KR920703870A - 광학적 산화물 코우팅을 증진된 속도로 부착하는 방법 - Google Patents

광학적 산화물 코우팅을 증진된 속도로 부착하는 방법

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KR920703870A
KR920703870A KR1019920700259A KR920700259A KR920703870A KR 920703870 A KR920703870 A KR 920703870A KR 1019920700259 A KR1019920700259 A KR 1019920700259A KR 920700259 A KR920700259 A KR 920700259A KR 920703870 A KR920703870 A KR 920703870A
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엘 반 스카이크 탐젠
디이 월페 제세
나아드 지이 왐볼트 레오
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원본미기재
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Abstract

내용 없음

Description

광학적 산화물 코우팅을 증진된 속도로 부착하는 방법
[도면의 간단한 설명]
제1도는 수직축이 방출분광계에 의해서 플라즈마에서 검출된 Ti의 양이고 수평축이 분당 표준세제곱 센티미터(SCCM)의 기체 유량인, 세가지의 서로 다른 기체 또는 기체 혼합물의 존재하에서 티탄의 스퍼터링 동안의 방출 인력 데이타를 나타내는 그래프이다.
제2도는 방출 비율의 함수로서 부착 속도를 나타내는 그래프이다(777nm 파장에서 산소에 관해 측정하고 391nm파장에서 티탄에 관해 측정함).
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (23)

