KR930003676B1 - 액정표시소자의 화소 스위칭장치 - Google Patents

액정표시소자의 화소 스위칭장치 Download PDF

Info

Publication number
KR930003676B1
KR930003676B1 KR1019900017771A KR900017771A KR930003676B1 KR 930003676 B1 KR930003676 B1 KR 930003676B1 KR 1019900017771 A KR1019900017771 A KR 1019900017771A KR 900017771 A KR900017771 A KR 900017771A KR 930003676 B1 KR930003676 B1 KR 930003676B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
pixel electrode
pixel
insulating layer
liquid crystal
Prior art date
Application number
KR1019900017771A
Other languages
English (en)
Other versions
KR920010333A (ko
Inventor
장규정
Original Assignee
삼성전자 주식회사
김광호
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자 주식회사, 김광호 filed Critical 삼성전자 주식회사
Priority to KR1019900017771A priority Critical patent/KR930003676B1/ko
Publication of KR920010333A publication Critical patent/KR920010333A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930003676B1 publication Critical patent/KR930003676B1/ko

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

액정표시소자의 화소 스위칭장치
제 1 도는 종래 액정표시소자의 화소스위칭 장치의 개략적 발췌 단면도.
제 2 도는 본 발명에 따른 액정표시소자의 화소스위칭 장치의 개략적 발췌 단면도.
제 3 도는 제 2 도 A부분에 해당되는 도면으로서 본 발명의 다른 실시예의 발췌 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 기판 20 : 박막트랜지스터
21 : 게이트전극 22 : 반도체층
23 : 오믹층 24 : 드레인전극
25 : 소오스전극 26 : 절연층
27,27a,27b : 화소전극
본 발명은 액정표시소자의 화소스위칭 장치에 관한 것으로서, 특히 화소전극의 구조가 개량된 것에 관한 것이다.
일반적으로 화상표시용 액정표시소자는 X-Y매트릭스 구동방식의 다수화소를 가지는데 상기 화소는 제 1 도에 도시된 바와 같이, 기판(10)상에 형성되는 박막트랜지스터(20)와, 이의 드레인전극(24)에 접속되는 화소전극(27)을 구빈한다.
이상과 같은 박막트랜지스터(20)와 화소전극(27) 그 최상위의 배향막(oriention layer ; 30)에 의해 절연되는데, 상기 박막트랜지스터(20)는 최하위의 게이트전극(21)으로 부터 절연층(26), 반도체층(22)이 순차적층되고, 상기 반도체층(22)의 표면 양측에는 오믹층(23)(23)을 통하여 소오스전극(25)과 드레인전극(24)이 적층되는 구조를 가지며, 상기 회소전극(27)은 박막트랜지스터(20)의 일측(도면에서 오른쪽)에 위치되어 상기 드레인전극(24)과 부분적으로 중첩되어 전기적으로 접속된다.
이상과 같은 구조의 화소를 가지는 종래 형광표시관은 상기 화소전극(27)과 드레인전극(24)간의 접촉불량에 의한 불양화가 빈번히 초래되게 되는데, 이는 상기 드레인전극(24)과 화소전극(27)의 소재가 다르기 때문에 주로 발생되며 경우에 따라서는 화소전극의 자체결합에 의해서도 야기된다.
그러나 구조적으로 상기 화소전극(27)은 빛이 투과하여야 하는 관계로 투광성을 가지는 재료, 예를들면 ITO로 형성되어야 하는 제한을 받기 때문에 금속을 소재로 하는 드레인전극과는 별도로 ITO막을 그대로 사용되면서도 이들간의 접촉불량을 최소화할 수 있는 방안이 모색될 필요가 있다.
본 발명은 화소전극과 드레인 전극간의 접촉결함을 효과적으로 보상할 수 있도록 된 액정표시소자의 화소스위칭 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 게이트전극, 절연층, 반도체층, 소오스전극, 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터에 이웃하여 형성되어 상기 드레인전극과 전기적으로 접속되는 화소전극이 기판상에 형성되도록 된 액정표시소자의 화소스위칭 장치에 있어서, 상기 화소전극이 제 1 화소전극과 제 2 화소전극으로 구분형성되되, 상기 제 1 화소전극과 제 2 화소전극이 상기 절연층을 개재하여 결리된 채 위치되며, 절연층의 저부에 위치된 제 1 화소전극은 상기 절연층에 마련된 스루우홀을 통하여 상기 드레인전극과 전기적으로 직접 접속된 상기 제 2 화소전극 또는 상기 드레인전극에 전기적으로 접속되도록 하여 된 점에 그 특징이 있다.
이하 첨부된 도면중 제 2 도를 참조하여서 본 발명의 한 실시예를 상세히 설명한다.
본 발명의 화소스위칭 장치는 제 2 도에 도시된 바와 같이, 기판(10)상에 인접되게 형성되는 박막트랜지스터(20)와 화소전극(27)을 구비한다. 상기 박막트랜지스터(20)는 일반적인 것과 마찬가지로 기판(10)상의 최하위층의 게이트전극(21)과, 이의 상부의 절연층(26)과 절연층(22) 상부의 반도체층(22)과, 반도체층(22)표면 양측의 소오스전극(25)과 드레인전극(24), 상기 반도체층(22)과, 소오스전극(25) 및 반도체층(22)과 드레인 전극(24)들의 사이에 개재되는 오믹층(23)(23)으로 구성된다. 그리고 상기 화소전극(27)은 상기 절연층(26)을 사이에 둔 제 2 화소전극(27a)과 제 2 화소전극(27b)으로 구성되는데, 이들 양화소전극(27a)(27b)은 상기 절연층(26)에 형성된 스루우 홀(26a)을 통하여 접촉된다. 이때에 상기 제 2 화소전극 (27b)는 상기 드레인전극(24)와 부분적으로 중첩되어 전기적으로 접속된다. 그리고 이상과 같은 구조의 박막트랜지스터(20)와 화소전극(27)의 상부에 배향막(30)이 전체적으로 적층형성된다.
이상과 같은 구조를 가지는 본 발명의 화소의 스위칭 수단에 있어서는 2중의 화소전극을 가짐으로써 일측의 화소전극에 결함이 발생되어 타측의 화소전극에 의해 보상되게 된다. 즉, 본 발명에 있어서는 상호보완적 관계를 가지는 제 1 화소전극과 제 2 화소전극을 가진다는 점에 그 특징이 있는데, 화소전극과 드레인전극간의 접촉불량을 감안하여서는 제 3 도에 도시된 바와 같은 형태로 형성될 수 있다. 즉, 제 1 화소전극(27a)과 제 2 화소전극(27b)은 서로 엇갈리게 형성되고 이들 사이에 개재된 절연층(26)에는 상기 제 2 화소전극(27b)이 형성되지 않은 드레인전극(24)의 저부로 형성되어 스루우홀(26b), 드레인전극(24)과 제 1 화소전극(27a)이 직접 접촉된다. 그리고 상기 드레인전극(24)은 상기 제 2 화소전극(27b)의 가장자리 부위에도 일부 중첩되어 이와 전기적으로 직접 접속되게 된다.
이상에서와 같이 본 발명은 화소전극의 이중으로 형성하여, 화소전극과 드레인전극의 접속부위에서의 결함을 상호 보완적인 관계를 통하여 해소하도록 하는 것인바, 결과적으로는 제품을 불량률을 크게 저감하게 된다.

