KR930000712A - 스테인레스강 표면의 화학적 연마용 중탕과 연마방법 - Google Patents
스테인레스강 표면의 화학적 연마용 중탕과 연마방법 Download PDFInfo
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본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
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- 수용액으로 염산, 질산과 인산의 혼합물과, 치환 또는 비치환 히드록시 벤조산을 함유함을 특징으로하는 스테인레스강 표면의 화학적 연마용 중탕.
- 제1항에 있어서, 아민이 이의 분자에 10개 이상의 탄소 원자를 함유함을 특징으로하는 중탕.
- 제2항에 있어서, 아민에서 탄소원자의 수가 11 내지 20개 임을 특징으로하는 중탕.
- 제3항에 있어서, 아민이 12-18개의 탄소원자를 갖는 1차 아민임을 특징으로하는 중탕.
- 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 아민이 용액의 리터당 1-100mg의 양으로 수용액에 존재함을 특징으로하는 중탕.
- 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서, 중탕이 페리시안화물이온과 페로시안화물 이온을 유리함을 특징으로하는 중탕.
- 제1항 내지 제6항중 어느 한 항에 있어서, 중탕이 과염소산과 과염소산의 수용성염 수용액에서 선택한 첨가제를 함유함을 특징으로하는 중탕.
- 제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서 중탕이 수용액으로 아질산을 분해할 수 있는 첨가제를 함유함을 특징으로하는 중탕.
- 제8항에 있어서, 아질산을 분해할 수 있는 첨가제를 우레아와 우레아 유도체에서 선택함을 특징으로하는 중탕.
- 제1항 내지 제9항중 어느 한 항에 있어서, 중탕이 수용액 리터당.0.5-5몰의 염산,0.005-1몰의 질산, 0.005-1몰의 인산, 0.001-5g의 히드록시벤조산, 0.001-1g의아민, 0-0.5몰의 과염소산과 과염소산의수용성 염에서 선택한 첨가제, 0-0.005g의 아질산을 분해할 수 있는 첨가제로 이루어짐을 특징으로하는 중탕.
- 오오스테나이트강 표면을 화학적 연마하는데 사용하는 제1항 내지 제 10항중 어느 한 항에 따른 중탕.
- 표면을 화학적 연마용 중탕과 접촉시켜서하는 스테인레스강 표면을 연마하는 방법에 있어서, 제1항 내지 제11항중 어느 하나에 따른 중탕을 사용함을 특징으로하는 연마 방법.
- 제12항에 있어서, 중탕의 온도를 20-65℃로 조절함을 특징으로 하는 연마방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910009860A KR930000712A (ko) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 스테인레스강 표면의 화학적 연마용 중탕과 연마방법 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019910009860A KR930000712A (ko) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 스테인레스강 표면의 화학적 연마용 중탕과 연마방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR930000712A true KR930000712A (ko) | 1993-01-15 |
Family
ID=67440715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019910009860A KR930000712A (ko) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 스테인레스강 표면의 화학적 연마용 중탕과 연마방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR930000712A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101367633B1 (ko) * | 2013-08-28 | 2014-03-12 | 전윤희 | 반도체 장비용 진공볼트의 무전해 연마 방법 |
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1991
- 1991-06-14 KR KR1019910009860A patent/KR930000712A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101367633B1 (ko) * | 2013-08-28 | 2014-03-12 | 전윤희 | 반도체 장비용 진공볼트의 무전해 연마 방법 |
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