  1. 반응물로서 산소기체의 존재하에서 타게트를 반응적으로 스퍼터링하여 단위 두께당 일정한 흡광도를 갖는 타게트 산화물의 실질적으로 투명한 필름을 일정한 속도로 형성하는 방법에 있어서, 반응물은 충분한 이산화질소를 포함하여 산소기체가 유일한 반응물일때와 실질적으로 동일하거나 이하의 단위 두께당 흡광도에서 필름이 부착되게 유지시키면서 필름 형성 속도를 증가시킴을 개선점으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 타게트는 티탄, 주석, 아연, 탄탈, 알루미늄, 지르코늄, 인듐, 인듐-주석 합금, 비스무스, 규소, 텅스텐, 또는 이의 합금 또는 혼합물을 포함하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 반응물은 아산화질소 뿐 아니라 산소기체 및 질소기체중 하나 또는 둘다를 포함하는 방법.
  4. 제1항 또는 3항에 있어서, 스퍼터링은 챔버에서 수행되고, 챔버는 스퍼터링전에 약 1×10-3토르이하의 압력으로 배기시키는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 스퍼터링은 약 1×10-3내지 5×l0-3토르의 압력에서 수행되는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 타게트는, 티탄, 주석, 아연, 탄탈, 알루미늄 또는 지르코늄인 방법.
  7. 제1항에 있어서, 필름은 약 1미크론이하의 두께를 갖는 방법.
  8. 제3항에 있어서, 타게트 산화물은 산화아연이고 반응물은 아산화질소 뿐 아니라 산소 기체를 포함하는 방법.
  9. 제3항에 있어서, 타케트 산화물은 산화티탄이고 반응물은 아산화질소 뿐 아니라 질소 및 산소기체를 포함하는 방법.
  10. 제3항에 있어서, 타게트 산화물은 산화 아연이고, 반응물은 아산화질소 뿐 아니라 질소 및 산화 기체를 포함하는 방법.
  11. 제3항에 있어서, 타게트 산화물은 산화주석이고 반응물은 아산화질소 뿐 아니라 질소 및 산소기체를 포함하는 방법.
  12. 제1항에 있서, 증진된 필름 형성속도에서 필름의 단위 두께당 흡광은 Å당 약 0.002이하인 방법.
  13. 제1항에 있어서, 필름 형성속도는 적어도 약 50%증가한 방법.
  14. 티탄, 주석, 아연, 탄탈, 알루미늄, 지르코늄, 인듐, 인듐-주석 합금, 비스무스, 규소, 텅스텐, 및 이의 합금 또는 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택된 타게트 및 지지체를 1×10-3토르이하의 압력으로 배기된 챔버에 제공하고, 타게트 산화물 형성에서 순수한 산소 기체에 비하여 증진된 반응성을 갖는 반응성 산소의 공급원을 챔버에 투입하고, 지지체 상에 부착되는 타게트 산화물의 단위 두께당 흡광을, 순수한 산소기체가 유일한 반응물일 때와 실질적으로 동일하거나 이하의 단위 두께당 흡광에서 유지하면서, 반응성 산소의 공급원을 약 1×10-3내지 5×10-3의 압력을 제공하는 챔버내로 조절된 속도로 유동시킴으로 구성되는, 타게트는 반응적으로 스퍼터링하여 실질적으로 투명한 타게트 산화물 필름을 빠른 속도로 부착하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 타게트 산화물의 부착 속도는 순수한 산소기체가 유일한 반응물일 때 보다 적어도 약 50%빠른 방법.
  16. 제14항에 있어서, 지지체 상에 부착된 타게트 산화물의 단위 두께당 흡광도는 Å당 약 0.02이하로 유지되는 방법.
  17. 제14항에 있어서, 반응성 산호의 공급원은 아산화질소를 포함하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 반응성 산소의 공급원은 산소기체, 질소기체 또는 산소 및 질소 기체의 혼합물을 포함하는 방법.
  19. (a) 타게트를 반응물 기체로서 순수한 산소 또는 산소 및 불활성 기체의 혼합물에서 약 1×10-3토르 내지 5×l0-3토르의 일정한 기체 압력에서 스퍼터링하여 타게트 산화물의 부착속도에 관한 베이스 라인 값 및 적어도 하나의 타게트 산화물의 광학적 성질을 설정하고, (b) 타게트를, 적어도 일부가 아산화질소인 첫번째 반응물 기체에서 스퍼터링하고, 타게트 산화물의 부착속도에 관한 첫번째 값 및 적어도 하나의 타게트 산화물의 광학적 성질을 측정하고, (c) 베이스라인 값과 첫번째 값을 비교하고 단계(b)의 반응물 기체를 선택하거나, 첫 번째 반응물 기체를 질소기체, 산소기체 또는 이의 혼합물의 첨가로 변경시켜 두번깨 또는 후속의 반응물 기체를 형성하고, (d) 두번째 또는 후속의 반응물 기체를 제외하고는 단계(b)를 반복하고, 타게트 산화물 부착속도에 관한 두번째 또는 후속 값 및 적어도 하나의 타게트 산화물의 광학적 성질을 측정함으로 구성되는, 바람직한 광학적 성질을 유지하면서 산화물 필름의 증진된 부착속도를 제공하는 반응물 기체의 선택방법.
  20. 제19항에 있어서, 첫번째 반응물 기체는 아산화질소 및, 질소 및 산소중 하나 또는 둘다로 구성되고, 적어도 하나의 타게트의 광학적 성질은 부착된 타게트 산화물의 흡광인 방법.
  21. 타게트 지지체를 챔버에 제공하고 스퍼터링에 의해서 타케트 플럭스를 형성하고, 아산화질소 및 질소, 산소, 및 질소와 산소의 혼합물로 구성되는 군으로부티 선택된 기체를 포함하는 반응성 산소의 공급원을 챔버로 투입하되, 반응물 기체는 순수한 산소기체가 유일한 반응물기체일 때에 비해 타게트 산화물 필름의 단위 두께당 가시 흡광의 실질적인 증가가 있기 직전까지 반응성 산소의 양에 관한 스퍼터링된 타겟트 플럭스의 비율을 증가시키고, 부착되는 타게트 산화물 필름의 부착속도와, 산소원자 및 타게트 원자의 플라즈마 방출라인으로 부티 유래된 값사이의 관계를 결정하고, 유래된 값을 타게트 지지체의 스퍼터링 동안 유지함으로 구성되는, 실질적으로 투명한 타게트 산화물 필름의 지지체 부착속도를 최대화하는 방법.
  22. 제21항에 있어서, 타게트는 티탄이고 유래된 값은 391nm에서 산소의 플라즈마 방출 라인 및 777nm에서 티탄의 플라즈마 방출라인의 비율인 방법.
  23. 제21항에 있어서, 반응성 산소의 공급원은 질소 및 아산화질소의 혼합물인 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920700259A 1989-08-07 1990-08-06 광학적 산화물 코우팅을 증진된 속도로 부착하는 방법 KR920703870A (ko)

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