 오믹층을 개재하여 상호 이격 배치된 드레인 전극 및 소오스 전극이 있다.
이러한 일체로 형성된 각 소자는 제1도와 같이 매트릭스 어레이 상으로 배치되어 각 소자를 활성화 또는 비활성화 시키도록 게이트 전극 라인(G1~G5) 및 데이타 전극 라인(D1~D5)이 상호 연결되다.
각 소자의 게이트 전극을 잇는 게이트 전극 라인은 도면과 같이 예를들면 TV 화면 구성에 필요한 주사 라인이 인가되도록 사용되기 때문에 이 라인은 화상 표현에 있어 매우 중요한 라인으로서 다수의 TFT를 연결하는 이 라인은 단선된 것이 없어야 한다.
그러나, 박형 소형의 TFT를 매트릭스 어레이상으로 배치하여 제조하는 과정에서 스트립 타입의 게이트 전극 라인이 단선되는 경우가 종종 발생되어 제조된 판넬을 사용할 수 없는 요인이 된다.
이러한 문제를 해결하기 위하여 사용될 수 있는 방법은 다수의 TFT의 게이트 전극을 상호 연결하는 라인 중 어느 라인이 단선된 경우, 단선된 게이트 전극 라인의 선택된 양 끝점을 우회하는 또 다른 도전성 라인을 사용하여 예를들면 레이저 등으로 연결하는 방법을 사용할 수 있다. 그러나 이러한 조치는 또 다른 미시적 차원의 도전성 라인이 사전에 준비되어야 하고, 이 준비된 라인을 사용하여 단락된 게이트 전극 라인의 단락된 양 끝을 연결하기 때문에 작업이 어렵고 또한 생산성 측면에서 결코 바람직한 것이 아니다.
따라서, 본 고안의 목적은 게이트 전극을 형성할때, 스트립 타입의 또 다른 도전성 라인을 이 게이트와 평행하게 이격 배치하여 단선된 게이트 전극 라인의 단선된 점을 발견시, 상기 여분의 도전성 라인을 사용하여 간단히 단선된 양 끝을 연결하므로서 언급한 문제점을 해결하는 것이다.
그러므로, TFT 매트릭스 어레이의 게이트 전극 라인과 평행 이격 배치되는 제2의 도전성 스트립 라인이 형성된 액정 디스플레이용 TFT 매트릭스 어레이가 본 고안에서 개시된다.
본 고안의 목적에 따라 형성된 배열된 TFT 매트릭스 어레이를 제2도에 나타내었다.
도면과 같이, 본 고안의 액정 디스플레이용 TFT 매트릭스 어레이(A)는 다수의 TFT 게이트 전극 라인을 상호 연결하는 게이트 전극 라인(1)과 평행 이격 배치되는 제2의 도전성 스트립 라인(3)을 형성시켜 상기 게이트 전극 라인상의 어느 단선된 점을 상기의 제2의 도전성 스트립 라인을 사용하여 연결하도록 상호 배치된 것을 특징으로 한다.
제2도의 본 고안의 예에서 예를들어 G5로 표기된 게이트 전극 라인에 원형으로 표기한 바와 같이 'X'점에서 단선된 것이 발견되었을 때 단선된 양끝 점을 연결한 상태를 보여주고 있다.
그리고, 도면에서 연결된 상태는 부분 확대 도시되었고, 이때 게이트 전극 라인(1)과 본 고안에 따른 제2의 도전성 스트립 라인(3)과의 사이에는 서로 전기적 접촉이 없도록 적당한 절연물질의 절연라인(2)이 개재된다.
도면과 같은 연결은 예를들면 레이저를 사용하여 이루어질 수 있는데 이때 요구되는 작업이란 게이트 전극 라인과 이에 평행 배치된 제2의 스트립 라인과의 단순 연결이다.
이는 'X'로 표시된 단선된 곳이 있는 게이트 전극 라인(1)과 절연라인(2)을 거쳐 이격 배치된 도전성 스트립 라인(3)에 있어, 상기 'X'점 좌우의 적당한 지점에서 도면의 참조부호 '4'와 같이 두 라인이 상호 연결되는 것이다.
따라서 신호는 화살표처럼 흐르게 되어 선단이 없는 상태로 된다.
본 고안에 따른 제2의 도전성 스트립 라인(3)을 위해 사용된 재료는 ITO(Indium Tin Oxide)인 투명한 전도성 물질이다.
따라서 제2도에 나타낸 바와 같이 ITO 전극 라인은 TFT의 게이트 전극을 잇는 게이트 전극 라인과 연결되어 신호흐름에 어떠한 장해요소가 되지 않는다.
한편, 이와같이 형성되는 게이트 전극 라인과 제2의 도전성 스트립 라인이 동시에 단선된 경우라 하더라도 단선되지 않은 인접한 또 다른 도전성 스트립 라인을 인출하여 연결할 수 있으므로 액정 디스플레이용 TFT 매트릭스 어레이의 불량 요인 중 하나인 게이트 전극 라인 단선시, 용이하고 또한 보다 신속하게 처리될 수 있어 생산 수율 면에서 유리한 효과가 있다.
더우기, 종래와 같이 별도로 사전에 준비해 두어야 할 미시적 차원의 도전성 스트립 라인이 전혀 요구되지 않는다.

Claims (3)

  1. 액정 디스플레이용 박막트랜지스터의 게이트 전극을 상호 연결하는 다수의 게이트 전극 라인이 형성되는 액정 디스플레이용 박막트랜지스터 매트릭스 어레이에 있어서, 상기 게이트 전극 라인 단선시 연결을 위해 이 게이트 전극 라인과 평행이격 배치되어 형성되는 도전성 스트립 라인이 구비되는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 박막트랜지스터 매트릭스 어레이.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도전성 스트립 라인은 투명한 ITO 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 박막트랜지스터 매트릭스 어레이.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전성 스트립 라인은 상기 게이트 전극 라인과 전기적 절연체를 개재하여 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 박막트랜지스터 매트릭스 어레이.
KR2019910004483U 1991-04-02 1991-04-02 액정 디스플레이용 박막트랜지스터 매트릭스 어레이 KR930003808Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019910004483U KR930003808Y1 (ko) 1991-04-02 1991-04-02 액정 디스플레이용 박막트랜지스터 매트릭스 어레이

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019910004483U KR930003808Y1 (ko) 1991-04-02 1991-04-02 액정 디스플레이용 박막트랜지스터 매트릭스 어레이

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920020080U KR920020080U (ko) 1992-11-17
KR930003808Y1 true KR930003808Y1 (ko) 1993-06-23

Family

ID=19312335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019910004483U KR930003808Y1 (ko) 1991-04-02 1991-04-02 액정 디스플레이용 박막트랜지스터 매트릭스 어레이

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR930003808Y1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR920020080U (ko) 1992-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6760092B2 (en) Method for fabricating an array substrate for a liquid crystal display with an insulating stack made from TFT layers between crossed conductors
US7132305B2 (en) Method of fabricating an in-plane switching liquid crystal display device
US20040169781A1 (en) Repair method for defects in data lines and flat panel display incorporating the same
JPS61245136A (ja) 薄膜トランジスタ
US6429908B1 (en) Method for manufacturing a gate of thin film transistor in a liquid crystal display device
KR20150028088A (ko) 액정 표시 장치
US20030122990A1 (en) Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same
US6646694B2 (en) Method of repairing LCD data lines
CN107958910B (zh) 主动开关阵列基板及其制造方法
US7245342B2 (en) Array substrate for liquid crystal display device having conductive patterns and fabricating method thereof
US5715025A (en) Active matrix for liquid crystal displays in which a data bus consists of two data subbuses and each data subbus is separated from an adjacent data bus by one display electrode
JP2800958B2 (ja) アクティブマトリクス基板
KR930003808Y1 (ko) 액정 디스플레이용 박막트랜지스터 매트릭스 어레이
KR100493380B1 (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR100621533B1 (ko) 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100229610B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100599961B1 (ko) 박막 트랜지스터 액정표시장치
KR100543037B1 (ko) 평면 구동 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조방법
JPH09113923A (ja) 液晶表示装置の製造方法
KR100895310B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판
KR20020014596A (ko) 액정표시장치의 제조방법
JPH04278928A (ja) アクティブマトリクス基板
KR101027842B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR930004349B1 (ko) 액정 표시소자의 박막 트랜지스터
JPS63216091A (ja) マトリクス型表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050506

Year of fee payment: 13

EXPY Expiration of term