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반도체 장치의 제조방법Manufacturing Method of Semiconductor Device
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.
제1도는 본 발명에 따른 제조공정도.1 is a manufacturing process diagram according to the present invention.
제2도는 본 발명에 따른 특성도.2 is a characteristic view according to the present invention.
Claims (5)
반도체 장치의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체 기판상의 소자분리영역과 소자영역에 각각 소자분리용 절연막과 제1절연막을 형성하는 제1공정과, 상기 기관 상부로 부터 상기 기판 물질을 소정의 도우즈로 이온주입한 후 열처리를 실시하는 제2공정과, 상기 제1절연막을 제거한 뒤 노출된 기판 상면에 제2절연막을 형성하는 제3공정을 순차적으로 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a first step of forming a device isolation insulating film and a first insulating film in a device isolation region and a device region on a semiconductor substrate of a first conductivity type; And a third step of performing a heat treatment after ion implantation at a dose thereof, and a third step of forming a second insulating film on the exposed upper surface of the substrate after removing the first insulating film. Manufacturing method.제1항에 있어서, 상기 기판이 실리콘 기판임을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the substrate is a silicon substrate.제2항에 있어서, 상기 제2공정의 이온 주입이 실리콘을 1.0E11∼1.0E15ions/㎠의 도우즈로 이온 주입함에 의한 것임을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the ion implantation of the second step is performed by ion implantation of silicon into a dose of 1.0E11 to 1.0E15ions / cm 2.제1항에 있어서, 상기 제2공정의 열처리가 질소분위기에서 820℃∼950℃의 온도로 10분∼60분정도 실시됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the heat treatment of the second step is performed at a temperature of 820 ° C to 950 ° C for about 10 minutes to 60 minutes in a nitrogen atmosphere.제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연막이 산화막임을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the first and second insulating films are oxide films.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019910009998A1991-06-171991-06-17
Manufacturing Method of Semiconductor Device
KR930001307A
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