Claims (1)

  1. 게이트전극, 절연층, 반도체층, 소오스전극, 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터와 ; 상기 박막트랜지스터와 이웃하여 형성되어 상기 드레인전극과 전기적으로 접속되는 화소전극이 기판상에 형성되도록 된 액정표시소자의 화소스위칭 장치에 있어서, 상기 화소전극이 제 1 화소전극과 제 2 화소전극으로 형성되되, 상기 제 1 화소전극과, 제 2 화소전극이 상기 절연층에 의해 격리된 채 위치되며, 상기 절연층의 저부에 위치된 제 1 화소전극은 상기 절연층에 마련된 스루우 홀을 통하여 상기 드레인전극과 전기적으로 직접 접속된 상기 제 2 화소전극 또는 상기 드레인전극에 전기적으로 접속되도록 하여 된 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 화소스위칭 장치.
KR1019900017771A 1990-11-02 1990-11-02 액정표시소자의 화소 스위칭장치 KR930003676B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900017771A KR930003676B1 (ko) 1990-11-02 1990-11-02 액정표시소자의 화소 스위칭장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900017771A KR930003676B1 (ko) 1990-11-02 1990-11-02 액정표시소자의 화소 스위칭장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920010333A KR920010333A (ko) 1992-06-26
KR930003676B1 true KR930003676B1 (ko) 1993-05-08

Family

ID=67739303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900017771A KR930003676B1 (ko) 1990-11-02 1990-11-02 액정표시소자의 화소 스위칭장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR930003676B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW295652B (ko) * 1994-10-24 1997-01-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk

Also Published As

Publication number Publication date
KR920010333A (ko) 1992-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10209587B2 (en) Array substrate, liquid crystal display panel and display device
KR100209471B1 (ko) 박막트랜지스터
US8395744B2 (en) Display device including dummy pixel region
US5648826A (en) Reparable display device matrix having scanning line repair conductive layers or pixel electrode multiple destruction-prevention notches
US8384870B2 (en) Display substrate, method of manufacturing the same and display panel having the display substrate
KR860000229B1 (ko) 화상 표시장치
TWI642180B (zh) 顯示裝置
US9136279B2 (en) Display panel
KR20050015821A (ko) 평판표시장치 및 그의 제조방법
US10263017B2 (en) Pixel structure, display panel and manufacturing method of pixel structure
CN1359020A (zh) 液晶显示器件
KR0144061B1 (ko) 실드된 픽셀 구조를 갖는 액정 디스플레이 장치
US6121632A (en) Thin-film transistor array and method for manufacturing same
KR980003719A (ko) 휘도 불균일을 유발하지 않으며 고신뢰성이 디스플레이를 제공할 수 있는 액정 디스플레이
EP0468711B1 (en) Matrix-addressed type display device
US8363186B2 (en) Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the same
JP2009271103A (ja) 液晶表示装置
JPH07101268B2 (ja) 薄膜トランジスタアレイ
KR930003676B1 (ko) 액정표시소자의 화소 스위칭장치
US5715025A (en) Active matrix for liquid crystal displays in which a data bus consists of two data subbuses and each data subbus is separated from an adjacent data bus by one display electrode
CN110109305B (zh) 显示面板
KR950002289B1 (ko) 액정 표시장치
JPH117044A (ja) 表示装置用アレイ基板
JPS63276031A (ja) 液晶表示装置
JPH03212620A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20000414

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee